产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 37A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 37A(Tc) 103W(Tc) D2PAK
型号:
PSMN027-100BS,118
仓库库存编号:
1727-7210-1-ND
别名:1727-7210-1
568-9701-1
568-9701-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 70A TO-263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 70A(Tc) 79W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB042N03L G
仓库库存编号:
IPB042N03LGINCT-ND
别名:IPB042N03LGINCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-263
详细描述:表面贴装 P 沟道 18.7A(Ta) 81.1W(Ta) PG-TO263-2
型号:
SPB18P06P G
仓库库存编号:
SPB18P06PGINCT-ND
别名:SPB18P06PGINCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 56A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 56A(Tc) 99W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
IRFR7746TRPBF
仓库库存编号:
IRFR7746TRPBFCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 23A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 23A(Tc) 99W(Tc) D2PAK
型号:
BUK9675-100A,118
仓库库存编号:
1727-7199-1-ND
别名:1727-7199-1
568-9688-1
568-9688-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 55V 20A 65W Surface Mount PG-TDSON-8-4
型号:
IPG20N06S2L35ATMA1
仓库库存编号:
IPG20N06S2L35ATMA1CT-ND
别名:IPG20N06S2L35ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 53A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 53A(Tc) 138W(Tc) D2PAK
型号:
BUK7623-75A,118
仓库库存编号:
1727-7167-1-ND
别名:1727-7167-1
568-9652-1
568-9652-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 67A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 67A(Tc) 157W(Tc) D2PAK
型号:
BUK9616-75B,118
仓库库存编号:
1727-4714-1-ND
别名:1727-4714-1
568-5864-1
568-5864-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A 8TDFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 100W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
IPC100N04S5L1R9ATMA1
仓库库存编号:
IPC100N04S5L1R9ATMA1CT-ND
别名:IPC100N04S5L1R9ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
N-CHANNEL_30/40V
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 100W(Tc) PG-TDSON-8-34
型号:
IPC100N04S51R9ATMA1
仓库库存编号:
IPC100N04S51R9ATMA1CT-ND
别名:IPC100N04S51R9ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 90A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 158W(Tc) DPAK
型号:
BUK624R5-30C,118
仓库库存编号:
1727-5512-1-ND
别名:1727-5512-1
568-6991-1
568-6991-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 157W(Tc) DPAK
型号:
BUK724R5-30C,118
仓库库存编号:
1727-4698-1-ND
别名:1727-4698-1
568-5846-1
568-5846-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 90A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 158W(Tc) DPAK
型号:
BUK6207-55C,118
仓库库存编号:
1727-5501-1-ND
别名:1727-5501-1
568-6978-1
568-6978-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD30N08S2L21ATMA1
仓库库存编号:
IPD30N08S2L21ATMA1CT-ND
别名:IPD30N08S2L-21CT
IPD30N08S2L-21CT-ND
IPD30N08S2L21ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 160A(Tc) 214W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB160N04S3-H2
仓库库存编号:
IPB160N04S3H2ATMA1CT-ND
别名:IPB160N04S3-H2CT
IPB160N04S3-H2CT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 85A(Tc) 238W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
BUK9Y12-100E,115
仓库库存编号:
1727-1121-1-ND
别名:1727-1121-1
568-10276-1
568-10276-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Nexperia USA Inc.
MOSFET 2N-CH 60V 40A LFPAK56
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 40A 64W Surface Mount LFPAK56D
型号:
BUK7K13-60EX
仓库库存编号:
1727-2462-1-ND
别名:1727-2462-1
568-12847-1
568-12847-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET 2N-CH 60V 40A LFPAK56
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 40A 64W Surface Mount LFPAK56D
型号:
BUK9K13-60EX
仓库库存编号:
1727-2467-1-ND
别名:1727-2467-1
568-12852-1
568-12852-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 12A(Tc) 3.8W(Ta),45W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9Z24NSTRLPBF
仓库库存编号:
IRF9Z24NSTRLPBFCT-ND
别名:IRF9Z24NSTRLPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 50V 3A 2.4W Surface Mount 8-SO
型号:
AUIRF7103QTR
仓库库存编号:
AUIRF7103QCT-ND
别名:AUIRF7103QCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Nexperia USA Inc.
MOSFET 2N-CH 30V 40A LFPAK56D
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 40A 64W Surface Mount LFPAK56D
型号:
BUK7K5R6-30E,115
仓库库存编号:
1727-7267-1-ND
别名:1727-7267-1
568-9897-1
568-9897-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 21A
详细描述:表面贴装 N 沟道 21A(Tc) 68W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD530N15N3GATMA1
仓库库存编号:
IPD530N15N3GATMA1CT-ND
别名:IPD530N15N3GATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 18A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Ta),45A(Tc) 3W(Ta),83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD053N06NATMA1
仓库库存编号:
IPD053N06NATMA1CT-ND
别名:IPD053N06N-ND
IPD053N06NATMA1CT
IPD053N06NCT
IPD053N06NCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 120W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR3915TRPBF
仓库库存编号:
IRLR3915TRPBFCT-ND
别名:IRLR3915TRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 74A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 74A(Tc) 148W(Tc) D2PAK
型号:
PSMN012-80BS,118
仓库库存编号:
1727-7206-1-ND
别名:1727-7206-1
568-9697-1
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