产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 125W(Tc) PG-TO247-3
型号:
SPW11N60C3
仓库库存编号:
SPW11N60C3IN-ND
别名:SP000013728
SPW11N60C3-ND
SPW11N60C3FKSA1
SPW11N60C3IN
SPW11N60C3X
SPW11N60C3XK
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 120W(Tc) TO-3PF
型号:
R6020ENZC8
仓库库存编号:
R6020ENZC8-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 20A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 120W(Tc) TO-247
型号:
R6020ENZ1C9
仓库库存编号:
R6020ENZ1C9-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 60A SO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 60A(Tc) 68W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJA82EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJA82EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJA82EP-T1_GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 100A(Tc) 132W(Tc) 8-SOP Advance(5x5)
型号:
TPH2R506PL,L1Q
仓库库存编号:
TPH2R506PLL1QCT-ND
别名:TPH2R506PLL1QCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 3.5A(Tc) 40W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFIBC40GPBF
仓库库存编号:
IRFIBC40GPBF-ND
别名:*IRFIBC40GPBF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 25A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 25A(Ta) 45W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK25A60X5,S5X
仓库库存编号:
TK25A60X5S5X-ND
别名:TK25A60X5,S5X(M
TK25A60X5S5X
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 140W(Tc) I2PAK
型号:
STI26NM60N
仓库库存编号:
497-12261-ND
别名:497-12261
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK FP
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 35W(Tc) I2PAKFP(TO-281)
型号:
STFI26NM60N
仓库库存编号:
497-12860-5-ND
别名:497-12860-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 70A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 45A(Ta),70A(Tc) 7.5W(Ta),60W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD510
仓库库存编号:
785-1481-1-ND
别名:785-1481-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 40V 23A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 23A(Ta),70A(Tc) 2.7W(Ta),150W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD240
仓库库存编号:
785-1347-1-ND
别名:785-1347-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 12A POWER56
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Ta),49A(Tc) 2.5W(Ta),104W(Tc) 8-PQFN(5x6),Power56
型号:
FDMS86103L
仓库库存编号:
FDMS86103LCT-ND
别名:FDMS86103LCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 80V 120A
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 4.8W(Ta), 140W(Tc) PowerFlat?(5x6)
型号:
STL120N8F7
仓库库存编号:
497-16116-1-ND
别名:497-16116-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 5.4W(Ta),83W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR882ADP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR882ADP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR882ADP-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 40A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 3.75W(Ta),166W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SUM40N15-38-E3
仓库库存编号:
SUM40N15-38-E3CT-ND
别名:SUM40N15-38-E3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 30A LPTS
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 1.56W(Ta),40W(Tc) LPTS
型号:
RCJ300N20TL
仓库库存编号:
RCJ300N20TLCT-ND
别名:RCJ300N20TLCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 33W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
SPA11N65C3XKSA1
仓库库存编号:
SPA11N65C3XKSA1-ND
别名:SP000216318
SPA11N65C3
SPA11N65C3IN
SPA11N65C3IN-ND
SPA11N65C3XK
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 5W(Ta),50W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR892DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR892DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR892DP-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 650V 15A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 15A(Tc) 36W(Tc) TO-220F
型号:
FCPF260N65FL1
仓库库存编号:
FCPF260N65FL1-ND
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 85A POWERFLAT5X6
详细描述:表面贴装 N 沟道 85A(Tc) 80W(Tc) PowerFlat?(6x5)
型号:
STL85N6F3
仓库库存编号:
497-10882-1-ND
别名:497-10882-1
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.2A(Tc) 3.1W(Ta),130W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBC40STRLPBF
仓库库存编号:
IRFBC40STRLPBFCT-ND
别名:IRFBC40STRLPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3-313
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 71W(Tc) PG-TO252-3-313
型号:
IPD90N04S4L04ATMA1
仓库库存编号:
IPD90N04S4L04ATMA1CT-ND
别名:IPD90N04S4L04ATMA1CT
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 50A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Tc) 110W(Tc) TO-220AB
型号:
STP55NF06
仓库库存编号:
497-2777-5-ND
别名:497-2777-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 16A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Tc) 170W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP17N40
仓库库存编号:
FQP17N40-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 26A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 26A(Tc) 265W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP26N40
仓库库存编号:
FDP26N40-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
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