产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 229A 625W TO264
详细描述：IGBT Trench Field Stop 600V 229A 625W Through Hole TO-264 [L]
型号：
APT100GN60LDQ4G
仓库库存编号：
APT100GN60LDQ4G-ND
别名：APT100GN60LDQ4GMI
APT100GN60LDQ4GMI-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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IXYS
IGBT 650V 370A 1150W PLUS247
详细描述：IGBT PT 650V 370A 1150W Through Hole PLUS247?-3
型号：
IXXX200N65B4
仓库库存编号：
IXXX200N65B4-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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IXYS
IGBT 650V 370A 1150W TO264
详细描述：IGBT PT 650V 370A 1150W Through Hole TO-264 (IXXK)
型号：
IXXK200N65B4
仓库库存编号：
IXXK200N65B4-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 283A 682W TO247
详细描述：IGBT Trench Field Stop 600V 283A 682W Through Hole
型号：
APT200GN60B2G
仓库库存编号：
APT200GN60B2G-ND
别名：APT200GN60B2GMI
APT200GN60B2GMI-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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IXYS
IGBT XPT 650V 166A SOT-227B
详细描述：IGBT Module PT Single 650V 166A 600W Chassis, Stud Mount SOT-227B
型号：
IXYN100N65C3H1
仓库库存编号：
IXYN100N65C3H1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 220A 536W SOT227
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 600V 220A 536W Chassis Mount ISOTOP?
型号：
APT150GN60J
仓库库存编号：
APT150GN60J-ND
别名：APT150GN60JMI
APT150GN60JMI-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 220A 536W SOT227
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 600V 220A 536W Chassis Mount ISOTOP?
型号：
APT150GN60JDQ4
仓库库存编号：
APT150GN60JDQ4-ND
别名：APT150GN60JDQ4MI
APT150GN60JDQ4MI-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 283A 682W SOT227
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 600V 283A 682W Chassis Mount ISOTOP?
型号：
APT200GN60JDQ4
仓库库存编号：
APT200GN60JDQ4MI-ND
别名：APT200GN60JDQ4MI
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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IXYS
IGBT XPT 1200V 152A SOT-227B
详细描述：IGBT Module Single 1200V 152A 830W Chassis Mount SOT-227B
型号：
IXYN100N120C3
仓库库存编号：
IXYN100N120C3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOD SBD BRIDGE 600V 30A SOT227
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 30A Chassis Mount SOT-227
型号：
GHXS030A060S-D1E
仓库库存编号：
1560-1146-5-ND
别名：1560-1146
1560-1146-5
1560-1146-ND
GHXS030A060SD1E
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 16A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 79W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU3910PBF
仓库库存编号：
IRFU3910PBF-ND
别名：*IRFU3910PBF
64-4139PBF
64-4139PBF-ND
SP001578380
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 82A（Tc） 230W（Tc） D2PAK
型号：
IRF2807STRLPBF
仓库库存编号：
IRF2807STRLPBFCT-ND
别名：IRF2807STRLPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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STMicroelectronics
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 30A 136W Surface Mount D2PAK
型号：
STGB15M65DF2
仓库库存编号：
497-16507-1-ND
别名：497-16507-1
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 71W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP093N06N3GXKSA1
仓库库存编号：
IPP093N06N3GXKSA1-ND
别名：IPP093N06N3 G
IPP093N06N3 G-ND
IPP093N06N3G
SP000680852
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 13A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 13A（Tc） 110W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU13N20DPBF
仓库库存编号：
IRFU13N20DPBF-ND
别名：*IRFU13N20DPBF
SP001573640
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 11.6A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 11.6A（Tc） 53W（Tc） TO-220F
型号：
FQPF16N15
仓库库存编号：
FQPF16N15-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 22A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 37W（Tc） TO-220AB 整包
型号：
IRLIZ34NPBF
仓库库存编号：
IRLIZ34NPBF-ND
别名：*IRLIZ34NPBF
SP001573820
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 56A（Tc） 200W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
HUF75639S3ST
仓库库存编号：
HUF75639S3STCT-ND
别名：HUF75639S3STCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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STMicroelectronics
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, V S
详细描述：IGBT Trench Field Stop 600V 60A 260W Surface Mount D2PAK
型号：
STGB30V60F
仓库库存编号：
497-16477-1-ND
别名：497-16477-1
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 55V 60A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） 145W（Tc） TO-220AB
型号：
HUF75332P3
仓库库存编号：
HUF75332P3FS-ND
别名：HUF75332P3-ND
HUF75332P3FS
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 10A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 43W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFZ10PBF
仓库库存编号：
IRFZ10PBF-ND
别名：*IRFZ10PBF
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 40V 120A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 143W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB7440PBF
仓库库存编号：
IRFB7440PBF-ND
别名：SP001566700
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 75A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 140W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF4104PBF
仓库库存编号：
IRF4104PBF-ND
别名：*IRF4104PBF
SP001554010
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 140W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF1010ZPBF
仓库库存编号：
IRF1010ZPBF-ND
别名：*IRF1010ZPBF
SP001553844
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 56A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 56A（Tc） 140W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU3607PBF
仓库库存编号：
IRFU3607PBF-ND
别名：64-4147PBF
64-4147PBF-ND
SP001557738
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