产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 2A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) D-Pak
型号:
IRFRC20TR
仓库库存编号:
IRFRC20TR-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 5.6A I-PAK
详细描述:通孔 P 沟道 100V 5.6A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) TO-251AA
型号:
IRFU9120
仓库库存编号:
IRFU9120-ND
别名:*IRFU9120
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 5.2A TO220FP
详细描述:通孔 P 沟道 100V 5.2A(Tc) 37W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI9520G
仓库库存编号:
IRFI9520G-ND
别名:*IRFI9520G
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 2.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 2.2A(Tc) 3.1W(Ta),50W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBC20S
仓库库存编号:
IRFBC20S-ND
别名:*IRFBC20S
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 2A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 600V 2A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) TO-251AA
型号:
IRFUC20
仓库库存编号:
IRFUC20-ND
别名:*IRFUC20
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 2.2A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 600V 2.2A(Tc) 3.1W(Ta),50W(Tc) I2PAK
型号:
IRFBC20L
仓库库存编号:
IRFBC20L-ND
别名:*IRFBC20L
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 6.8A TO-262
详细描述:通孔 P 沟道 100V 6.8A(Tc) I2PAK
型号:
IRF9520L
仓库库存编号:
IRF9520L-ND
别名:*IRF9520L
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 6.8A(Tc) 3.7W(Ta),60W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9520STRR
仓库库存编号:
IRF9520STRR-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 2.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 2.2A(Tc) 3.1W(Ta),50W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBC20STRL
仓库库存编号:
IRFBC20STRL-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 2.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 2.2A(Tc) 3.1W(Ta),50W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBC20STRR
仓库库存编号:
IRFBC20STRR-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 5.6A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9120TRR
仓库库存编号:
IRFR9120TRR-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 2A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) D-Pak
型号:
IRFRC20TRL
仓库库存编号:
IRFRC20TRL-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 2A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) D-Pak
型号:
IRFRC20TRR
仓库库存编号:
IRFRC20TRR-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 2.2A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 600V 2.2A(Tc) 3.1W(Ta),50W(Tc) TO-262-3
型号:
IRFBC20LPBF
仓库库存编号:
IRFBC20LPBF-ND
别名:*IRFBC20LPBF
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 5A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 5A(Ta) 1.14W(Ta) 6-TSOP
型号:
SI3424DV-T1-E3
仓库库存编号:
SI3424DV-T1-E3CT-ND
别名:SI3424DV-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 0.95A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 200V 950mA(Tc) 2W(Ta),3.2W(Tc) 6-TSOP
型号:
SI3475DV-T1-E3
仓库库存编号:
SI3475DV-T1-E3CT-ND
别名:SI3475DV-T1-E3CT
SI3475DVT1E3
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 8A 2.8W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4952DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4952DY-T1-GE3TR-ND
别名:SI4952DY-T1-GE3TR
SI4952DYT1GE3
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 0.95A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 200V 950mA(Tc) 2W(Ta),3.2W(Tc) 6-TSOP
型号:
SI3475DV-T1-GE3
仓库库存编号:
SI3475DV-T1-GE3CT-ND
别名:SI3475DV-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 1A HEXDIP
详细描述:通孔 P 沟道 100V 1A(Ta) 4-HVMDIP
型号:
IRFD9123PBF
仓库库存编号:
IRFD9123PBF-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 5A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 5A(Ta) 1.14W(Ta) 6-TSOP
型号:
SI3424DV-T1-GE3
仓库库存编号:
SI3424DV-T1-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 8A 2.8W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4952DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4952DY-T1-E3-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 1A 4-DIP
详细描述:通孔 P 沟道 100V 1A(Ta) 4-HVMDIP
型号:
IRFD9123
仓库库存编号:
IRFD9123-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 20A(Tc) 3.8W(Ta),50W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SIS334DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SIS334DN-T1-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
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