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• IXYS
  IGBT 650V 30A 160W TO-220
  详细描述：IGBT PT 650V 30A 160W Through Hole TO-220
  
  型号：IXYP10N65C3D1
  仓库库存编号：IXYP10N65C3D1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 103A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 86A（Tc） 75W（Tc） TO-220 整包
  
  型号：IRFI7536GPBF
  仓库库存编号：IRFI7536GPBF-ND
  别名：SP001566188
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  IGBT 1200V 20A TO247
  详细描述：IGBT 1200V 40A 333W Through Hole TO-247
  
  型号：AOK20B120E1
  仓库库存编号：785-1750-ND
  别名：785-1750
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 650V 60A 250W TO247-3
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 60A 250W Through Hole TO-247 Long Leads
  
  型号：FGH30T65UPDT_F155
  仓库库存编号：FGH30T65UPDT_F155-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 600V 80A 79W TO-3PF
  详细描述：IGBT Field Stop 600V 80A 115W Through Hole TO-3PF
  
  型号：FGAF40N60SMD
  仓库库存编号：FGAF40N60SMD-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 1000V 60A 412W TO247-3
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 1000V 60A 412W Through Hole PG-TO247-3
  
  型号：IGW30N100TFKSA1
  仓库库存编号：IGW30N100TFKSA1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 100A TO-3PN
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Ta），100A（Tc） 306W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FDA8440
  仓库库存编号：FDA8440-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 650V 60A 270W TO247
  详细描述：IGBT PT 650V 60A 270W Through Hole TO-247 (IXYH)
  
  型号：IXYH30N65C3H1
  仓库库存编号：IXYH30N65C3H1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 140A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 140A（Tc） 600W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT140N10P
  仓库库存编号：IXTT140N10P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 140A 454W TO247AC
  详细描述：IGBT Trench 600V 140A 454W Through Hole TO-247AC
  
  型号：IRGP4066DPBF
  仓库库存编号：IRGP4066DPBF-ND
  别名：SP001545048
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 1200V 140A 556W TO247AC
  详细描述：IGBT Trench 1200V 140A 556W Through Hole TO-247AC
  
  型号：IRG7PH50UPBF
  仓库库存编号：IRG7PH50UPBF-ND
  别名：SP001541698
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 600V 229A 625W TMAX
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 600V 229A 625W Through Hole
  
  型号：APT100GN60B2G
  仓库库存编号：APT100GN60B2G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• M/A-Com Technology Solutions
  DIODE PIN CERAMIC AXIAL HI-PAX
  详细描述：RF Diode PIN - Single 100V 2.5W Axial
  
  型号：MA4P4001B-402
  仓库库存编号：1465-1038-ND
  别名：1465-1038
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 170V 320A TO264
  详细描述：通孔 N 沟道 320A（Tc） 1670W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK320N17T2
  仓库库存编号：IXFK320N17T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  DIODE SCHOTTKY 600V ISOPLUS-5
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 11A Through Hole ISOPLUS i4-PAC?
  
  型号：FBS16-06SC
  仓库库存编号：FBS16-06SC-ND
  别名：FBS1606SC
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  RECT BRIDGE 40A 1200V SOT227
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1200V 40A Chassis Mount SOT-227
  
  型号：APT40DC120HJ
  仓库库存编号：APT40DC120HJ-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE SILICON CARBIDE 15KV 1A
  详细描述：RF Diode PIN - Single 15000V
  
  型号：GA01PNS150-220
  仓库库存编号：1242-1258-ND
  别名：1242-1258
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 31.8A LFPAK33
  详细描述：表面贴装 N 沟道 31.8A（Tc） 33W（Tc） LFPAK33
  
  型号：PSMN020-30MLCX
  仓库库存编号：1727-7276-1-ND
  别名：1727-7276-1
  568-9906-1
  568-9906-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 58A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 58A（Tc） 96W（Tc） I2PAK
  
  型号：BUK7E13-60E,127
  仓库库存编号：1727-7240-ND
  别名：1727-7240
  568-9847-5
  568-9847-5-ND
  934066633127
  BUK7E1360E127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 40V 100A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 4.7W（Ta）, 136W（Tc） TO-263AB（D2PAK）
  
  型号：DMTH4004SCTBQ-13
  仓库库存编号：DMTH4004SCTBQ-13DICT-ND
  别名：DMTH4004SCTBQ-13DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 24V 60A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 80W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB75NH02LT4
  仓库库存编号：497-3515-1-ND
  别名：497-3515-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 110V 27.6A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 27.6A（Tc） 107W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PHP27NQ11T,127
  仓库库存编号：1727-4643-ND
  别名：1727-4643
  568-5760
  568-5760-5
  568-5760-5-ND
  568-5760-ND
  934058502127
  PHP27NQ11T
  PHP27NQ11T,127-ND
  PHP27NQ11T-ND
  PHP27NQ11T127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 30A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 70W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP36NF06
  仓库库存编号：497-3186-5-ND
  别名：497-3186-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 20.3A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 20.3A（Tc） 62W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PHP20N06T,127
  仓库库存编号：1727-4640-ND
  别名：1727-4640
  568-5757
  568-5757-5
  568-5757-5-ND
  568-5757-ND
  934056614127
  PHP20N06T
  PHP20N06T,127-ND
  PHP20N06T-ND
  PHP20N06T127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  IGBT 600V 11A 63W D2PAK
  详细描述：IGBT NPT 600V 11A 63W Surface Mount D2PAK
  
  型号：IRGS4B60KD1TRLP
  仓库库存编号：IRGS4B60KD1TRLPCT-ND
  别名：IRGS4B60KD1TRLPCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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