产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 100V 42A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 4.7A（Ta），42A（Tc） 1.92W（Ta），150W（Tc） TO-220
型号：
AOT416
仓库库存编号：
785-1239-5-ND
别名：785-1239-5
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 40V 14.5A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 14.5A（Ta），54A（Tc） 2.5W（Ta），53.5W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
AOD242
仓库库存编号：
785-1475-1-ND
别名：785-1475-1
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 43A TO220-3-31
详细描述：通孔 N 沟道 43A（Tc） 33W（Tc） PG-TO220-3-31 整包
型号：
IPA093N06N3GXKSA1
仓库库存编号：
IPA093N06N3GXKSA1-ND
别名：IPA093N06N3 G
IPA093N06N3 G-ND
IPA093N06N3G
SP000451088
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 60V 70A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 70A（Tc） 100W（Tc） TO-220
型号：
AOT462
仓库库存编号：
785-1147-5-ND
别名：785-1147-1
785-1147-1-ND
785-1147-5
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 2NCH 60V 7.1A 8SO
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 7.1A, 22.6A 1.5W Surface Mount 8-SO
型号：
DMNH6022SSDQ-13
仓库库存编号：
DMNH6022SSDQ-13DICT-ND
别名：DMNH6022SSDQ-13DICT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 77A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 77A（Tc） 158W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP77N06S212AKSA2
仓库库存编号：
IPP77N06S212AKSA2-ND
别名：SP001061292
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 105V 47A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 47A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
型号：
PHP45NQ11T,127
仓库库存编号：
1727-4650-ND
别名：1727-4650
568-5767
568-5767-5
568-5767-5-ND
568-5767-ND
934058294127
PHP45NQ11T
PHP45NQ11T,127-ND
PHP45NQ11T-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N06S2H5ATMA2
仓库库存编号：
IPB80N06S2H5ATMA2CT-ND
别名：IPB80N06S2H5ATMA2CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET NCH 80V 65A POWER56
详细描述：表面贴装 N 沟道 65A（Tc） 107W（Tj） Power56
型号：
FDWS86369_F085
仓库库存编号：
FDWS86369_F085CT-ND
别名：FDWS86369_F085CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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Diodes Incorporated
MOSFET NCH 80V 50A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 2.6W（Ta） TO-252-4L
型号：
DMTH8012LK3Q-13
仓库库存编号：
DMTH8012LK3Q-13DICT-ND
别名：DMTH8012LK3Q-13DICT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 70A TO262-3-1
详细描述：通孔 N 沟道 70A（Tc） 58W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI70N04S406AKSA1
仓库库存编号：
IPI70N04S406AKSA1-ND
别名：IPI70N04S4-06
IPI70N04S4-06-ND
SP000711484
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 70A TO-220-3
详细描述：通孔 N 沟道 70A（Tc） 79W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP042N03LGXKSA1
仓库库存编号：
IPP042N03LGXKSA1-ND
别名：IPP042N03L G
IPP042N03LG
IPP042N03LGIN
IPP042N03LGIN-ND
IPP042N03LGXK
SP000680792
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 120V 15A TO-220
详细描述：通孔 P 沟道 15A（Tc） 100W（Tc） TO-220-3
型号：
FQP15P12
仓库库存编号：
FQP15P12-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 94W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP041N04NGXKSA1
仓库库存编号：
IPP041N04NGXKSA1-ND
别名：IPP041N04N G
IPP041N04N G-ND
IPP041N04NG
SP000680790
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 14.8A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 14.8A（Ta），70A（Tc） 3.1W（Ta） TO-252，（D-Pak）
型号：
DMTH6010LK3-13
仓库库存编号：
DMTH6010LK3-13DICT-ND
别名：DMTH6010LK3-13DICT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 100V 51A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 6.6A（Ta），51A（Tc） 2.5W（Ta），150W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
AOB414
仓库库存编号：
785-1209-1-ND
别名：785-1209-1
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 54A TO-263AB
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta），54A（Tc） 55W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FDB8880
仓库库存编号：
FDB8880CT-ND
别名：FDB8880CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 5.6A（Tc） 3.7W（Ta），43W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
IRF510STRRPBF
仓库库存编号：
IRF510STRRPBFCT-ND
别名：IRF510STRRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 13.6A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 13.6A（Tc） 38W（Tc） TO-220F
型号：
FQPF19N10
仓库库存编号：
FQPF19N10-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 100V 8A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 8A（Tc） 3.75W（Ta），65W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FQB8P10TM
仓库库存编号：
FQB8P10TMCT-ND
别名：FQB8P10TMCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 58A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 58A（Tc） 94W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP126N10N3GXKSA1
仓库库存编号：
IPP126N10N3GXKSA1-ND
别名：IPP126N10N3 G
IPP126N10N3 G-ND
SP000683088
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 24A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 75W（Tc） TO-220-3
型号：
FQP24N08
仓库库存编号：
FQP24N08-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 115W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP057N06N3GXKSA1
仓库库存编号：
IPP057N06N3GXKSA1-ND
别名：IPP057N06N3 G
IPP057N06N3 G-ND
IPP057N06N3G
SP000680808
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
IGBT 650V 5A TO263
详细描述：IGBT 650V 10A 83W Surface Mount TO-263 (D2Pak)
型号：
AOB5B65M1
仓库库存编号：
785-1735-1-ND
别名：785-1735-1
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 190W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP80N06S209AKSA2
仓库库存编号：
IPP80N06S209AKSA2-ND
别名：SP001061400
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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