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• Nexperia USA Inc.
  TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666
  
  型号：PEMH13,115
  仓库库存编号：1727-1725-6-ND
  别名：1727-1725-6
  568-11267-6
  568-11267-6-ND
  
  产品分类：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
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• Nexperia USA Inc.
  TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666
  
  型号：PEMH10,115
  仓库库存编号：1727-1723-1-ND
  别名：1727-1723-1
  568-11265-1
  568-11265-1-ND
  
  产品分类：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
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• Nexperia USA Inc.
  TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666
  
  型号：PEMH10,115
  仓库库存编号：1727-1723-6-ND
  别名：1727-1723-6
  568-11265-6
  568-11265-6-ND
  
  产品分类：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
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• Nexperia USA Inc.
  TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666
  
  型号：PEMD12,115
  仓库库存编号：1727-2155-1-ND
  别名：1727-2155-1
  568-11970-1
  568-11970-1-ND
  568-12316-1-ND
  
  产品分类：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 200mW Surface Mount US6
  
  型号：RN4988(T5L,F,T)
  仓库库存编号：RN4988(T5LFT)CT-ND
  别名：RN4988(T5LFT)CT
  
  产品分类：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
  
  型号：RN1908FE(TE85L,F)
  仓库库存编号：RN1908FE(TE85LF)CT-ND
  别名：RN1908FE(TE85LF)CT
  
  产品分类：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
  
  型号：RN2908FE(TE85L,F)
  仓库库存编号：RN2908FE(TE85LF)CT-ND
  别名：RN2908FE(TE85LF)CT
  
  产品分类：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6
  
  型号：RN1968(TE85L,F)
  仓库库存编号：RN1968(TE85LF)CT-ND
  别名：RN1968(TE85LF)CT
  
  产品分类：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 300mW Surface Mount SM6
  
  型号：RN2604(TE85L,F)
  仓库库存编号：RN2604(TE85LF)CT-ND
  别名：RN2604(TE85LF)CT
  
  产品分类：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
  
  型号：RN2967(TE85L,F)
  仓库库存编号：RN2967(TE85LF)CT-ND
  别名：RN2967(TE85LF)CT
  
  产品分类：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 200mW Surface Mount US6
  
  型号：RN4986(T5L,F,T)
  仓库库存编号：RN4986(T5LFT)CT-ND
  别名：RN4986(T5LFT)CT
  
  产品分类：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
  
  型号：RN2905T5LFT
  仓库库存编号：RN2905T5LFTCT-ND
  别名：RN2905T5LFTCT
  
  产品分类：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
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• Diodes Incorporated
  TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-363
  
  型号：DDC143ZU-7-F
  仓库库存编号：DDC143ZU-7-FDICT-ND
  别名：DDC143ZU-7-FDICT
  
  产品分类：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6
  
  型号：RN1964TE85LF
  仓库库存编号：RN1964TE85LFCT-ND
  别名：RN1964TE85LFCT
  
  产品分类：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
  
  型号：RN2906FE(TE85L,F)
  仓库库存编号：RN2906FE(TE85LF)CT-ND
  别名：RN2906FE(TE85LF)CT
  
  产品分类：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6
  
  型号：RN1908(T5L,F,T)
  仓库库存编号：RN1908(T5LFT)CT-ND
  别名：RN1908(T5LFT)CT
  
  产品分类：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6
  
  型号：RN1905(T5L,F,T)
  仓库库存编号：RN1905(T5LFT)CT-ND
  别名：RN1905(T5LFT)CT
  
  产品分类：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 200MHz 300mW Surface Mount SMV
  
  型号：RN2505TE85LF
  仓库库存编号：RN2505TE85LFCT-ND
  别名：RN2505TE85LFCT
  
  产品分类：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
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• Diodes Incorporated
  TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W SOT363
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-363
  
  型号：DDA114YU-7
  仓库库存编号：DDA114YUDICT-ND
  别名：DDA114YU7
  DDA114YUDICT
  
  产品分类：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
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• Rohm Semiconductor
  TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMT5
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT5
  
  型号：FMG11AT148
  仓库库存编号：FMG11AT148CT-ND
  别名：FMG11AT148CT
  
  产品分类：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
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• Rohm Semiconductor
  TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT5
  
  型号：UMG2NTR
  仓库库存编号：UMG2NCT-ND
  别名：UMG2NCT
  
  产品分类：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
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• Panasonic Electronic Components
  TRANS PREBIAS DUAL PNP SMINI6
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 80MHz 150mW Surface Mount SMINI6-G1
  
  型号：XP0611300L
  仓库库存编号：XP0611300LCT-ND
  别名：XP0611300LCT
  
  产品分类：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
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• Rohm Semiconductor
  TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
  
  型号：EMH9T2R
  仓库库存编号：EMH9T2RCT-ND
  别名：EMH9T2RCT
  
  产品分类：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
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• Rohm Semiconductor
  TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
  
  型号：EMH6T2R
  仓库库存编号：EMH6T2RCT-ND
  别名：EMH6T2RCT
  
  产品分类：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ESV
  
  型号：RN2704JE(TE85L,F)
  仓库库存编号：RN2704JE(TE85LF)CT-ND
  别名：RN2704JE(TE85LF)CT
  
  产品分类：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
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