产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 81nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 100V 65A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 65A(Ta) 156W(Tc) D2PAK
型号:
TK65G10N1,RQ
仓库库存编号:
TK65G10N1RQCT-ND
别名:TK65G10N1RQCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 81nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Ta) 2.4W(Ta),150W(Tj) D2PAK
型号:
NTB60N06T4G
仓库库存编号:
NTB60N06T4GOSCT-ND
别名:NTB60N06T4GOSCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 81nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 80V 11A TO262
详细描述:通孔 N 沟道 80V 11A(Ta),105A(Tc) 2.1W(Ta),333W(Tc) TO-262
型号:
AOW482
仓库库存编号:
AOW482-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 81nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 80V 11A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Ta),105A(Tc) 2.1W(Ta),333W(Tc) TO-220
型号:
AOT482L
仓库库存编号:
AOT482L-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 81nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Ta) 2.4W(Ta),150W(Tj) D2PAK
型号:
NVB60N06T4G
仓库库存编号:
NVB60N06T4G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 81nC @ 10V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 60V 200A TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 200A(Ta) 300W(Tc) TO-220-3
型号:
CSD18535KCS
仓库库存编号:
CSD18535KCS-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 81nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 80V D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Ta),105A(Tc) 2.1W(Ta),333W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
AOB482L
仓库库存编号:
785-1214-1-ND
别名:785-1214-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 81nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 12A(Ta) 1.6W(Ta) PG-DSO-8
型号:
BSO080P03NS3EGXUMA1
仓库库存编号:
BSO080P03NS3EGXUMA1CT-ND
别名:BSO080P03NS3E GCT
BSO080P03NS3E GCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 81nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 12A(Ta) 1.6W(Ta) PG-DSO-8
型号:
BSO080P03NS3GXUMA1
仓库库存编号:
BSO080P03NS3GXUMA1CT-ND
别名:BSO080P03NS3 GCT
BSO080P03NS3 GCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 81nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 90A(Tc) 107W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD90N06S405ATMA2
仓库库存编号:
IPD90N06S405ATMA2-ND
别名:SP001028730
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 81nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 80A(Tc) 107W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N06S405ATMA2
仓库库存编号:
IPB80N06S405ATMA2-ND
别名:SP001028718
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 81nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 135A
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 135A(Tc) 74W(Tc) DirectFET? 等容 MF
型号:
IRF7483MTRPBF
仓库库存编号:
IRF7483MTRPBFCT-ND
别名:IRF7483MTRPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 81nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 80A(Tc) 107W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI80N06S405AKSA1
仓库库存编号:
IPI80N06S405AKSA1-ND
别名:IPI80N06S4-05
IPI80N06S4-05-ND
SP000415632
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 81nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 80A(Tc) 107W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N06S405AKSA1
仓库库存编号:
IPP80N06S405AKSA1-ND
别名:IPP80N06S4-05
IPP80N06S4-05-ND
SP000415704
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 81nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 100V 56A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 100V 56A(Tc) 143W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU4510PBF
仓库库存编号:
IRFU4510PBF-ND
别名:SP001557766
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 81nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 14A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 500V 14A(Tc) 250W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB13N50A
仓库库存编号:
IRFB13N50A-ND
别名:*IRFB13N50A
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 81nC @ 10V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 60A(Ta) 2.4W(Ta),150W(Tj) TO-220AB
型号:
NTP60N06
仓库库存编号:
NTP60N06OS-ND
别名:NTP60N06OS
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 81nC @ 10V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 60A(Ta) 2.4W(Ta),150W(Tj) TO-220AB
型号:
NTP60N06G
仓库库存编号:
NTP60N06GOS-ND
别名:NTP60N06GOS
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 81nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 21A(Ta) 3W(Ta) 8-SO
型号:
FDS6299S
仓库库存编号:
FDS6299S-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 81nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 88A D-PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 88A(Ta) 69W(Ta) D-PAK(TO-252AA)
型号:
FDD6688S
仓库库存编号:
FDD6688S-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 81nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 23A TO-3PB
详细描述:通孔 N 沟道 600V 23A(Ta) 2.5W(Ta),220W(Tc) TO-3PB
型号:
2SK4222
仓库库存编号:
2SK4222-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 81nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 64A(Tc) 3.8W(Ta),130W(Tc) D2PAK
型号:
94-2989
仓库库存编号:
94-2989-ND
别名:*IRFZ48NS
IRFZ48NS
IRFZ48NS-ND
SP001518334
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 81nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 64A(Tc) 3.8W(Ta),130W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ48NSTRR
仓库库存编号:
IRFZ48NSTRR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 81nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 64A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 55V 64A(Tc) 3.8W(Ta),130W(Tc) TO-262
型号:
IRFZ48NL
仓库库存编号:
IRFZ48NL-ND
别名:*IRFZ48NL
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 81nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 64A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 55V 64A(Tc) 3.8W(Ta),130W(Tc) TO-262
型号:
IRFZ48NLPBF
仓库库存编号:
IRFZ48NLPBF-ND
别名:*IRFZ48NLPBF
SP001576332
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 81nC @ 10V,
无铅
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