产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 75V 9A TO220FL
详细描述:通孔 N 沟道 75V 9A(Ta),47A(Tc) 1.9W(Ta),57.5W(Tc) TO-220FL
型号:
AOTF474
仓库库存编号:
AOTF474-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 60A DPAK-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 60A(Ta) 88W(Tc) DPAK+
型号:
TK60S06K3L(T6L1,NQ
仓库库存编号:
TK60S06K3L(T6L1NQ-ND
别名:TK60S06K3L(T6L1NQ
TK60S06K3LT6L1NQ
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 150-V (D-S) 175C MOSFE
详细描述:通孔 N 沟道 25A(Tc) 107W(Tc) TO-220AB
型号:
SQP25N15-52_GE3
仓库库存编号:
SQP25N15-52_GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 80V 30A 5LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Ta) 25W(Tc) LFPAK
型号:
HAT2279H-EL-E
仓库库存编号:
HAT2279H-EL-E-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 40A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 3W(Ta),136W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD40N10-25-T4-E3
仓库库存编号:
SUD40N10-25-T4-E3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Tc) 2.5W(Ta),4.4W(Tc) 8-SO
型号:
SI4636DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4636DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4636DY-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 6.2A(Tc) 3.1W(Ta),130W(Tc) TO-262-3
型号:
IRFBC40LPBF
仓库库存编号:
IRFBC40LPBF-ND
别名:*IRFBC40LPBF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 48A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 48A(Tc) 250W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA48N20T
仓库库存编号:
IXTA48N20T-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 48A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 48A(Tc) 250W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ48N20T
仓库库存编号:
IXTQ48N20T-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 250V 50A TO3P
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Ta) 150W(Tc) TO-3P
型号:
RJK2508DPK-00#T0
仓库库存编号:
RJK2508DPK-00#T0-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 3.5A(Tc) 40W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFIBC40G
仓库库存编号:
IRFIBC40G-ND
别名:*IRFIBC40G
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
含铅
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IXYS
MOSFET P-CH 100V 52A TO-247
详细描述:通孔 P 沟道 52A(Tc) 300W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH52P10P
仓库库存编号:
IXTH52P10P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 80A(Tc) 71W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N04S4L04ATMA1
仓库库存编号:
IPB80N04S4L04ATMA1TR-ND
别名:IPB80N04S4L-04
IPB80N04S4L-04-ND
SP000646180
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3-1
详细描述:通孔 N 沟道 40V 80A(Tc) 71W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N04S4L04AKSA1
仓库库存编号:
IPP80N04S4L04AKSA1-ND
别名:IPP80N04S4L-04
IPP80N04S4L-04-ND
SP000646198
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 77A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 77A(Tc) 158W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB77N06S212ATMA2
仓库库存编号:
IPB77N06S212ATMA2-ND
别名:SP001061294
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3-1
详细描述:通孔 N 沟道 40V 80A(Tc) 71W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI80N04S4L04AKSA1
仓库库存编号:
IPI80N04S4L04AKSA1-ND
别名:IPI80N04S4L-04
IPI80N04S4L-04-ND
SP000646192
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 90A(Tc) 115W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD90N04S3H4ATMA1
仓库库存编号:
IPD90N04S3H4ATMA1TR-ND
别名:IPD90N04S3-H4
IPD90N04S3-H4-ND
SP000415584
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 42A(Tc) 91W(Tc) D-Pak
型号:
AUIRFR48ZTRL
仓库库存编号:
AUIRFR48ZTRL-ND
别名:SP001520288
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 80A(Tc) 115W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N04S3H4ATMA1
仓库库存编号:
IPB80N04S3H4ATMA1TR-ND
别名:IPB80N04S3-H4
IPB80N04S3-H4-ND
SP000415564
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 40V 80A(Tc) 115W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI80N04S3H4AKSA1
仓库库存编号:
IPI80N04S3H4AKSA1-ND
别名:IPI80N04S3-H4
IPI80N04S3-H4-ND
SP000415630
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 40V 80A(Tc) 115W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N04S3H4AKSA1
仓库库存编号:
IPP80N04S3H4AKSA1-ND
别名:IPP80N04S3-H4
IPP80N04S3-H4-ND
SP000415702
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 650V 11A(Tc) 125W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI11N65C3XKSA1
仓库库存编号:
SPI11N65C3XKSA1-ND
别名:SP000680994
SPI11N65C3
SPI11N65C3-ND
SPI11N65C3IN
SPI11N65C3IN-ND
SPI11N65C3X
SPI11N65C3XK
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 650V 11A(Tc) 125W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP11N65C3XKSA1
仓库库存编号:
SPP11N65C3XKSA1-ND
别名:SP000681046
SPP11N65C3
SPP11N65C3-ND
SPP11N65C3BKSA1
SPP11N65C3IN
SPP11N65C3IN-ND
SPP11N65C3X
SPP11N65C3XK
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 650V 11A(Tc) 125W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI11N60C3XKSA1
仓库库存编号:
SPI11N60C3XKSA1-ND
别名:SP000680986
SPI11N60C3
SPI11N60C3BKSA1
SPI11N60C3IN
SPI11N60C3IN-ND
SPI11N60C3X
SPI11N60C3X-ND
SPI11N60C3XK
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 19A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 19A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB
型号:
STP23NM60N
仓库库存编号:
497-7517-5-ND
别名:497-7517-5
STP23NM60N-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
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