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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 650V 120A 306W TO-3PN
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 120A 306W Through Hole TO-3PN
  
  型号：FGA6560WDF
  仓库库存编号：FGA6560WDF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 650V 120A 306W TO3P
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 120A 306W Through Hole TO-3PN
  
  型号：FGA6065ADF
  仓库库存编号：FGA6065ADF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 600V 80A 349W TO247
  详细描述：IGBT Field Stop 600V 80A 349W Through Hole TO-247-3
  
  型号：FGH40N60SMDF_F085
  仓库库存编号：FGH40N60SMDF_F085-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 270A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 270A（Tc） 3.8W（Ta）, 250W（Tc） D2PAK（7-Lead）
  
  型号：FDB0190N807L
  仓库库存编号：FDB0190N807LCT-ND
  别名：FDB0190N807LCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 330W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB160N75F3
  仓库库存编号：497-7937-1-ND
  别名：497-7937-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 460A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 460A（Tc） 3.8W（Ta），300W（Tc） D2PAK（7-Lead）
  
  型号：FDB0105N407L
  仓库库存编号：FDB0105N407LCT-ND
  别名：FDB0105N407LCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 650V 80A 283W TO247
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 80A 283W Through Hole TO-247
  
  型号：STGW40H65FB
  仓库库存编号：497-14036-5-ND
  别名：497-14036-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 40V 270A POWERSO-10
  详细描述：表面贴装 N 沟道 270A（Tc） 300W（Tc） 10-PowerSO
  
  型号：STV270N4F3
  仓库库存编号：497-7031-1-ND
  别名：497-7031-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 257A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 195A（Tc） 375W（Tc） TO-247AC
  
  型号：IRFP3006PBF
  仓库库存编号：IRFP3006PBF-ND
  别名：SP001556714
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 300A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 240A（Tc） 357W（Tj） 8-PSOF
  
  型号：FDBL0150N60
  仓库库存编号：FDBL0150N60CT-ND
  别名：FDBL0150N60CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 75V 240A POWERSO-10
  详细描述：表面贴装 N 沟道 240A（Tc） 300W（Tc） 10-PowerSO
  
  型号：STV240N75F3
  仓库库存编号：497-7029-1-ND
  别名：497-7029-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 120A H2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 315W（Tc） H2PAK
  
  型号：STH180N10F3-2
  仓库库存编号：497-11216-1-ND
  别名：497-11216-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 330W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB200N6F3
  仓库库存编号：497-10025-1-ND
  别名：497-10025-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 169A H-PSOF8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 169A（Tc） 500W（Tj） 8-PSOF
  
  型号：FDBL0630N150
  仓库库存编号：FDBL0630N150CT-ND
  别名：FDBL0630N150CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 55V 180A H2PAK-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 300W（Tc） H2PAK
  
  型号：STH250N55F3-6
  仓库库存编号：497-11309-1-ND
  别名：497-11309-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 200A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200A（Tc） 3.8W（Ta）, 250W（Tc） D2PAK（7-Lead）
  
  型号：FDB0300N1007L
  仓库库存编号：FDB0300N1007LCT-ND
  别名：FDB0300N1007LCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT H-SERIES 1200V 15A TO-247
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 1200V 30A 259W Through Hole TO-247
  
  型号：STGW15H120DF2
  仓库库存编号：497-14712-5-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 240A H-PSOF8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 240A（Tc） 357W（Tj） 8-PSOF
  
  型号：FDBL0210N80
  仓库库存编号：FDBL0210N80CT-ND
  别名：FDBL0210N80CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 75A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 500W（Tc） TO-247-3
  
  型号：HUFA75852G3_F085
  仓库库存编号：HUFA75852G3_F085-ND
  
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  IGBT 600V 120A 79W TO-3PF
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 600V 120A 79W Through Hole TO-3PF
  
  型号：STGFW80V60F
  仓库库存编号：497-15008-5-ND
  别名：497-15008-5
  
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  MOSFET N-CH 80V 310A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 310A（Tc） 3.8W（Ta），300W（Tc） D2PAK（TO-263）
  
  型号：FDB0165N807L
  仓库库存编号：FDB0165N807LTR-ND
  别名：FDB0165N807L-ND
  FDB0165N807LTR
  
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 310A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 310A（Tc） 3.8W（Ta），300W（Tc） D2PAK（TO-263）
  
  型号：FDB0165N807L
  仓库库存编号：FDB0165N807LCT-ND
  别名：FDB0165N807LCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 310A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 310A（Tc） 3.8W（Ta），300W（Tc） D2PAK（TO-263）
  
  型号：FDB0165N807L
  仓库库存编号：FDB0165N807LDKR-ND
  别名：FDB0165N807LDKR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 300A D2PAK
  详细描述：N 沟道 300A（Tc） 3.8W（Ta）, 250W（Tc） D2PAK（7-Lead）
  
  型号：FDB0170N607L
  仓库库存编号：FDB0170N607LCT-ND
  别名：FDB0170N607LCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 195A
  详细描述：通孔 N 沟道 195A（Tc） 375W（Tc） TO-262-3
  
  型号：IRL60SL216
  仓库库存编号：IRL60SL216-ND
  别名：IRL60SL216 -ND
  SP001558100
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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