产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22.4nC @ 10V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - FET,MOSFET - 单
筛选品牌
Diodes Incorporated (7)
Infineon Technologies (1)
Rohm Semiconductor (1)
Taiwan Semiconductor Corporation (4)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 45V 4.8A TSOT26
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.8A(Ta) 1.2W(Ta) TSOT-26
型号:
DMN4060SVT-7
仓库库存编号:
DMN4060SVT-7DICT-ND
别名:DMN4060SVT-7DICT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22.4nC @ 10V,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N CH 60V 5.5A 8-SO
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.5A(Ta) 1.5W(Ta) 8-SO
型号:
DMN6040SSS-13
仓库库存编号:
DMN6040SSS-13DICT-ND
别名:DMN6040SSS-13DICT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22.4nC @ 10V,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 5.3A U-DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.3A(Ta) 660mW(Ta) U-DFN2020-6(E 类)
型号:
DMN6040SFDE-7
仓库库存编号:
DMN6040SFDE-7DICT-ND
别名:DMN6040SFDE-7DICT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22.4nC @ 10V,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N CH 60V 5A TSOT26
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Ta) 1.2W(Ta) TSOT-26
型号:
DMN6040SVT-7
仓库库存编号:
DMN6040SVT-7DICT-ND
别名:DMN6040SVT-7DICT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22.4nC @ 10V,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -60V,
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 20A(Tc) 66W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM480P06CP ROG
仓库库存编号:
TSM480P06CP ROGTR-ND
别名:TSM480P06CP ROGTR
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22.4nC @ 10V,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -60V,
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 20A(Tc) 66W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM480P06CP ROG
仓库库存编号:
TSM480P06CP ROGCT-ND
别名:TSM480P06CP ROGCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22.4nC @ 10V,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -60V,
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 20A(Tc) 66W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM480P06CP ROG
仓库库存编号:
TSM480P06CP ROGDKR-ND
别名:TSM480P06CP ROGDKR
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22.4nC @ 10V,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 5A TSOT26
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Ta) 1.2W(Ta) TSOT-26
型号:
DMN6040SVTQ-7
仓库库存编号:
DMN6040SVTQ-7DICT-ND
别名:DMN6040SVTQ-7DICT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22.4nC @ 10V,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 18A 8-HSMT
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Ta) 2W(Ta) 8-HSMT(3.2x3)
型号:
RQ3E180GNTB
仓库库存编号:
RQ3E180GNTBCT-ND
别名:RQ3E180GNTBCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22.4nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 46W(Tc) PG-TO252-3-313
型号:
IPD50N04S408ATMA1
仓库库存编号:
IPD50N04S408ATMA1CT-ND
别名:IPD50N04S408ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22.4nC @ 10V,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N CH 60V 20A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Ta) 42W(Tc) TO-252-3
型号:
DMN6040SK3-13
仓库库存编号:
DMN6040SK3-13DICT-ND
别名:DMN6040SK3-13DICT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22.4nC @ 10V,
含铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -60V,
详细描述:通孔 P 沟道 20A(Tc) 66W(Tc) TO-251(IPAK)
型号:
TSM480P06CH X0G
仓库库存编号:
TSM480P06CH X0G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22.4nC @ 10V,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET NCH 60V 5A TSOT26
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Ta) 1.2W(Ta) TSOT-26
型号:
DMN6040SVTQ-13
仓库库存编号:
DMN6040SVTQ-13-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22.4nC @ 10V,
无铅
搜索
1
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号