产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 41nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 25A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 25A(Tc) 48W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB25N06S3-25
仓库库存编号:
IPB25N06S3-25-ND
别名:IPB25N06S325XT
SP000088000
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 41nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 25A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 55V 25A(Tc) 48W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI25N06S3-25
仓库库存编号:
IPI25N06S3-25IN-ND
别名:IPI25N06S3-25-ND
IPI25N06S3-25IN
IPI25N06S325X
IPI25N06S325XK
SP000087997
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 41nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 25A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 55V 25A(Tc) 48W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP25N06S325XK
仓库库存编号:
IPP25N06S325XK-ND
别名:IPP25N06S3-25
IPP25N06S3-25-ND
IPP25N06S3-25IN
IPP25N06S3-25IN-ND
IPP25N06S325X
SP000088001
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 41nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 22A 8VQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 22A(Ta),79A(Tc) 3.6W(Ta),46W(Tc) PQFN(5x6)单芯片焊盘
型号:
IRFH5304TR2PBF
仓库库存编号:
IRFH5304TR2PBFCT-ND
别名:IRFH5304TR2PBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 41nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 9.8A 8SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 9.8A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF9332PBF
仓库库存编号:
IRF9332PBF-ND
别名:SP001563824
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 41nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 21A 5X6 PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 27A(Ta),120A(Tc) 3.6W(Ta),59W(Tc) PQFN(5x6)
型号:
IRFH8318TR2PBF
仓库库存编号:
IRFH8318TR2PBFCT-ND
别名:IRFH8318TR2PBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 41nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 45A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 7.4A(Ta),45A(Tc) 76W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC205N10LS G
仓库库存编号:
BSC205N10LS GCT-ND
别名:BSC205N10LS GCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 41nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 34V 19A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 34V 19A(Ta),98A(Tc) 2.5W(Ta),57W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC883N03MSGATMA1
仓库库存编号:
BSC883N03MSGATMA1CT-ND
别名:BSC883N03MS GCT
BSC883N03MS GCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 41nC @ 10V,
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