产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 81nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 9.2A 8DSO
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 9.2A(Ta) 1.56W(Ta) P-DSO-8
型号:
BSO130P03SNTMA1
仓库库存编号:
BSO130P03SNTMA1TR-ND
别名:BSO130P03S
BSO130P03S-ND
BSO130P03SNT
BSO130P03ST
SP000014729
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 81nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 80A(Tc) 107W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N06S405ATMA1
仓库库存编号:
IPB80N06S405ATMA1TR-ND
别名:IPB80N06S4-05
IPB80N06S4-05-ND
SP000415566
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 81nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 90A(Tc) 107W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD90N06S405ATMA1
仓库库存编号:
IPD90N06S405ATMA1TR-ND
别名:IPD90N06S4-05
IPD90N06S4-05-ND
SP000481510
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 81nC @ 10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 77A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 75V 77A(Tc) 158W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK6510-75C,127
仓库库存编号:
568-7489-5-ND
别名:568-7489-5
934064248127
BUK6510-75C,127-ND
BUK651075C127
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 81nC @ 10V,
含铅
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