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产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,

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Infineon Technologies
IGBT 1200V 45A 216W TO247AD
详细描述：IGBT 1200V 45A 216W Through Hole TO-247AD

型号：IRG7PH37K10D-EPBF
仓库库存编号：IRG7PH37K10D-EPBF-ND
别名：SP001549436

产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 45A 216W TO247AC
详细描述：IGBT 1200V 45A 216W Through Hole TO-247AC

型号：IRG7PH37K10DPBF
仓库库存编号：IRG7PH37K10DPBF-ND
别名：SP001532754

产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 70A 320W TO247AD
详细描述：IGBT 1200V 70A 320W Through Hole TO-247AD

型号：IRG7PH44K10D-EPBF
仓库库存编号：IRG7PH44K10D-EPBF-ND
别名：SP001536192

产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 70A 320W TO247AC
详细描述：IGBT 1200V 70A 320W Through Hole TO-247AC

型号：IRG7PH44K10DPBF
仓库库存编号：IRG7PH44K10DPBF-ND
别名：SP001544958

产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 90A 400W TO247AD
详细描述：IGBT 1200V 90A 400W Through Hole TO-247AD

型号：IRG7PH50K10D-EPBF
仓库库存编号：IRG7PH50K10D-EPBF-ND
别名：SP001549418

产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 90A 400W TO247AC
详细描述：IGBT 1200V 90A 400W Through Hole TO-247AC

型号：IRG7PH50K10DPBF
仓库库存编号：IRG7PH50K10DPBF-ND
别名：SP001532774

产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 14A SQ
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 14A（Ta），60A（Tc） 2.2W（Ta），42W（Tc） DIRECTFET? SQ

型号：IRF8327STR1PBF
仓库库存编号：IRF8327STR1PBFCT-ND
别名：IRF8327STR1PBFCT

产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 23A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 23A（Ta），140A（Tc） 2.1W（Ta），75W（Tc） DIRECTFET? MX

型号：IRF6728MTR1PBF
仓库库存编号：IRF6728MTR1PBFCT-ND
别名：IRF6728MTR1PBFCT

产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 25V 16A SA
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 16A 1.7W Surface Mount DIRECTFET? SA

型号：IRF6802SDTR1PBF
仓库库存编号：IRF6802SDTR1PBFCT-ND
别名：IRF6802SDTR1PBFCT

产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 25V 16A S1
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 16A（Ta），50A（Tc） 2.1W（Ta），20W（Tc） DIRECTFET S1

型号：IRF6810STR1PBF
仓库库存编号：IRF6810STR1PBFCT-ND
别名：IRF6810STR1PBFCT

产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 28A S3
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 28A（Ta），125A（Tc） 2.1W（Ta），42W（Tc） DIRECTFET? S3C

型号：IRF6892STR1PBF
仓库库存编号：IRF6892STR1PBFCT-ND
别名：IRF6892STR1PBFCT

产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 29A MX
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 29A（Ta），168A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） DIRECTFET? MX

型号：IRF6893MTR1PBF
仓库库存编号：IRF6893MTR1PBFCT-ND
别名：IRF6893MTR1PBFCT

产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 30V 31A MX
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 31A（Ta），190A（Tc） 2.8W（Ta），104W（Tc） DIRECTFET? MX

型号：IRF8302MTR1PBF
仓库库存编号：IRF8302MTR1PBFCT-ND
别名：IRF8302MTR1PBFCT

产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 28A MX
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 28A（Ta），170A（Tc） 2.8W（Ta），100W（Tc） DIRECTFET? MX

型号：IRF8304MTR1PBF
仓库库存编号：IRF8304MTR1PBFCT-ND
别名：IRF8304MTR1PBFCT

产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 27A MX
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 27A（Ta），150A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） DIRECTFET? MX

型号：IRF8308MTR1PBF
仓库库存编号：IRF8308MTR1PBFCT-ND
别名：IRF8308MTR1PBFCT

产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 30V 14A DIRECTFET
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 14A 2.1W Surface Mount DIRECTFET? MC

型号：IRF9395MTR1PBF
仓库库存编号：IRF9395MTR1PBFCT-ND
别名：IRF9395MTR1PBFCT

产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
IGBT 1400V 40A 167W TO247AD
详细描述：IGBT 1400V 40A 167W Through Hole TO-247AD

型号：IRG7PK35UD1-EPBF
仓库库存编号：IRG7PK35UD1-EPBF-ND
别名：SP001548010

产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
IGBT 1400V 40A 167W TO247AC
详细描述：IGBT 1400V 40A 167W Through Hole TO-247AC

型号：IRG7PK35UD1PBF
仓库库存编号：IRG7PK35UD1PBF-ND
别名：SP001541444

产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 211A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 38A（Ta），211A（Tc） 2.1W（Ta），63W（Tc） DIRECTFET? MD

型号：IRL6283MTRPBF
仓库库存编号：IRL6283MTRPBFCT-ND
别名：IRL6283MTRPBFCT

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IGBT 1200V 15A 89W TO-247AC
详细描述：IGBT 1200V 15A 89W Through Hole TO-247AC

型号：IRG8P08N120KDPBF
仓库库存编号：IRG8P08N120KDPBF-ND
别名：SP001547972

产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 30A 125W TO-247AC
详细描述：IGBT 1200V 30A 125W Through Hole TO-247AC

型号：IRG8P15N120KDPBF
仓库库存编号：IRG8P15N120KDPBF-ND
别名：SP001537680

产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 40A 180W TO-247AC
详细描述：IGBT 1200V 40A 180W Through Hole TO-247AC

型号：IRG8P25N120KDPBF
仓库库存编号：IRG8P25N120KDPBF-ND
别名：SP001540660

产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 60A 305W TO-247AC
详细描述：IGBT 1200V 60A 305W Through Hole TO-247AC

型号：IRG8P40N120KDPBF
仓库库存编号：IRG8P40N120KDPBF-ND
别名：SP001537700

产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 80A 305W TO-247AC
详细描述：IGBT 1200V 80A 350W Through Hole TO-247AC

型号：IRG8P50N120KDPBF
仓库库存编号：IRG8P50N120KDPBF-ND
别名：SP001549644

产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 100A 420W TO-247AC
详细描述：IGBT 1200V 100A 420W Through Hole TO-247AC

型号：IRG8P60N120KDPBF
仓库库存编号：IRG8P60N120KDPBF-ND
别名：SP001537660

产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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