产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 28A(Tc) 3.7W(Ta),150W(Tc) D2PAK(TO-263)
型号:
IRF540STRR
仓库库存编号:
IRF540STRR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 17A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 100V 17A(Tc) 48W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI540G
仓库库存编号:
IRFI540G-ND
别名:*IRFI540G
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 28A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 100V 28A(Tc) TO-262
型号:
IRF540L
仓库库存编号:
IRF540L-ND
别名:*IRF540L
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 116A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 18A(Ta),116A(Tc) 110W(Tc) TO-251
型号:
FDU8874
仓库库存编号:
FDU8874-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 121A TO-263AB
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 21A(Ta),121A(Tc) 110W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB8874
仓库库存编号:
FDB8874-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 26A PLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 26A(Tc) 460W(Tc) PLUS220
型号:
IXTV26N60P
仓库库存编号:
IXTV26N60P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 26A PLUS220-SMD
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 26A(Tc) 460W(Tc) PLUS-220SMD
型号:
IXTV26N60PS
仓库库存编号:
IXTV26N60PS-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 26A PLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 26A(Tc) 460W(Tc) PLUS220
型号:
IXFV26N60P
仓库库存编号:
IXFV26N60P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 26A PLUS220-SMD
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 26A(Tc) 460W(Tc) PLUS-220SMD
型号:
IXFV26N60PS
仓库库存编号:
IXFV26N60PS-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 16A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS8874
仓库库存编号:
FDS8874CT-ND
别名:FDS8874CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 20A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 20A(Tc) 3.1W(Ta) 8-SOIC
型号:
AO4728
仓库库存编号:
785-1316-1-ND
别名:785-1316-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 110A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 30V 110A(Tc) 100W(Tc) TO-220
型号:
AOT424
仓库库存编号:
AOT424-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 40V 21A TO262F
详细描述:通孔 N 沟道 40V 21A(Ta),83A(Tc) 2.1W(Ta),33.3W(Tc)
型号:
AOWF240
仓库库存编号:
AOWF240-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 200V 40A TO3PFM
详细描述:通孔 N 沟道 200V 40A(Ta) 60W(Tc) TO-3PFM
型号:
RJK2009DPM-00#T0
仓库库存编号:
RJK2009DPM-00#T0-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 16A D3PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 16A(Tc) 290W(Tc) D3Pak
型号:
APT15F60S
仓库库存编号:
APT15F60S-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 35A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 500V 35A(Tc) 403W(Tc) TO-247
型号:
APT5014SLLG/TR
仓库库存编号:
APT5014SLLG/TR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 900V 9A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 900V 9A(Tc) 89W(Tc) TO-220F
型号:
GP2M009A090FG
仓库库存编号:
GP2M009A090FG-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 900V 9A TO3PN
详细描述:通孔 N 沟道 900V 9A(Tc) 312W(Tc) TO-3PN
型号:
GP2M009A090NG
仓库库存编号:
GP2M009A090NG-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 18A 8DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 18A(Ta),80A(Tc) 2.1W(Ta),83W(Tc) 8-DFN(5x6)
型号:
AON6718L_101
仓库库存编号:
AON6718L_101-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 53A(Tc) 3.8W(Ta),107W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ46NS
仓库库存编号:
IRFZ46NS-ND
别名:*IRFZ46NS
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 53A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 55V 53A(Tc) 3.8W(Ta),107W(Tc) TO-262
型号:
IRFZ46NL
仓库库存编号:
IRFZ46NL-ND
别名:*IRFZ46NL
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 53A(Tc) 3.8W(Ta),107W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ46NSTRL
仓库库存编号:
IRFZ46NSTRL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 7A 8-TSSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 7A(Ta) 1.51W(Ta) 8-TSSOP
型号:
IRF7706
仓库库存编号:
IRF7706-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 7A 8-TSSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 7A(Ta) 1.51W(Ta) 8-TSSOP
型号:
IRF7706TR
仓库库存编号:
IRF7706TR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 30A(Tc) 136W(Tc) P-TO252-3
型号:
SPD30N08S2L-21
仓库库存编号:
SPD30N08S2L-21-ND
别名:SP000013152
SPD30N08S2L21T
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
含铅
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