产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置,规格:电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 2.2k,
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晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 40V 600mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
型号:
PBRN123EK,115
仓库库存编号:
PBRN123EK,115-ND
别名:934058958115
PBRN123EK T/R
PBRN123EK T/R-ND
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置,规格:电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 2.2k,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 0.7W TO92-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 40V 800mA 700mW Through Hole TO-92-3
型号:
PBRN123ES,126
仓库库存编号:
PBRN123ES,126-ND
别名:934059134126
PBRN123ES AMO
PBRN123ES AMO-ND
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置,规格:电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 2.2k,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 800mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号:
PBRP123ES,126
仓库库存编号:
PBRP123ES,126-ND
别名:934059133126
PBRP123ES AMO
PBRP123ES AMO-ND
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置,规格:电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 2.2k,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号:
PDTA123ES,126
仓库库存编号:
PDTA123ES,126-ND
别名:934057559126
PDTA123ES AMO
PDTA123ES AMO-ND
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置,规格:电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 2.2k,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
型号:
PDTB123EK,115
仓库库存编号:
PDTB123EK,115-ND
别名:934058966115
PDTB123EK T/R
PDTB123EK T/R-ND
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置,规格:电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 2.2k,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号:
PDTC123ES,126
仓库库存编号:
PDTC123ES,126-ND
别名:934057568126
PDTC123ES AMO
PDTC123ES AMO-ND
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置,规格:电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 2.2k,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP SOT23
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 100MHz 330mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号:
BCR503E6393HTSA1
仓库库存编号:
BCR503E6393HTSA1-ND
别名:SP000010840
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