产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格:电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 47k,
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晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SM6
型号:
RN1673(TE85L,F)
仓库库存编号:
RN1673(TE85LF)CT-ND
别名:RN1673(TE85LF)CT
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格:电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 47k,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
型号:
RN2904FE(T5L,F,T)
仓库库存编号:
RN2904FE(T5LFT)CT-ND
别名:RN2904FE(T5LFT)CT
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格:电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 47k,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
型号:
RN2964FE(TE85L,F)
仓库库存编号:
RN2964FE(TE85LF)CT-ND
别名:RN2964FE(TE85LF)CT
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格:电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 47k,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
型号:
RN2969FE(TE85L,F)
仓库库存编号:
RN2969FE(TE85LF)CT-ND
别名:RN2969FE(TE85LF)CT
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格:电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 47k,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
型号:
RN2904(T5L,F,T)
仓库库存编号:
RN2904(T5LFT)CT-ND
别名:RN2904(T5LFT)CT
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格:电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 47k,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
型号:
RN2908(T5L,F,T)
仓库库存编号:
RN2908(T5LFT)CT-ND
别名:RN2908(T5LFT)CT
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格:电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 47k,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
型号:
RN2909(T5L,F,T)
仓库库存编号:
RN2909(T5LFT)CT-ND
别名:RN2909(T5LFT)CT
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格:电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 47k,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
型号:
RN4904(T5L,F,T)
仓库库存编号:
RN4904(T5LFT)CT-ND
别名:RN4904(T5LFT)CT
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格:电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 47k,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
型号:
RN4909(T5L,F,T)
仓库库存编号:
RN4909(T5LFT)CT-ND
别名:RN4909(T5LFT)CT
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格:电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 47k,
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Infineon Technologies
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 100MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号:
BCR148SE6327BTSA1
仓库库存编号:
BCR148SE6327BTSA1TR-NDTR-ND
别名:BCR 148S E6327
BCR 148S E6327-ND
BCR148SE6327XT
SP000012338
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格:电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 47k,
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Infineon Technologies
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 100MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号:
BCR148SE6433HTMA1
仓库库存编号:
BCR148SE6433HTMA1TR-NDTR-ND
别名:BCR 148S E6433
BCR 148S E6433-ND
BCR148SE6433XT
SP000012339
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格:电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 47k,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 190MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号:
BCR198SE6327BTSA1
仓库库存编号:
BCR198SE6327BTSA1TR-ND
别名:BCR 198S E6327
BCR 198S E6327-ND
BCR198SE6327XT
SP000010822
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格:电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 47k,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 100MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号:
BCR 148S H6827
仓库库存编号:
BCR 148S H6827-ND
别名:SP000756266
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格:电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 47k,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 190MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号:
BCR198SH6827XTSA1
仓库库存编号:
BCR198SH6827XTSA1-ND
别名:BCR 198S H6827
BCR 198S H6827-ND
SP000757908
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格:电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 47k,
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