产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）, | 创唯电子 (美国1号仓库)

产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,

专业代理销售st（意法）全系列产品

关于我们 | 联系我们

美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

分立半导体产品 (10623)

筛选品牌: 重新选择

规格选型正在加载中...

在结果中搜索词：

以下搜索结果

参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作

Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 53A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 53A（Tc） 3.8W（Ta），107W（Tc） TO-262

型号：IRFZ46NLPBF
仓库库存编号：IRFZ46NLPBF-ND
别名：*IRFZ46NLPBF
SP001557896

产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
搜索

Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 56A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 56A（Tc） 99W（Tc） D-PAK（TO-252AA）

型号：IRFR7746PBF
仓库库存编号：IRFR7746PBF-ND
别名：SP001576124

产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
搜索

STMicroelectronics
MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 300W（Tc） D2PAK

型号：STB76NF75
仓库库存编号：497-12538-1-ND
别名：497-12538-1

产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
搜索

STMicroelectronics
MOSFET N CH 30V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 110W（Tc） TO-263（D2Pak）

型号：STB150N3LH6
仓库库存编号：497-13263-1-ND
别名：497-13263-1

产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
搜索

Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 59A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 59A（Tc） 160W（Tc） TO-262

型号：IRF3710ZLPBF
仓库库存编号：IRF3710ZLPBF-ND
别名：*IRF3710ZLPBF
SP001571360

产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
搜索

Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 200V 32.7A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 32.7A（Tc） 230W（Tc） TO-220AB

型号：PHP33NQ20T,127
仓库库存编号：1727-4647-ND
别名：1727-4647
568-5764
568-5764-5
568-5764-5-ND
568-5764-ND
934058107127
PHP33NQ20T
PHP33NQ20T,127-ND
PHP33NQ20T-ND
PHP33NQ20T127

产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
搜索

Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 42A（Tc） 140W（Tc） D-Pak

型号：IRFR1010ZPBF
仓库库存编号：IRFR1010ZPBF-ND
别名：*IRFR1010ZPBF
SP001578020

产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
搜索

STMicroelectronics
IGBT 600V 14A 88W TO-220AB
详细描述：IGBT Trench Field Stop 600V 14A 88W Through Hole TO-220

型号：STGP7H60DF
仓库库存编号：497-16018-5-ND
别名：497-16018-5

产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
搜索

Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 68A（Tc） 170W（Tc） I2PAK

型号：PSMN013-100ES,127
仓库库存编号：1727-5891-ND
别名：1727-5891
568-7510-5
568-7510-5-ND
934064293127
PSMN013-100ES,127-ND
PSMN013100ES127

产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
搜索

Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 105A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 105A（Tc） 110W（Tc） TO-220AB

型号：IRL8113PBF
仓库库存编号：IRL8113PBF-ND
别名：*IRL8113PBF
SP001576430

产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
搜索

Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 170W（Tc） TO-220AB

型号：PSMN2R7-30PL,127
仓库库存编号：1727-4389-ND
别名：1727-4389
568-5235
568-5235-5
568-5235-5-ND
568-5235-ND
934064005127

产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
搜索

Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 98A（Tc） 2W（Ta）, 139W（Tc） TO-220AB

型号：DMT10H010LCT
仓库库存编号：DMT10H010LCTDI-ND
别名：DMT10H010LCTDI

产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
搜索

STMicroelectronics
MOSFET N-CH 25V 80A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 70W（Tc） I-Pak

型号：STU95N2LH5
仓库库存编号：497-12703-5-ND
别名：497-12703-5
STU95N2LH5-ND

产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
搜索

STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 110A（Tc） 120W（Tc） TO-220

型号：STP80N6F6
仓库库存编号：497-13976-5-ND
别名：497-13976-5
STP80N6F6-ND

产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
搜索

STMicroelectronics
MOSFET N CH 68V 96A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 96A（Tc） 110W（Tc） TO-220

型号：STP80N70F6
仓库库存编号：497-13554-5-ND
别名：497-13554-5

产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
搜索

STMicroelectronics
IGBT 600V 14A 24W TO-220FP
详细描述：IGBT Trench Field Stop 600V 14A 24W Through Hole TO-220FP

型号：STGF7H60DF
仓库库存编号：497-16017-5-ND
别名：497-16017-5

产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
搜索

Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） TO-263-7

型号：SQM50028EM_GE3
仓库库存编号：SQM50028EM_GE3CT-ND
别名：SQM50028EM_GE3CT

产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
搜索

STMicroelectronics
MOSFET N-CH 525V 5.0A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 5A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP

型号：STF6N52K3
仓库库存编号：497-12584-5-ND
别名：497-12584-5
STF6N52K3-ND

产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
搜索

Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 60A TO220-3-31
详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） 38W（Tc） PG-TO220-3-31 整包

型号：IPA057N06N3 G
仓库库存编号：IPA057N06N3 G-ND
别名：IPA057N06N3G
IPA057N06N3GXKSA1
SP000457582

产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
搜索

Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 100A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 234W（Tc） I2PAK

型号：BUK7E3R1-40E,127
仓库库存编号：1727-7244-ND
别名：1727-7244
568-9852-5
568-9852-5-ND
934066417127
BUK7E3R140E127

产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
搜索

Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 9.7A（Tc） 42W（Tc） TO-220-3

型号：IRFI530GPBF
仓库库存编号：IRFI530GPBF-ND
别名：*IRFI530GPBF

产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
搜索

Texas Instruments
40V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSF
详细描述：表面贴装 N 沟道 274A（Tc） 250W（Ta） DDPAK/TO-263-3

型号：CSD18510KTTT
仓库库存编号：296-45229-1-ND
别名：296-45229-1

产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
搜索

STMicroelectronics
MOSFET N CH 75V 78A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 78A（Tc） 150W（Tc） TO-220

型号：STP75N75F4
仓库库存编号：497-13395-5-ND
别名：497-13395-5

产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
搜索

Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 131A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 131A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB

型号：SUP70060E-GE3
仓库库存编号：SUP70060E-GE3-ND

产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
搜索

Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 130A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 130A（Tc） 263W（Tc） TO-220AB

型号：PSMN4R2-60PLQ
仓库库存编号：1727-1059-ND
别名：1727-1059
568-10167-5
568-10167-5-ND
934067502127
PSMN4R260PLQ

产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
搜索

91 92 93 94 95 96 97 98 99 100

邮箱：sales@szcwdz.com
Q Q：800152669
手机网站：m.szcwdz.com

美国1号品牌选型新加坡2号品牌选型

英国2号品牌选型英国10号品牌选型

日本5号品牌选型

st（意法）简介 | st产品 | st动态 | 产品应用 | st选型手册

Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号