产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 79W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB081N06L3 G
仓库库存编号：
IPB081N06L3 GCT-ND
别名：IPB081N06L3 GCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A 8TDFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 115W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
IPC100N04S5L1R5ATMA1
仓库库存编号：
IPC100N04S5L1R5ATMA1CT-ND
别名：IPC100N04S5L1R5ATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A 8TDFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 115W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
IPC100N04S51R7ATMA1
仓库库存编号：
IPC100N04S51R7ATMA1CT-ND
别名：IPC100N04S51R7ATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 115W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB054N06N3 G
仓库库存编号：
IPB054N06N3 GCT-ND
别名：IPB054N06N3 GCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3-11
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPDH6N03LAG
仓库库存编号：
IPDH6N03LAGINCT-ND
别名：IPDH6N03LAGINCT
IPDH6N03LAGXTINCT
IPDH6N03LAGXTINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 47A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 47A（Tc） 3.8W（Ta），110W（Tc） D2PAK
型号：
IRLZ44NSTRLPBF
仓库库存编号：
IRLZ44NSTRLPBFCT-ND
别名：IRLZ44NSTRLPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 203W（Tc） D2PAK
型号：
BUK7607-55B,118
仓库库存编号：
1727-4701-1-ND
别名：1727-4701-1
568-5849-1
568-5849-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 58A
详细描述：表面贴装 N 沟道 58A（Tc） 83W（Tc） D-Pak
型号：
IRF60R217
仓库库存编号：
IRF60R217CT-ND
别名：IRF60R217CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 72A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 72A（Tc） 182W（Tc） D2PAK
型号：
BUK7613-100E,118
仓库库存编号：
1727-1087-1-ND
别名：1727-1087-1
568-10240-1
568-10240-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 79W（Tc） D-Pak
型号：
AUIRLR3410TRL
仓库库存编号：
AUIRLR3410TRLCT-ND
别名：AUIRLR3410TRLCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 8TDSON
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 20A 65W Surface Mount PG-TDSON-8-10
型号：
IPG20N04S408AATMA1
仓库库存编号：
IPG20N04S408AATMA1CT-ND
别名：IPG20N04S408AATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 200V 20A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 150W（Tc） DPAK
型号：
PSMN130-200D,118
仓库库存编号：
1727-6296-1-ND
别名：1727-6296-1
568-8114-1
568-8114-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 36A（Tc） 3.8W（Ta），140W（Tc） D2PAK
型号：
IRL540NSTRLPBF
仓库库存编号：
IRL540NSTRLPBFCT-ND
别名：IRL540NSTRLPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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Nexperia USA Inc.
PSMN0R9-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1
详细描述：表面贴装 N 沟道 300A（Tc） 238W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PSMN0R9-25YLDX
仓库库存编号：
1727-2494-1-ND
别名：1727-2494-1
568-12926-1
568-12926-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 254W（Tc） D2PAK
型号：
BUK7606-55B,118
仓库库存编号：
1727-5247-1-ND
别名：1727-5247-1
568-6571-1
568-6571-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TO252-3-313
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-3-313
型号：
IPD100N04S402ATMA1
仓库库存编号：
IPD100N04S402ATMA1CT-ND
别名：IPD100N04S402ATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 15A TO252-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 15A（Tc） 128W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD15P10PGBTMA1
仓库库存编号：
SPD15P10PGBTMA1CT-ND
别名：SPD15P10PGBTMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 17A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Ta），45A（Tc） 3W（Ta），83W（Tc） PG-TO263-3
型号：
IPB057N06NATMA1
仓库库存编号：
IPB057N06NATMA1CT-ND
别名：IPB057N06N-ND
IPB057N06NATMA1CT
IPB057N06NCT
IPB057N06NCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 85A（Tc） 180W（Tc） D2PAK
型号：
IRF1010NSTRLPBF
仓库库存编号：
IRF1010NSTRLPBFCT-ND
别名：IRF1010NSTRLPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 42A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR2407TRPBF
仓库库存编号：
IRFR2407PBFCT-ND
别名：*IRFR2407TRPBF
IRFR2407PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 8TDSON
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 20A 50W Surface Mount PG-TDSON-8-10
型号：
IPG20N06S415AATMA1
仓库库存编号：
IPG20N06S415AATMA1CT-ND
别名：IPG20N06S415AATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 24A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 144W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR4620TRLPBF
仓库库存编号：
IRFR4620TRLPBFCT-ND
别名：IRFR4620TRLPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 50A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 100W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB50N10S3L16ATMA1
仓库库存编号：
IPB50N10S3L16ATMA1CT-ND
别名：IPB50N10S3L-16INCT
IPB50N10S3L-16INCT-ND
IPB50N10S3L16ATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.9A 2.4W Surface Mount 8-SO
型号：
AUIRF7313QTR
仓库库存编号：
AUIRF7313QCT-ND
别名：AUIRF7313QCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 170W（Tc） D2PAK
型号：
IRF2807ZSTRLPBF
仓库库存编号：
IRF2807ZSTRLPBFCT-ND
别名：IRF2807ZSTRLPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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