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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 60V 200A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200A（Ta），279A（Tc） 300W（Tc） DDPAK/TO-263-3
  
  型号：CSD18535KTTT
  仓库库存编号：296-44121-1-ND
  别名：296-44121-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  含铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 75A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 310W（Tc） TO-220AB
  
  型号：HUF75645P3
  仓库库存编号：HUF75645P3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 55V 75A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 285W（Tc） TO-247
  
  型号：HUF75344G3
  仓库库存编号：HUF75344G3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 50A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 300W（Tc） TO-247AC
  
  型号：IRFP260NPBF
  仓库库存编号：IRFP260NPBF-ND
  别名：*IRFP260NPBF
  64-6005PBF
  64-6005PBF-ND
  SP001552016
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 120V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP80NF12
  仓库库存编号：497-6743-5-ND
  别名：497-6743-5
  STP80NF12-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 130A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 130A（Tc） 360W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP130N10T
  仓库库存编号：IXTP130N10T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 60V 140A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Ta），140A（Tc） 1.9W（Ta），330W（Tc） TO-220
  
  型号：AOT260L
  仓库库存编号：785-1273-5-ND
  别名：785-1273-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 55V 75A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 375W（Tc） TO-247
  
  型号：FDH5500_F085
  仓库库存编号：FDH5500_F085-ND
  别名：FDH5500F085
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 96A 330W TO247AC
  详细描述：IGBT Trench 600V 96A 330W Through Hole TO-247AC
  
  型号：IRGP4063DPBF
  仓库库存编号：IRGP4063DPBF-ND
  别名：SP001549776
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  RECT BRIDGE 3PHASE I4-PAC-5
  详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 1200V 28A Through Hole ISOPLUS i4-PAC?
  
  型号：FUO22-12N
  仓库库存编号：FUO22-12N-ND
  别名：492426
  FUO2212N
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Transphorm
  GAN FET 600V 9A PQFN88
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Tc） 65W（Tc） PQFN（8x8）
  
  型号：TPH3202LD
  仓库库存编号：TPH3202LD-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 140A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 140A（Tc） 830W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK140N20P
  仓库库存编号：IXFK140N20P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 1200V 200A 1250W TO247AD
  详细描述：IGBT 1200V 200A 1250W Through Hole TO-247 (IXYH)
  
  型号：IXYH82N120C3
  仓库库存编号：IXYH82N120C3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 170V 320A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 320A（Tc） 1670W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX320N17T2
  仓库库存编号：IXFX320N17T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1200V 41A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 41A（Tc） 273W（Tc） TO-247
  
  型号：APT40SM120B
  仓库库存编号：APT40SM120B-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  IGBT 1200V 240A 1500W PLUS247
  详细描述：IGBT 1200V 240A 1500W Through Hole PLUS247?-3
  
  型号：IXYX120N120C3
  仓库库存编号：IXYX120N120C3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 55V 550A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 550A（Tc） 940W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXTN550N055T2
  仓库库存编号：IXTN550N055T2-ND
  别名：623216
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Global Power Technologies Group
  MOD SBD BRIDGE 600V 10A SOT227
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 10A Chassis Mount SOT-227
  
  型号：GHXS010A060S-D1
  仓库库存编号：1560-1135-5-ND
  别名：1560-1135
  1560-1135-5
  1560-1135-ND
  GHXS010A060SD1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1200V 32A SOT227
  详细描述：底座安装 N 沟道 32A（Tc） 165W（Tc） SOT-227
  
  型号：APT40SM120J
  仓库库存编号：APT40SM120J-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.7A（Tc） 3.8W（Ta），48W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF520NSTRLPBF
  仓库库存编号：IRF520NSTRLPBFCT-ND
  别名：IRF520NSTRLPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 78A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 78A（Tc） 140W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRLB4132PBF
  仓库库存编号：IRLB4132PBF-ND
  别名：SP001558130
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 29A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 29A（Tc） 68W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFZ34NPBF
  仓库库存编号：IRFZ34NPBF-ND
  别名：*IRFZ34NPBF
  SP001568128
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 18A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 45W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRLZ24NPBF
  仓库库存编号：IRLZ24NPBF-ND
  别名：*IRLZ24NPBF
  SP001553022
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 68W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP055N03LGXKSA1
  仓库库存编号：IPP055N03LGXKSA1-ND
  别名：IPP055N03L G
  IPP055N03LGIN
  IPP055N03LGIN-ND
  IPP055N03LGXK
  SP000680806
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF640NPBF
  仓库库存编号：IRF640NPBF-ND
  别名：*IRF640NPBF
  SP001570078
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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