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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 349W（Tc） I2PAK
  
  型号：BUK7E1R8-40E,127
  仓库库存编号：1727-7241-ND
  别名：1727-7241
  568-9849-5
  568-9849-5-ND
  934066512127
  BUK7E1R840E127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 349W（Tc） I2PAK
  
  型号：BUK7E5R2-100E,127
  仓库库存编号：1727-7247-ND
  别名：1727-7247
  568-9856-5
  568-9856-5-ND
  934066518127
  BUK7E5R2100E127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 50A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SUP70090E-GE3
  仓库库存编号：SUP70090E-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 1.5A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 150A（Tc） 349W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PSMN2R5-60PLQ
  仓库库存编号：1727-1056-ND
  别名：1727-1056
  568-10164-5
  568-10164-5-ND
  934067499127
  PSMN2R560PLQ
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 338W（Tc） I2PAK
  
  型号：PSMN4R3-100ES,127
  仓库库存编号：1727-6500-ND
  别名：1727-6500
  568-8596-5
  568-8596-5-ND
  934066116127
  PSMN4R3100ES127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 80A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 110W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP150N3LLH6
  仓库库存编号：497-9097-5-ND
  别名：497-9097-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  60V/220A TRENCHT3 HIPERFET MOSFE
  详细描述：通孔 N 沟道 220A（Tc） 440W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXFP220N06T3
  仓库库存编号：IXFP220N06T3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  40V/270A TRENCH T POWER MOSFET,
  详细描述：表面贴装 N 沟道 270A（Tc） 375W（Tc） TO-263-7
  
  型号：IXTA270N04T4-7
  仓库库存编号：IXTA270N04T4-7-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  60V/220A TRENCHT3 HIPERFET MOSFE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 220A（Tc） 440W（Tc） TO-263
  
  型号：IXFA220N06T3
  仓库库存编号：IXFA220N06T3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 40V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP150NF04
  仓库库存编号：497-10075-5-ND
  别名：497-10075-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tj） 405W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PSMN4R8-100PSEQ
  仓库库存编号：1727-2471-ND
  别名：1727-2471
  568-12856
  568-12856-ND
  934068633127
  PSMN4R8-100PSEQ-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 60V 200A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200A（Ta），349A（Tc） 375W（Tc） DDPAK/TO-263-3
  
  型号：CSD18536KTTT
  仓库库存编号：296-44122-1-ND
  别名：296-44122-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  120V/110A TRENCHT2 POWER MOSFET
  详细描述：通孔 N 沟道 110A（Tc） 517W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP110N12T2
  仓库库存编号：IXTP110N12T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  60V/270A TRENCHT3 HIPERFET MOSFE
  详细描述：通孔 N 沟道 270A（Tc） 480W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXFP270N06T3
  仓库库存编号：IXFP270N06T3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  60V/270A TRENCHT3 HIPERFET MOSFE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 270A（Tc） 480W（Tc） TO-263AA
  
  型号：IXFA270N06T3
  仓库库存编号：IXFA270N06T3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  120V/140A TRENCHT2 POWER MOSFET
  详细描述：通孔 N 沟道 140A（Tc） 577W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP140N12T2
  仓库库存编号：IXTP140N12T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  120V/110A TRENCHT2 POWER MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 110A（Tc） 517W（Tc） TO-263AA
  
  型号：IXTA110N12T2
  仓库库存编号：IXTA110N12T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  120V/140A TRENCHT2 POWER MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 140A（Tc） 577W（Tc） TO-263AA
  
  型号：IXTA140N12T2
  仓库库存编号：IXTA140N12T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  60V/220A TRENCHT3 HIPERFET MOSFE
  详细描述：通孔 N 沟道 220A（Tc） 440W（Tc） TO-247
  
  型号：IXFH220N06T3
  仓库库存编号：IXFH220N06T3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  60V/270A TRENCHT3 HIPERFET MOSFE
  详细描述：通孔 N 沟道 270A（Tc） 480W（Tc） TO-247
  
  型号：IXFH270N06T3
  仓库库存编号：IXFH270N06T3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 300W（Tc） TO-220
  
  型号：STP210N75F6
  仓库库存编号：497-11334-5-ND
  别名：497-11334-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  IGBT 1.7KV 36A TO247
  详细描述：IGBT 1700V 36A 280W Through Hole TO-247 (IXYH)
  
  型号：IXYH10N170C
  仓库库存编号：IXYH10N170C-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  IGBT 1.7KV 40A TO247
  详细描述：IGBT 1700V 40A 310W Through Hole TO-247 (IXYH)
  
  型号：IXYH16N170C
  仓库库存编号：IXYH16N170C-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  IGBT 1.7KV 36A TO247
  详细描述：IGBT 1700V 36A 280W Through Hole TO-247 (IXYH)
  
  型号：IXYH10N170CV1
  仓库库存编号：IXYH10N170CV1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 1.7KV 58A TO247-3
  详细描述：IGBT 1700V 58A 500W Through Hole TO-247-3
  
  型号：IXYH24N170C
  仓库库存编号：IXYH24N170C-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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