产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 8A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 500V 8A(Tc) 120W(Tc) I-Pak
型号:
GP1M008A050PG
仓库库存编号:
GP1M008A050PG-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 8A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 8A(Tc) 120W(Tc) D-Pak
型号:
GP1M008A050CG
仓库库存编号:
1560-1167-1-ND
别名:1560-1167-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 8A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 500V 8A(Tc) 39W(Tc) TO-220F
型号:
GP1M008A050FG
仓库库存编号:
1560-1168-5-ND
别名:1560-1168-1
1560-1168-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 8A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 500V 8A(Tc) 120W(Tc) TO-220
型号:
GP1M008A050HG
仓库库存编号:
1560-1169-5-ND
别名:1560-1169-1
1560-1169-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 8A 8DFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 8A(Ta) 2.5W(Ta) 8-DFN(3x2)
型号:
AON4421_001
仓库库存编号:
AON4421_001-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 40V 2.5A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 40V 2.5A(Ta) 2W(Ta) Micro6?(TSOP-6)
型号:
IRF5804
仓库库存编号:
IRF5804-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 40V 2.5A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 40V 2.5A(Ta) 2W(Ta) Micro6?(TSOP-6)
型号:
IRF5804TR
仓库库存编号:
IRF5804TR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 9.7A TO-251
详细描述:通孔 P 沟道 60V 9.7A(Tc) 42W(Tc) PG-TO251-3
型号:
SPU09P06PL
仓库库存编号:
SPU09P06PLIN-ND
别名:SP000012876
SPU09P06PLIN
SPU09P06PLX
SPU09P06PLXTIN
SPU09P06PLXTIN-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 9.7A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 9.7A(Tc) 42W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD09P06PL
仓库库存编号:
SPD09P06PLINCT-ND
别名:SPD09P06PLINCT
SPD09P06PLXTINCT
SPD09P06PLXTINCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 110V 12.5A SOT186A
详细描述:通孔 N 沟道 110V 12.5A(Tc) 31.2W(Tc) TO-220-3
型号:
PHX18NQ11T,127
仓库库存编号:
PHX18NQ11T,127-ND
别名:934057815127
PHX18NQ11T
PHX18NQ11T-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 18A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 18A(Tc) 79W(Tc) DPAK
型号:
PHD18NQ10T,118
仓库库存编号:
PHD18NQ10T,118-ND
别名:934055700118
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 30A(Tc) 36W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD30N06S4L23ATMA1
仓库库存编号:
IPD30N06S4L23ATMA1TR-ND
别名:IPD30N06S4L-23
IPD30N06S4L-23-ND
SP000374320
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
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