产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 5V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 25V 30A(Tc) 52W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU10N03LA G
仓库库存编号:
IPU10N03LA G-ND
别名:IPU10N03LAGX
SP000017597
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 30A(Tc) 60W(Tc) P-TO251-3
型号:
IPU20N03L G
仓库库存编号:
IPU20N03L G-ND
别名:IPU20N03LGX
IPU20N03LGXK
SP000018246
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 11.9A(Ta),30A(Tc) 2.8W(Ta),43W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC119N03S G
仓库库存编号:
BSC119N03SGINCT-ND
别名:BSC119N03SG
BSC119N03SGINCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Tc) 52W(Tc) P-TO263-3
型号:
IPB13N03LB G
仓库库存编号:
IPB13N03LBGINCT-ND
别名:IPB13N03LBG
IPB13N03LBGINCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Tc) 52W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD12N03LB G
仓库库存编号:
IPD12N03LBGINCT-ND
别名:IPD12N03LBG
IPD12N03LBGINCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET NCH 55V 5A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 5A(Ta) 1W(Ta) SOT-223
型号:
AUIRLL024Z
仓库库存编号:
AUIRLL024Z-ND
别名:SP001520442
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 5V,
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