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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE SCHOTTKY .6A 40V AXIAL
  详细描述：肖特基 通孔 二极管 40V 600mA MPG06
  
  型号：SB040-E3/100
  仓库库存编号：SB040-E3/100-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带盒（TB） ,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE SCHOTTKY .6A 40V AXIAL
  详细描述：肖特基 通孔 二极管 40V 600mA MPG06
  
  型号：SB040-E3/53
  仓库库存编号：SB040-E3/53-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带盒（TB） ,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE RECT GPP 1A 600V DO-204AL
  详细描述：标准 通孔 二极管 600V 1A DO-204AL（DO-41）
  
  型号：SBYV26CHM3/73
  仓库库存编号：SBYV26CHM3/73-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带盒（TB） ,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE RECT GPP 1A 600V DO-204AL
  详细描述：标准 通孔 二极管 600V 1A DO-204AL（DO-41）
  
  型号：SBYV26C-M3/73
  仓库库存编号：SBYV26C-M3/73-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带盒（TB） ,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE SCHOTTKY 40V 2A DO204A
  详细描述：肖特基 通孔 二极管 40V 2A DO-204AL
  
  型号：VS-21DQ04TB
  仓库库存编号：VS-21DQ04TB-ND
  别名：VS21DQ04TB
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带盒（TB） ,
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• CEL
  HJ-FET 13DB S01
  详细描述：RF Mosfet HFET 2V 10mA 12GHz 13dB SMD
  
  型号：NE4210S01-T1B
  仓库库存编号：NE4210S01-T1B-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带盒（TB） ,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE GEN PURP 2KV 250MA DO204AL
  详细描述：标准 通孔 二极管 2000V 250mA DO-204AL（DO-41）
  
  型号：GI250-2-M3/73
  仓库库存编号：GI250-2-M3/73-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带盒（TB） ,
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• NXP USA Inc.
  JFET N-CH 30V 15MA TO92
  详细描述：RF Mosfet N-Channel JFET 15V 100MHz TO-92-3
  
  型号：BF245B,126
  仓库库存编号：BF245B,126-ND
  别名：933114330126
  BF245B AMO
  BF245B AMO-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带盒（TB） ,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 200V 300MA SOT54
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 300mA（Ta） 1W（Ta） TO-92-3
  
  型号：BS108,126
  仓库库存编号：BS108,126-ND
  别名：934003840126
  BS108 AMO
  BS108 AMO-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带盒（TB） ,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 200V 300MA SOT54
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 300mA（Ta） 1W（Ta） TO-92-3
  
  型号：BS108/01,126
  仓库库存编号：BS108/01,126-ND
  别名：934009850126
  BS108/01 AMO
  BS108/01 AMO-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带盒（TB） ,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 250V 310MA SOT54
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 310mA（Ta） 1W（Ta） TO-92-3
  
  型号：BSN254,126
  仓库库存编号：BSN254,126-ND
  别名：934004930126
  BSN254 AMO
  BSN254 AMO-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带盒（TB） ,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 250V 310MA SOT54
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 310mA（Ta） 1W（Ta） TO-92-3
  
  型号：BSN254A,126
  仓库库存编号：BSN254A,126-ND
  别名：934003960126
  BSN254A AMO
  BSN254A AMO-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带盒（TB） ,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 300V 300MA SOT54
  详细描述：通孔 N 沟道 300V 300mA（Ta） 1W（Ta） TO-92-3
  
  型号：BSN304,126
  仓库库存编号：BSN304,126-ND
  别名：934023530126
  BSN304 AMO
  BSN304 AMO-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带盒（TB） ,
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• NXP USA Inc.
  THYRISTOR 200V 0.8A SOT54
  详细描述：SCR 200V 800mA Sensitive Gate Through Hole TO-92-3
  
  型号：BT149B,126
  仓库库存编号：BT149B,126-ND
  别名：933552420126
  BT149B AMO
  BT149B AMO-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带盒（TB） ,
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• NXP USA Inc.
  JFET N-CH 25V 0.4W SOT54
  详细描述：JFET N-Channel 25V 400mW Through Hole TO-92-3
  
  型号：J109,126
  仓库库存编号：J109,126-ND
  别名：934003860126
  J109 AMO
  J109 AMO-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带盒（TB） ,
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• NXP USA Inc.
  TRANS NPN 80V 0.5A SOT54
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 500mA 100MHz 625mW Through Hole TO-92-3
  
  型号：MPSA06,126
  仓库库存编号：MPSA06,126-ND
  别名：933498980126
  MPSA06 AMO
  MPSA06 AMO-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带盒（TB） ,
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• NXP USA Inc.
  TRANS NPN 300V 0.1A SOT54
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 300V 100mA 50MHz 500mW Through Hole TO-92-3
  
  型号：MPSA42,126
  仓库库存编号：MPSA42,126-ND
  别名：933274320126
  MPSA42 AMO
  MPSA42 AMO-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带盒（TB） ,
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• NXP USA Inc.
  TRANS PNP 300V 0.1A SOT54
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 300V 100mA 50MHz 625mW Through Hole TO-92-3
  
  型号：MPSA92,126
  仓库库存编号：MPSA92,126-ND
  别名：933431190126
  MPSA92 AMO
  MPSA92 AMO-ND
  
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• NXP USA Inc.
  TRANS NPN 40V 1A SOT54
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 40V 1A 150MHz 830mW Through Hole TO-92-3
  
  型号：PBSS4140S,126
  仓库库存编号：PBSS4140S,126-ND
  别名：934056903126
  PBSS4140S AMO
  PBSS4140S AMO-ND
  
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• NXP USA Inc.
  TRANS PNP 40V 1A SOT54
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 40V 1A 150MHz 830mW Through Hole TO-92-3
  
  型号：PBSS5140S,126
  仓库库存编号：PBSS5140S,126-ND
  别名：934056904126
  PBSS5140S AMO
  PBSS5140S AMO-ND
  
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  TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
  
  型号：PDTA114ES,126
  仓库库存编号：PDTA114ES,126-ND
  别名：934047380126
  PDTA114ES AMO
  PDTA114ES AMO-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带盒（TB） ,
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• NXP USA Inc.
  TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
  
  型号：PDTA114TS,126
  仓库库存编号：PDTA114TS,126-ND
  别名：934047390126
  PDTA114TS AMO
  PDTA114TS AMO-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带盒（TB） ,
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• NXP USA Inc.
  TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
  
  型号：PDTA124ES,126
  仓库库存编号：PDTA124ES,126-ND
  别名：934047370126
  PDTA124ES AMO
  PDTA124ES AMO-ND
  
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• NXP USA Inc.
  TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
  
  型号：PDTA144ES,126
  仓库库存编号：PDTA144ES,126-ND
  别名：934047350126
  PDTA144ES AMO
  PDTA144ES AMO-ND
  
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• NXP USA Inc.
  TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3
  
  型号：PDTB113ES,126
  仓库库存编号：PDTB113ES,126-ND
  别名：934059144126
  PDTB113ES AMO
  PDTB113ES AMO-ND
  
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