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• IXYS
  IGBT 1.7KV 58A TO247
  详细描述：IGBT 1700V 58A 500W Through Hole TO-247 (IXYH)
  
  型号：IXYH24N170CV1
  仓库库存编号：IXYH24N170CV1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  1700V/108A HIGH VOLTAGE XPT IGB
  详细描述：IGBT 1700V 108A 937W Through Hole TO-247AD
  
  型号：IXYH30N170C
  仓库库存编号：IXYH30N170C-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  1700V/108A HIGH VOLTAGE XPT IGB
  详细描述：IGBT 1700V 108A 937W Through Hole PLUS247?-3
  
  型号：IXYX30N170CV1
  仓库库存编号：IXYX30N170CV1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  1700V/85A HIGH VOLTAGE XPT IGBT
  详细描述：IGBT 1700V 88A 680W Chassis Mount SOT-227B
  
  型号：IXYN30N170CV1
  仓库库存编号：IXYN30N170CV1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 2500V 235A PLUS247
  详细描述：IGBT 2500V 95A 937W Through Hole PLUS247?-3
  
  型号：IXYX25N250CV1HV
  仓库库存编号：IXYX25N250CV1HV-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 2.5KV 70A TO247HV
  详细描述：IGBT 2500V 70A 1500W Through Hole TO-247HV
  
  型号：IXYX40N250CHV
  仓库库存编号：IXYX40N250CHV-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 1700V 120A SOT227B
  详细描述：IGBT 1700V 120A 880W Chassis Mount SOT-227B
  
  型号：IXYN50N170CV1
  仓库库存编号：IXYN50N170CV1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 70A TO263-3-2
  详细描述：表面贴装 N 沟道 70A（Tc） 58W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB70N04S406ATMA1
  仓库库存编号：IPB70N04S406ATMA1CT-ND
  别名：IPB70N04S406ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 71W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB80N04S404ATMA1
  仓库库存编号：IPB80N04S404ATMA1CT-ND
  别名：IPB80N04S404ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Skyworks Solutions Inc.
  DIODE VARACTOR
  详细描述：Varactor Single 15V Surface Mount SOD-882
  
  型号：SMV2026-040LF
  仓库库存编号：863-1742-1-ND
  别名：863-1742-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 94W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB80N04S403ATMA1
  仓库库存编号：IPB80N04S403ATMA1CT-ND
  别名：IPB80N04S403ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Comchip Technology
  RECT BRIDGE GP 600V 2A ABSZ4
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 2A Surface Mount ABS(Z4)
  
  型号：Z4GP206-HF
  仓库库存编号：641-1505-1-ND
  别名：641-1505-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Ta） 55W（Tj） DPAK
  
  型号：SVD2955T4G
  仓库库存编号：SVD2955T4GOSCT-ND
  别名：NVD2955T4GOSCT
  NVD2955T4GOSCT-ND
  SVD2955T4GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 27A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 27A（Tc） 30W（Tc） DPAK
  
  型号：STD27N3LH5
  仓库库存编号：497-10019-1-ND
  别名：497-10019-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 3.6W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：SQ3460EV-T1_GE3
  仓库库存编号：SQ3460EV-T1_GE3CT-ND
  别名：SQ3460EV-T1-GE3CT
  SQ3460EV-T1-GE3CT-ND
  SQ3460EV-T1_GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET NCH 40V 30A POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 50W（Tj） Power56
  
  型号：FDMS9411L_F085
  仓库库存编号：FDMS9411L_F085CT-ND
  别名：FDMS9411L_F085CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  POWER TRENCH MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 50W（Tj） Power56
  
  型号：FDMS86381_F085
  仓库库存编号：FDMS86381_F085CT-ND
  别名：FDMS86381_F085CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Ta） 1.36W（Ta），62.5W（Tj） DPAK
  
  型号：NTD24N06T4G
  仓库库存编号：NTD24N06T4GOSCT-ND
  别名：NTD24N06T4GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 10A DPAK-4
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta），46A（Tc） 3.1W（Ta），71W（Tc） DPAK
  
  型号：SVD5865NLT4G
  仓库库存编号：SVD5865NLT4GOSCT-ND
  别名：NVD5865NLT4GOSCT
  NVD5865NLT4GOSCT-ND
  SVD5865NLT4GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 50A POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 75W（Tj） Power56
  
  型号：FDMS86580_F085
  仓库库存编号：FDMS86580_F085CT-ND
  别名：FDMS86580_F085CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 36A SO8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 36A（Tc） 68W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJ457EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJ457EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJ457EP-T1_GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 100V 43A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.5A（Ta），43A（Tc） 3W（Ta），100W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD4126
  仓库库存编号：785-1215-1-ND
  别名：785-1215-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 75A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 60W（Tc） DPAK
  
  型号：STD75N3LLH6
  仓库库存编号：497-10119-1-ND
  别名：497-10119-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 15.7A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15.7A（Tc） 50W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：FDD850N10L
  仓库库存编号：FDD850N10LCT-ND
  别名：FDD850N10LCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET NCH 40V 12.9A POWERDI
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12.9A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），150W（Tc） PowerDI5060-8
  
  型号：DMNH4011SPSQ-13
  仓库库存编号：DMNH4011SPSQ-13DICT-ND
  别名：DMNH4011SPSQ-13DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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