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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 83A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 85A（Tc） 350W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB4321PBF
  仓库库存编号：IRFB4321PBF-ND
  别名：SP001577790
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 80A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 230W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA80N10T
  仓库库存编号：IXTA80N10T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 50A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 250W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA46N15
  仓库库存编号：FQA46N15FS-ND
  别名：FQA46N15-ND
  FQA46N15FS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 325W（Tc） TO-220AB
  
  型号：HUF75345P3
  仓库库存编号：HUF75345P3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 55V 200A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 200A（Tc） 360W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP200N055T2
  仓库库存编号：IXTP200N055T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP85NF55
  仓库库存编号：497-6744-5-ND
  别名：497-6744-5
  STP85NF55-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 100V 130A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 130A（Tc） 360W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH130N10T
  仓库库存编号：IXTH130N10T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 67A TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 67A（Tc） 43W（Tc） TO-220F-3
  
  型号：FDPF045N10A
  仓库库存编号：FDPF045N10A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  IGBT 650V 65A 230W TO247AD
  详细描述：IGBT PT 650V 65A 230W Through Hole TO-247 (IXXH)
  
  型号：IXXH30N65B4
  仓库库存编号：IXXH30N65B4-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP030N10N3GXKSA1
  仓库库存编号：IPP030N10N3GXKSA1-ND
  别名：IPP030N10N3 G
  IPP030N10N3 G-ND
  IPP030N10N3G
  SP000680768
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 100V 200A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 200A（Tc） 550W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ200N10T
  仓库库存编号：IXTQ200N10T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  IGBT 650V 130A 600W TO220
  详细描述：IGBT PT 650V 130A 600W Through Hole TO-220
  
  型号：IXYP50N65C3
  仓库库存编号：IXYP50N65C3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  IGBT 650V 130A 600W TO263
  详细描述：IGBT PT 650V 130A 600W Surface Mount TO-263
  
  型号：IXYA50N65C3
  仓库库存编号：IXYA50N65C3-ND
  别名：629999
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  RECT BRIDGE FAST 3PHASE I4-PAC-5
  详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 1600V 28A Through Hole ISOPLUS i4-PAC?
  
  型号：FUO22-16N
  仓库库存编号：FUO22-16N-ND
  别名：FUO2216N
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  IGBT 650V 116A 380W TO247AD
  详细描述：IGBT PT 650V 116A 380W Through Hole TO-247 (IXXH)
  
  型号：IXXH60N65B4H1
  仓库库存编号：IXXH60N65B4H1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  IGBT 1200V 80A 535W TO247
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 1200V 80A 535W Through Hole TO-247
  
  型号：NGTB40N120FL2WG
  仓库库存编号：NGTB40N120FL2WGOS-ND
  别名：NGTB40N120FL2WGOS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 70V 76A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 76A（Tc） 360W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH76N07-12
  仓库库存编号：IXFH76N07-12-ND
  别名：IXFH76N0712
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 70V 76A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 76A（Tc） 360W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH76N07-11
  仓库库存编号：IXFH76N07-11-ND
  别名：628431
  IXFH76N0711
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  IGBT 600V 100A 600W TO247AD
  详细描述：IGBT PT 600V 100A 600W Through Hole TO-247 (IXXH)
  
  型号：IXXH50N60C3D1
  仓库库存编号：IXXH50N60C3D1-ND
  别名：625659
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  IGBT 650V 240A 880W PLUS247
  详细描述：IGBT PT 650V 240A 880W Through Hole PLUS247?-3
  
  型号：IXXX110N65B4H1
  仓库库存编号：IXXX110N65B4H1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  IGBT 650V 240A 880W TO264
  详细描述：IGBT PT 650V 240A 880W Through Hole TO-264 (IXXK)
  
  型号：IXXK110N65B4H1
  仓库库存编号：IXXK110N65B4H1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  IGBT 650V 170A 750W TO247
  详细描述：IGBT PT 650V 170A 750W Through Hole TO-247 (IXYH)
  
  型号：IXYH75N65C3H1
  仓库库存编号：IXYH75N65C3H1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  IGBT 1200V 100A 750W TO247AD
  详细描述：IGBT 1200V 100A 750W Through Hole TO-247 (IXYH)
  
  型号：IXYH50N120C3
  仓库库存编号：IXYH50N120C3-ND
  
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  MOSFET N-CH 250V 120A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 700W（Tc） TO-264（IXTK）
  
  型号：IXTK120N25P
  仓库库存编号：IXTK120N25P-ND
  
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  IGBT 650V 310A 940W TO264
  详细描述：IGBT PT 650V 310A 940W Through Hole TO-264 (IXXK)
  
  型号：IXXK160N65B4
  仓库库存编号：IXXK160N65B4-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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