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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 6.2A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFBC40PBF
  仓库库存编号：IRFBC40PBF-ND
  别名：*IRFBC40PBF
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 8A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 40W（Tc） PG-TO220-FP
  
  型号：SPA08N80C3
  仓库库存编号：SPA08N80C3IN-ND
  别名：SP000216310
  SPA08N80C3IN
  SPA08N80C3X
  SPA08N80C3XK
  SPA08N80C3XKSA1
  SPA08N80C3XTIN
  SPA08N80C3XTIN-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 20A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 50W（Tc） TO-220FM
  
  型号：R6020ENX
  仓库库存编号：R6020ENX-ND
  别名：R6020ENXCT
  R6020ENXCT-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 19A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 19A（Tc） 239W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FDA18N50
  仓库库存编号：FDA18N50-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 48A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 48A（Tc） 250W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP48N20T
  仓库库存编号：IXTP48N20T-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 80A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 230W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA80N10T
  仓库库存编号：IXTA80N10T-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 12.5A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 12.5A（Tc） 170W（Tc） TO-220AB
  
  型号：FQP13N50
  仓库库存编号：FQP13N50-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 100V 52A TO-220
  详细描述：通孔 P 沟道 52A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP52P10P
  仓库库存编号：IXTP52P10P-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 290W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT8M100B
  仓库库存编号：APT8M100B-ND
  别名：APT8M100BMI
  APT8M100BMI-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 30A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 2.23W（Ta），40W（Tc） TO-220FM
  
  型号：RCX300N20
  仓库库存编号：RCX300N20-ND
  别名：RCX300N20CT
  RCX300N20CT-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 22A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 2.23W（Ta），40W（Tc） TO-220FM
  
  型号：RCX220N25
  仓库库存编号：RCX220N25-ND
  别名：RCX220N25CT
  RCX220N25CT-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 8A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 104W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：SPP08N80C3
  仓库库存编号：SPP08N80C3IN-ND
  别名：SP000013704
  SP000683156
  SPP08N80C3IN
  SPP08N80C3X
  SPP08N80C3XK
  SPP08N80C3XKSA1
  SPP08N80C3XTIN
  SPP08N80C3XTIN-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 33W（Tc） PG-TO220-3-31 整包
  
  型号：SPA11N60C3XKSA1
  仓库库存编号：SPA11N60C3XKSA1-ND
  别名：SP000216312
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 6.8A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 6.8A（Tc） 150W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFPC40PBF
  仓库库存编号：IRFPC40PBF-ND
  别名：*IRFPC40PBF
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 25A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 25A（Ta） 180W（Tc） TO-247
  
  型号：TK25N60X5,S1F
  仓库库存编号：TK25N60X5S1F-ND
  别名：TK25N60X5,S1F(S
  TK25N60X5S1F
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 25A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 25A（Ta） 180W（Tc） TO-220
  
  型号：TK25E60X5,S1X
  仓库库存编号：TK25E60X5S1X-ND
  别名：TK25E60X5,S1X(S
  TK25E60X5S1X
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 800V 11A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 156W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT11N80BC3G
  仓库库存编号：APT11N80BC3G-ND
  别名：APT11N80BC3GMI
  APT11N80BC3GMI-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 77A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 77A（Tc） 158W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP77N06S212AKSA2
  仓库库存编号：IPP77N06S212AKSA2-ND
  别名：SP001061292
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 105V 47A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 47A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PHP45NQ11T,127
  仓库库存编号：1727-4650-ND
  别名：1727-4650
  568-5767
  568-5767-5
  568-5767-5-ND
  568-5767-ND
  934058294127
  PHP45NQ11T
  PHP45NQ11T,127-ND
  PHP45NQ11T-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 35A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 80W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD35NF06T4
  仓库库存编号：497-3159-1-ND
  别名：497-3159-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 110W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB55NF06T4
  仓库库存编号：497-6553-1-ND
  别名：497-6553-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 27A POWER33
  详细描述：表面贴装 N 沟道 27A（Ta），108A（Tc） 2.9W（Ta），56W（Tc） Dual Cool ? 33
  
  型号：FDMC8321LDC
  仓库库存编号：FDMC8321LDCCT-ND
  别名：FDMC8321LDCCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 22A LPTS
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Tc） 1.56W（Ta），40W（Tc） LPTS（SC-83）
  
  型号：RCJ220N25TL
  仓库库存编号：RCJ220N25TLCT-ND
  别名：RCJ220N25TLCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 20A LPT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 40W（Tc） LPTS（D2PAK）
  
  型号：R6020ENJTL
  仓库库存编号：R6020ENJTLCT-ND
  别名：R6020ENJTLCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 10A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Tc） 143W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB10N50CFTM_WS
  仓库库存编号：FQB10N50CFTM_WSCT-ND
  别名：FQB10N50CFTM_WSCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 10V,
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