产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 109W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN1R7-30YL,115
仓库库存编号:
1727-4162-1-ND
别名:1727-4162-1
568-4678-1
568-4678-1-ND
PSMN1R730YL115
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 8TDSON
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 20A 41W Surface Mount PG-TDSON-8-4
型号:
IPG20N04S4L11ATMA1
仓库库存编号:
IPG20N04S4L11ATMA1CT-ND
别名:IPG20N04S4L11ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 86W(Tc) D2PAK
型号:
PSMN015-60BS,118
仓库库存编号:
1727-7207-1-ND
别名:1727-7207-1
568-9698-1
568-9698-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 20V 8TDSON
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel Complementary 20V 5.1A, 3.2A 2.5W Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
型号:
BSZ15DC02KDHXTMA1
仓库库存编号:
BSZ15DC02KDHXTMA1CT-ND
别名:BSZ15DC02KDHXTMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MV POWER MOS
详细描述:表面贴装 N 沟道 43A(Tc) 71W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD180N10N3GATMA1
仓库库存编号:
IPD180N10N3GATMA1TR-ND
别名:IPD180N10N3GATMA1-ND
IPD180N10N3GATMA1TR
SP000900132
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MV POWER MOS
详细描述:表面贴装 N 沟道 43A(Tc) 71W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD180N10N3GATMA1
仓库库存编号:
IPD180N10N3GATMA1CT-ND
别名:IPD180N10N3GATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MV POWER MOS
详细描述:表面贴装 N 沟道 43A(Tc) 71W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD180N10N3GATMA1
仓库库存编号:
IPD180N10N3GATMA1DKR-ND
别名:IPD180N10N3GATMA1DKR
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 32A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 32A(Tc) 130W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3411TRPBF
仓库库存编号:
IRFR3411TRPBFCT-ND
别名:IRFR3411TRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 8TDSON
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 20A 41W Surface Mount PG-TDSON-8-10
型号:
IPG20N04S4L11AATMA1
仓库库存编号:
IPG20N04S4L11AATMA1CT-ND
别名:IPG20N04S4L11AATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 78A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 78A(Tc) 128W(Tc) DPAK
型号:
BUK6210-55C,118
仓库库存编号:
1727-5503-1-ND
别名:1727-5503-1
568-6981-1
568-6981-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 42A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR2905ZTRPBF
仓库库存编号:
IRFR2905ZPBFCT-ND
别名:*IRFR2905ZTRPBF
IRFR2905ZPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
N-CHANNEL_100+
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 71W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD35N12S3L24ATMA1
仓库库存编号:
IPD35N12S3L24ATMA1CT-ND
别名:IPD35N12S3L24ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 70A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 70A(Tc) 158W(Tc) DPAK
型号:
BUK7214-75B,118
仓库库存编号:
1727-4696-1-ND
别名:1727-4696-1
568-5844-1
568-5844-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Tc) 3.8W(Ta),70W(Tc) D2PAK
型号:
IRF530NSTRLPBF
仓库库存编号:
IRF530NSTRLPBFCT-ND
别名:IRF530NSTRLPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 89A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 89A(Tc) 195W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
BUK7Y9R9-80EX
仓库库存编号:
1727-1489-1-ND
别名:1727-1489-1
568-10969-1
568-10969-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 8TDSON
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 55V 20A 43W Surface Mount PG-TDSON-8-10
型号:
IPG20N06S2L65AATMA1
仓库库存编号:
IPG20N06S2L65AATMA1CT-ND
别名:IPG20N06S2L65AATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Nexperia USA Inc.
MOSFET 2N-CH 40V 30A 56LFPAK
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 30A 53W Surface Mount LFPAK56D
型号:
BUK9K8R7-40EX
仓库库存编号:
1727-1491-1-ND
别名:1727-1491-1
568-10971-1
568-10971-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3-313
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 94W(Tc) PG-TO252-3-313
型号:
IPD90N04S403ATMA1
仓库库存编号:
IPD90N04S403ATMA1CT-ND
别名:IPD90N04S403ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 73A
详细描述:表面贴装 N 沟道 73A(Tc) 100W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD096N08N3GATMA1
仓库库存编号:
IPD096N08N3GATMA1CT-ND
别名:IPD096N08N3GATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 194W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN1R2-30YLDX
仓库库存编号:
1727-1860-1-ND
别名:1727-1860-1
568-11556-1
568-11556-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH TO252-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 73A(Tc) 75W(Tc) PG-TO252-3-313
型号:
IPD70P04P409ATMA1
仓库库存编号:
IPD70P04P409ATMA1CT-ND
别名:IPD70P04P409ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 18.6A TO252-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 18.6A(Tc) 80W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD18P06P G
仓库库存编号:
SPD18P06P GCT-ND
别名:SPD18P06P GCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 51A(Tc) 80W(Tc) D2PAK
型号:
IRLZ44ZSTRLPBF
仓库库存编号:
IRLZ44ZSTRLPBFCT-ND
别名:IRLZ44ZSTRLPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55A(Tc) 107W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR3103TRPBF
仓库库存编号:
IRLR3103PBFCT-ND
别名:*IRLR3103TRPBF
IRLR3103PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 50A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 103W(Tc) D2PAK
型号:
PSMN017-80BS,118
仓库库存编号:
1727-7209-1-ND
别名:1727-7209-1
568-9700-1
568-9700-1-ND
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