产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 1.7A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.7A(Ta) 1.5W(Ta) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7820DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7820DN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7820DN-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 5.6A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.6A(Ta) 1.5W(Ta) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7414DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7414DN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7414DN-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 5.6A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.6A(Ta) 1.5W(Ta) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7414DN-T1-E3
仓库库存编号:
SI7414DN-T1-E3CT-ND
别名:SI7414DN-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.2A(Ta) 1.5W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7465DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7465DP-T1-E3CT-ND
别名:SI7465DP-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4A 3.12W Surface Mount 1206-8 ChipFET?
型号:
SI5902BDC-T1-GE3
仓库库存编号:
SI5902BDC-T1-GE3CT-ND
别名:SI5902BDC-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 12A PPAK CHIPFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Tc) 3.1W(Ta),31W(Tc) 8-PowerPak? ChipFet(3x1.9)
型号:
SI5476DU-T1-GE3
仓库库存编号:
SI5476DU-T1-GE3CT-ND
别名:SI5476DU-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.2A(Ta) 1.5W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7465DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7465DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7465DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 45A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 45A(Tc) 2.1W(Ta),41.7W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD45P03-09-GE3
仓库库存编号:
SUD45P03-09-GE3CT-ND
别名:SUD45P03-09-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 18A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Tc) 3.8W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7322DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7322DN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7322DN-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 29A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 29A(Tc) 3.5W(Ta),7.8W(Tc) 8-SO
型号:
SI4459ADY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4459ADY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4459ADY-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 3.1W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4922BDY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4922BDY-T1-E3CT-ND
别名:SI4922BDY-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 4.4A 1.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET?
型号:
SI5908DC-T1-E3
仓库库存编号:
SI5908DC-T1-E3CT-ND
别名:SI5908DC-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 40V 9.2A 8SO
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 9.2A 3.1W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4288DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4288DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4288DY-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 4.6W(Ta),27.7W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR802DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR802DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR802DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 5.2W(Ta),69W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR464DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR464DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR464DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 47A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 47A(Tc) 4.2W(Ta),36W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7848BDP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7848BDP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7848BDP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 47A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 47A(Tc) 4.2W(Ta),36W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7848BDP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7848BDP-T1-E3CT-ND
别名:SI7848BDP-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 6.4A 1212-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 6.4A(Ta) 1.5W(Ta) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7421DN-T1-E3
仓库库存编号:
SI7421DN-T1-E3CT-ND
别名:SI7421DN-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Semiconductor Diodes Division
RECTIFIER BRIDGE 1.5A 400V WOG
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 400V 1.5A Through Hole WOG
型号:
W04G-E4/51
仓库库存编号:
W04G-E4/51GI-ND
别名:W04G-E4/1
W04G-E4/1-ND
W04G-E4/1GI
W04G-E4/1GI-ND
W04G-E4/1TR
W04G-E4/1TR-ND
W04G-E4/51GI
W04GE451
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 36A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 36A(Tc) 3.5W(Ta),7.8W(Tc) 8-SO
型号:
SI4154DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4154DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4154DY-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Ta) 5.4W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7336ADP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7336ADP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7336ADP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Ta) 5.4W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7336ADP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7336ADP-T1-E3CT-ND
别名:SI7336ADP-T1-E3CT
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 50A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 50A(Tc) 2.5W(Ta),73.5W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD50P04-08-GE3
仓库库存编号:
SUD50P04-08-GE3CT-ND
别名:SUD50P04-08-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 20A 15.6W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号:
SI7288DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7288DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7288DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 13.5A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 13.5A(Ta) 1.5W(Ta) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7110DN-T1-E3
仓库库存编号:
SI7110DN-T1-E3CT-ND
别名:SI7110DN-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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