以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 525V 2.5A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 525V 2.5A（Tc） 45W（Tc） I-Pak
  
  型号：STU4N52K3
  仓库库存编号：497-12363-ND
  别名：497-12363
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 525V 2.5A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 525V 2.5A（Tc） 20W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF4N52K3
  仓库库存编号：497-12579-5-ND
  别名：497-12579-5
  STF4N52K3-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 525V 2.5A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 2.5A（Tc） 45W（Tc） TO-220
  
  型号：STP4N52K3
  仓库库存编号：497-11232-5-ND
  别名：497-11232-5
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 2A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Tc） 57W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD2N60A
  仓库库存编号：785-1663-1-ND
  别名：785-1663-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 2A CPT3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Tc） 20W（Tc） CPT3
  
  型号：RDD023N50TL
  仓库库存编号：RDD023N50TLCT-ND
  别名：RDD023N50TLCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR014TRPBF
  仓库库存编号：IRFR014TRPBFCT-ND
  别名：*IRFR014TRPBF
  IRFR014PBFCT
  IRFR014PBFCT-ND
  IRFR014TRPBFCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 1.4A SSOT-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.4A（Ta） 1.6W（Ta） SuperSOT?-6
  
  型号：FDC2512
  仓库库存编号：FDC2512CT-ND
  别名：FDC2512CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 150V 4.7A 1212-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.7A（Tc） 62.5W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SQS481ENW-T1_GE3
  仓库库存编号：SQS481ENW-T1_GE3CT-ND
  别名：SQS481ENW-T1_GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 7.6A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.6A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS8449_F085
  仓库库存编号：FDS8449_F085CT-ND
  别名：FDS8449_F085CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 80V 9.6A 8TSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.6A（Tc） 700mW（Ta），27W（Tc） 8-TSON Advance（3.3x3.3）
  
  型号：TPN30008NH,LQ
  仓库库存编号：TPN30008NHLQCT-ND
  别名：TPN30008NHLQCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.8A（Tc） 2.4W（Ta），4.8W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4102DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4102DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4102DY-T1-GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 650V 5.8A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.8A（Ta） 60W（Tc） DPAK
  
  型号：TK6P65W,RQ
  仓库库存编号：TK6P65WRQCT-ND
  别名：TK6P65WRQCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Nexperia USA Inc.
  PMN40ENE/SC-74/REEL 7" Q1/T1 *
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5.7A（Ta） 530mW（Ta）, 4.46W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：PMN40ENEX
  仓库库存编号：1727-2734-1-ND
  别名：1727-2734-1
  568-13298-1
  568-13298-1-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 3.2A 3DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.2A（Ta） 400mW（Ta），8.33W（Tc） DFN1010D-3
  
  型号：PMXB65ENEZ
  仓库库存编号：1727-1478-1-ND
  别名：1727-1478-1
  568-10949-1
  568-10949-1-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Nexperia USA Inc.
  MOSFET P-CH 30V 2.4A 3DFN
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.4A（Ta） 400mW（Ta），8.3W（Tc） DFN1010D-3
  
  型号：PMXB120EPE
  仓库库存编号：1727-1472-1-ND
  别名：1727-1472-1
  568-10943-1
  568-10943-1-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 1.9A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.9A（Ta） 1W（Ta） SOT-223
  
  型号：IRFL014NTRPBF
  仓库库存编号：IRFL014NPBFCT-ND
  别名：*IRFL014NTRPBF
  IRFL014NPBFCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2A（Ta） 1.25W（Ta） Micro8?
  
  型号：IRF7526D1TRPBF
  仓库库存编号：IRF7526D1TRPBFCT-ND
  别名：IRF7526D1TRPBFCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 13A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Tc） 31W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD78CN10NGATMA1
  仓库库存编号：IPD78CN10NGATMA1CT-ND
  别名：IPD78CN10NGATMA1CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 200V 1.8A TO-220AB
  详细描述：通孔 P 沟道 1.8A（Tc） 20W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF9610PBF
  仓库库存编号：IRF9610PBF-ND
  别名：*IRF9610PBF
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R190P6
  仓库库存编号：IPW60R190P6-ND
  别名：IPW60R190P6FKSA1
  SP001017090
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 10A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 43W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFZ10PBF
  仓库库存编号：IRFZ10PBF-ND
  别名：*IRFZ10PBF
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.8A（Tc） 3W（Ta），20W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF9610SPBF
  仓库库存编号：IRF9610SPBF-ND
  别名：IRF9610SPBFCT
  IRF9610SPBFCT-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 20.3A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 20.3A（Tc） 62W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PHP20N06T,127
  仓库库存编号：1727-4640-ND
  别名：1727-4640
  568-5757
  568-5757-5
  568-5757-5-ND
  568-5757-ND
  934056614127
  PHP20N06T
  PHP20N06T,127-ND
  PHP20N06T-ND
  PHP20N06T127
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 650V 5.8A IPAK-OS
  详细描述：通孔 N 沟道 5.8A（Ta） 60W（Tc） I-Pak
  
  型号：TK6Q65W,S1Q
  仓库库存编号：TK6Q65WS1Q-ND
  别名：TK6Q65W,S1Q(S
  TK6Q65WS1Q
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 650V 5.8A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 5.8A（Ta） 30W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK6A65W,S5X
  仓库库存编号：TK6A65WS5X-ND
  别名：TK6A65W,S5X(M
  TK6A65WS5X
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索