产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 60A(Tc) 6.25W(Ta),104W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7141DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7141DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7141DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 28A(Tc) 5.2W(Ta),83.3W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7469DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7469DP-T1-E3CT-ND
别名:SI7469DP-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 6.25W(Ta),104W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7164DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7164DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7164DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 11A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 11A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7463DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7463DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7463DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 11A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 11A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7463DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7463DP-T1-E3CT-ND
别名:SI7463DP-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 26A(Tc) 5.2W(Ta),64W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7430DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7430DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7430DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 5.4W(Ta),83W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR882DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR882DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR882DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 7.7A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.7A(Tc) 3.1W(Ta),5.9W(Tc) 8-SO
型号:
SI4472DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4472DY-T1-E3CT-ND
别名:SI4472DY-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 28A(Tc) 5.2W(Ta),83W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7489DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7489DP-T1-E3CT-ND
别名:SI7489DP-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 6.25W(Ta),104W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR880DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR880DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR880DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 6.25W(Ta),104W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR470DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR470DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR470DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 6.25W(Ta),104W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR826DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR826DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR826DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 5.2W(Ta),69W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7790DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7790DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7790DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 12V 60A PPAK SO-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 12V 60A 46W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号:
SI7234DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7234DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7234DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF840PBF
仓库库存编号:
IRF840PBF-ND
别名:*IRF840PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF640PBF
仓库库存编号:
IRF640PBF-ND
别名:*IRF640PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 75V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 6.25W(Ta),104W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7174DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7174DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7174DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 6.25W(Ta),104W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7192DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7192DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7192DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 10A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF740PBF
仓库库存编号:
IRF740PBF-ND
别名:*IRF740PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 150V 3A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 3A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7439DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7439DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7439DP-T1-GE3CT
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.2A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7431DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7431DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7431DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.2A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7431DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7431DP-T1-E3CT-ND
别名:SI7431DP-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 20A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 150W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP240PBF
仓库库存编号:
IRFP240PBF-ND
别名:*IRFP240PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Semiconductor Diodes Division
MOD BRIDGE 1PH 8A D-72
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 200V 8A Through Hole D-72
型号:
VS-KBPC802PBF
仓库库存编号:
VS-KBPC802PBFGI-ND
别名:VS-KBPC802PBF-ND
VS-KBPC802PBFGI
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Semiconductor Diodes Division
RECT BRIDGE 600V 35A PWR BRIDGE
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 600V 35A Through Hole isoCINK+? PB
型号:
PB3506-E3/45
仓库库存编号:
PB3506-E3/45GI-ND
别名:PB3506-E3/45-ND
PB3506-E3/45GI
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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