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• IXYS
  MOSFET P-CH 100V 90A TO-247
  详细描述：通孔 P 沟道 90A（Tc） 462W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH90P10P
  仓库库存编号：IXTH90P10P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 44A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 44A（Tc） 750W（Tc） TO-247
  
  型号：FDH44N50
  仓库库存编号：FDH44N50-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• M/A-Com Technology Solutions
  DIODE PIN CERAMIC SI
  详细描述：RF Diode PIN - Single 600V 7.5W
  
  型号：MA4P4006F-1091T
  仓库库存编号：1465-1228-1-ND
  别名：1465-1228-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• M/A-Com Technology Solutions
  DIODE PIN SMT CERAMIC
  详细描述：RF Diode PIN - Single 100V 7.5W
  
  型号：MA4P4001F-1091T
  仓库库存编号：1465-1227-1-ND
  别名：1465-1227-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Transphorm
  GAN FET 600V 17A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 96W（Tc） TO-220
  
  型号：TPH3206PS
  仓库库存编号：TPH3206PS-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 150V 180A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 180A（Tc） 800W（Tc） TO-264（IXTK）
  
  型号：IXTK180N15P
  仓库库存编号：IXTK180N15P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 320A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 320A（Tc） 1000W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH320N10T2
  仓库库存编号：IXFH320N10T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 150V 240A TO264
  详细描述：通孔 N 沟道 240A（Tc） 1250W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK240N15T2
  仓库库存编号：IXFK240N15T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 75V 500A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500A（Tc） 830W（Tc） 24-SMPD
  
  型号：MMIX1F520N075T2
  仓库库存编号：MMIX1F520N075T2-ND
  别名：625162
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  40V/660A TRENCHT4 PWR MOSFET SOT
  详细描述：底座安装 N 沟道 660A（Tc） 1040W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXTN660N04T4
  仓库库存编号：IXTN660N04T4-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 360A（Tc） 830W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN360N10T
  仓库库存编号：IXFN360N10T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 150V 150A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 150A（Tc） 680W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN180N15P
  仓库库存编号：IXFN180N15P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  GAN FET 650V 36A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 36A（Tc） 125W（Tc） TO-247
  
  型号：TPH3205WSB
  仓库库存编号：TPH3205WSB-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 150V 360A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 360A（Tc） 1670W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX360N15T2
  仓库库存编号：IXFX360N15T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 150V 360A TO264
  详细描述：通孔 N 沟道 360A（Tc） 1670W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK360N15T2
  仓库库存编号：IXFK360N15T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 100V 420A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 420A（Tc） 1070W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN420N10T
  仓库库存编号：IXFN420N10T-ND
  别名：623426
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  IGBT 650V 210A 750W SOT227B
  详细描述：IGBT Module PT Single 650V 210A 750W Chassis Mount SOT-227B
  
  型号：IXXN110N65C4H1
  仓库库存编号：IXXN110N65C4H1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  IGBT 650V 215A 750W SOT227B
  详细描述：IGBT Module PT Single 650V 215A 750W Chassis Mount SOT-227B
  
  型号：IXXN110N65B4H1
  仓库库存编号：IXXN110N65B4H1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 75V 480A SOT227
  详细描述：底座安装 N 沟道 480A（Tc） 940W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN520N075T2
  仓库库存编号：IXFN520N075T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  IGBT 600V 550A 2300W TO247
  详细描述：IGBT PT 600V 550A 2300W Through Hole PLUS247?-3
  
  型号：IXXX300N60B3
  仓库库存编号：IXXX300N60B3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 40V 600A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 600A（Tc） 940W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXTN600N04T2
  仓库库存编号：IXTN600N04T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  IGBT 1200V 240A 1500W TO264
  详细描述：IGBT 1200V 240A 1500W Through Hole TO-264 (IXYK)
  
  型号：IXYK120N120C3
  仓库库存编号：IXYK120N120C3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 220A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 220A（Tc） 1090W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN230N20T
  仓库库存编号：IXFN230N20T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1200V 41A D3PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 41A（Tc） 273W（Tc） D3Pak
  
  型号：APT40SM120S
  仓库库存编号：APT40SM120S-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 170V 260A SOT227
  详细描述：底座安装 N 沟道 260A（Tc） 1070W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN320N17T2
  仓库库存编号：IXFN320N17T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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