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• STMicroelectronics
  IGBT 650V 120A 420W TO247
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 120A 420W Through Hole TO-247
  
  型号：STGW60H65DRF
  仓库库存编号：497-13166-ND
  别名：497-13166
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 1200V 50A 375W TO247
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 1200V 50A 375W Through Hole TO-247 Long Leads
  
  型号：STGWA25M120DF3
  仓库库存编号：497-15136-5-ND
  别名：497-15136-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 1200V 40A HS TO-247
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 1200V 80A 468W Through Hole TO-247
  
  型号：STGW40H120F2
  仓库库存编号：497-14716-5-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 1200V 80A 468W TO-247-3
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 1200V 80A 468W Through Hole TO-247
  
  型号：STGWA40M120DF3
  仓库库存编号：497-15003-5-ND
  别名：497-15003-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 1200V 80A 555W TO247-3
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 1200V 80A 555W Through Hole TO-247-4L
  
  型号：FGH40T120SMDL4
  仓库库存编号：FGH40T120SMDL4-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 1200V 80A 468W TO-247
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 1200V 80A 468W Through Hole TO-247
  
  型号：STGW40M120DF3
  仓库库存编号：497-15002-5-ND
  别名：497-15002-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 120A 469W Through Hole TO-3P
  
  型号：STGWT80H65FB
  仓库库存编号：497-15141-5-ND
  别名：497-15141-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 650V 120A 469W MAX247
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 120A 469W Through Hole MAX247?
  
  型号：STGY80H65DFB
  仓库库存编号：497-14564-5-ND
  别名：497-14564-5
  STGY80H65DFB-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• M/A-Com Technology Solutions
  DIODE PIN CERAMIC SI
  详细描述：RF Diode PIN - Single 200V 7.5W SMD
  
  型号：MA4P4002F-1091T
  仓库库存编号：1465-1126-1-ND
  别名：1465-1126
  1465-1126-1
  1465-1126-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TRANS PNP 40V 1A TO-39
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 40V 1A 1W Through Hole TO-39
  
  型号：JANTX2N3467
  仓库库存编号：1088-1009-ND
  别名：1088-1009
  1088-1009-MIL
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 17A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 36W（Tc） LFPAK33
  
  型号：BUK9M53-60EX
  仓库库存编号：1727-2583-1-ND
  别名：1727-2583-1
  568-13027-1
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  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 39A LFPAK33
  详细描述：表面贴装 N 沟道 39A（Tc） 38W（Tc） LFPAK33
  
  型号：PSMN013-30MLC,115
  仓库库存编号：1727-7138-1-ND
  别名：1727-7138-1
  568-9571-1
  568-9571-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET 2N-CH 40V MLFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17.6A（Ta） 31W（Ta） LFPAK33
  
  型号：BUK9M52-40EX
  仓库库存编号：1727-7317-1-ND
  别名：1727-7317-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 9.3A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.3A（Tc） 36W（Tc） LFPAK33
  
  型号：BUK9M156-100EX
  仓库库存编号：1727-2572-1-ND
  别名：1727-2572-1
  568-13016-1
  568-13016-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V MLFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 36W（Tc） LFPAK33
  
  型号：BUK7M42-60EX
  仓库库存编号：1727-2562-1-ND
  别名：1727-2562-1
  568-13006-1
  568-13006-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 30A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 44W（Tc） LFPAK33
  
  型号：BUK9M24-40EX
  仓库库存编号：1727-2576-1-ND
  别名：1727-2576-1
  568-13020-1
  568-13020-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 57A LFPAK33
  详细描述：表面贴装 N 沟道 57A（Tc） 45W（Tc） LFPAK33
  
  型号：PSMN7R5-30MLDX
  仓库库存编号：1727-1794-1-ND
  别名：1727-1794-1
  568-11377-1
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  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 11.5A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11.5A（Tc） 44W（Tc） LFPAK33
  
  型号：BUK9M120-100EX
  仓库库存编号：1727-2570-1-ND
  别名：1727-2570-1
  568-13014-1
  568-13014-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 32A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 32A（Tc） 26W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN013-30YLC,115
  仓库库存编号：1727-6496-1-ND
  别名：1727-6496-1
  568-8528-1
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  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 66A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 66A（Tc） 47W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN6R1-30YLDX
  仓库库存编号：1727-1818-1-ND
  别名：1727-1818-1
  568-11434-1
  568-11434-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 17A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 37W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：BUK7Y59-60EX
  仓库库存编号：1727-1114-1-ND
  别名：1727-1114-1
  568-10269-1
  568-10269-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  PSMN6R1-25MLD/MLFPAK/REEL 7 Q
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 42W（Tc） LFPAK33
  
  型号：PSMN6R1-25MLDX
  仓库库存编号：1727-2504-1-ND
  别名：1727-2504-1
  568-12936-1
  568-12936-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 25V 73A LL LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 73A（Tc） 58W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN6R0-25YLB,115
  仓库库存编号：1727-6497-1-ND
  别名：1727-6497-1
  568-8529-1
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  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 30A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 94.9W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN038-100YLX
  仓库库存编号：1727-1815-1-ND
  别名：1727-1815-1
  568-11429-1
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  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 14.8A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14.8A（Tc） 59W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：BUK9Y104-100B,115
  仓库库存编号：1727-4612-1-ND
  别名：1727-4612-1
  568-5524-1
  568-5524-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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