产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 37A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),96W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC011N03LS
仓库库存编号:
BSC011N03LSCT-ND
别名:BSC011N03LSCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 2.5W(Ta),139W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC040N10NS5ATMA1
仓库库存编号:
BSC040N10NS5ATMA1CT-ND
别名:BSC040N10NS5ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 53A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 53A(Tc) 107W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFZ46NPBF
仓库库存编号:
IRFZ46NPBF-ND
别名:*IRFZ46NPBF
SP001571842
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD30N08S2L21ATMA1
仓库库存编号:
IPD30N08S2L21ATMA1CT-ND
别名:IPD30N08S2L-21CT
IPD30N08S2L-21CT-ND
IPD30N08S2L21ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 53A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 53A(Tc) 3.8W(Ta),107W(Tc) TO-262
型号:
IRFZ46NLPBF
仓库库存编号:
IRFZ46NLPBF-ND
别名:*IRFZ46NLPBF
SP001557896
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 53A(Tc) 3.8W(Ta),107W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ46NSTRLPBF
仓库库存编号:
IRFZ46NSTRLPBFCT-ND
别名:IRFZ46NSTRLPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 120A(Tc) 79W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB120N03S4L03ATMA1
仓库库存编号:
IPB120N03S4L03ATMA1-ND
别名:SP000936514
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 80A(Tc) 79W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
IPI80N06S4L07AKSA2
仓库库存编号:
IPI80N06S4L07AKSA2-ND
别名:SP001028678
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 17A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 17A(Ta) 2.5W(Ta),46W(Tc) DIRECTFET? M2
型号:
AUIRF7734M2TR
仓库库存编号:
AUIRF7734M2TR-ND
别名:SP001522286
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 53A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 55V 39A(Tc) 3.8W(Ta),107W(Tc) TO-262
型号:
AUIRFZ46NL
仓库库存编号:
AUIRFZ46NL-ND
别名:SP001521774
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 53A(Tc) 3.8W(Ta),107W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ46NS
仓库库存编号:
IRFZ46NS-ND
别名:*IRFZ46NS
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 53A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 55V 53A(Tc) 3.8W(Ta),107W(Tc) TO-262
型号:
IRFZ46NL
仓库库存编号:
IRFZ46NL-ND
别名:*IRFZ46NL
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 53A(Tc) 3.8W(Ta),107W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ46NSTRL
仓库库存编号:
IRFZ46NSTRL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 7A 8-TSSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 7A(Ta) 1.51W(Ta) 8-TSSOP
型号:
IRF7706
仓库库存编号:
IRF7706-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 7A 8-TSSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 7A(Ta) 1.51W(Ta) 8-TSSOP
型号:
IRF7706TR
仓库库存编号:
IRF7706TR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 30A(Tc) 136W(Tc) P-TO252-3
型号:
SPD30N08S2L-21
仓库库存编号:
SPD30N08S2L-21-ND
别名:SP000013152
SPD30N08S2L21T
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 7A 8-TSSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 7A(Ta) 1.51W(Ta) 8-TSSOP
型号:
IRF7706GTRPBF
仓库库存编号:
IRF7706GTRPBFCT-ND
别名:IRF7706GTRPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 145A 2WDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 27A(Ta),145A(Tc) 2.8W(Ta),78W(Tc) MG-WDSON-2,CanPAK M?
型号:
BSB024N03LX G
仓库库存编号:
BSB024N03LX G-ND
别名:SP000597838
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 5X6 PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 11A(Ta),63A(Tc) 3.6W(Ta),114W(Tc) PQFN(5x6)
型号:
IRFH5110TR2PBF
仓库库存编号:
IRFH5110TR2PBFCT-ND
别名:IRFH5110TR2PBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 7A 8-TSSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 7A(Ta) 1.51W(Ta) 8-TSSOP
型号:
IRF7706TRPBF
仓库库存编号:
IRF7706TRPBFCT-ND
别名:IRF7706TRPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 14A 8PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 14A(Ta),75A(Tc) 3.6W(Ta),104W(Tc) 8-PQFN(5x6)
型号:
IRFH7107TR2PBF
仓库库存编号:
IRFH7107TR2PBFCT-ND
别名:IRFH7107TR2PBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
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