以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 650V 100A 319W TO-3PN
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 100A 319W Through Hole TO-3PN
  
  型号：FGA50T65SHD
  仓库库存编号：FGA50T65SHD-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  IGBT 600V 80A 375W TO-247
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 600V 80A 375W Through Hole TO-247
  
  型号：STGW60H60DLFB
  仓库库存编号：497-14366-ND
  别名：497-14366
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET NCH 200V 72A D2PAK
  详细描述：N 沟道 72A（Tc） 375W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：AUIRFS4127
  仓库库存编号：AUIRFS4127-ND
  别名：SP001517544
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 650V 100A 340W TO-247AB
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 100A 340W Through Hole TO-247
  
  型号：FGH50T65UPD
  仓库库存编号：FGH50T65UPD-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  IGBT 600V 65A 250W TO247AD
  详细描述：IGBT 600V 65A 250W Through Hole TO-247AD
  
  型号：IRGP4640DPBF
  仓库库存编号：IRGP4640DPBF-ND
  别名：IRGP4640D-DPBF-ND
  SP001535770
  SP00153770
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 1000V 80A 333W TO247-3
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 1000V 80A 333W Through Hole TO-247-3
  
  型号：FGH40T100SMD_F155
  仓库库存编号：FGH40T100SMD_F155-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 117A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 117A（Tc） 294W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB082N15A
  仓库库存编号：FDB082N15AFSCT-ND
  别名：FDB082N15AFSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK-2
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200A（Tc） 300W（Tc） H2PAK
  
  型号：STH320N4F6-2
  仓库库存编号：497-13875-1-ND
  别名：497-13875-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 300A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 300A（Tc） 429W（Tj） 8-PSOF
  
  型号：FDBL0110N60
  仓库库存编号：FDBL0110N60CT-ND
  别名：FDBL0110N60CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 300A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 300A（Tc） 429W（Tj） 8-PSOF
  
  型号：FDBL0150N80
  仓库库存编号：FDBL0150N80CT-ND
  别名：FDBL0150N80CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-2
  详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 300W（Tc） H2PAK
  
  型号：STH270N4F3-2
  仓库库存编号：497-13773-1-ND
  别名：497-13773-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP020N08N5AKSA1
  仓库库存编号：IPP020N08N5AKSA1-ND
  别名：SP001132480
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 600V 80A 349W TO-247-3
  详细描述：IGBT Field Stop 600V 80A 349W Through Hole TO-247-3
  
  型号：FGH40N60SMD_F085
  仓库库存编号：FGH40N60SMD_F085-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 100A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI075N15N3GXKSA1
  仓库库存编号：IPI075N15N3GXKSA1-ND
  别名：SP000680676
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200A（Tc） 300W（Tc） H2PAK
  
  型号：STH320N4F6-6
  仓库库存编号：497-13838-1-ND
  别名：497-13838-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  IGBT 650V 80A 375W TO3P-3L
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 80A 375W Through Hole TO-3P
  
  型号：STGWT60H65FB
  仓库库存编号：497-14233-5-ND
  别名：497-14233-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  IGBT 600V 80A 375W TO3P-3L
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 600V 80A 375W Through Hole TO-3P
  
  型号：STGWT60H60DLFB
  仓库库存编号：497-14231-5-ND
  别名：497-14231-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  IGBT 650V 80A 375W TO3P-3L
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 80A 375W Through Hole TO-3P
  
  型号：STGWT60H65DFB
  仓库库存编号：497-14232-5-ND
  别名：497-14232-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  IGBT 600V 80A 375W TO247
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 600V 80A 375W Through Hole TO-247
  
  型号：STGW60V60F
  仓库库存编号：497-13835-5-ND
  别名：497-13835-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 300A H-PSOF8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 300A（Tc） 429W（Tj） 8-PSOF
  
  型号：FDBL0065N40
  仓库库存编号：FDBL0065N40CT-ND
  别名：FDBL0065N40CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  IGBT 600V 80A 375W TO3P
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 600V 80A 375W Through Hole
  
  型号：STGWT60V60DF
  仓库库存编号：497-13836-5-ND
  别名：497-13836-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 315W（Tc） H2PAK
  
  型号：STH180N10F3-6
  仓库库存编号：497-11840-1-ND
  别名：497-11840-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• M/A-Com Technology Solutions
  DIODE PIN SMQ CERAMIC SI
  详细描述：RF Diode PIN - Single 600V 10W
  
  型号：MA4P7006F-1072T
  仓库库存编号：1465-1235-1-ND
  别名：1465-1235-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 75A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 341W（Tc） TO-247AC
  
  型号：IRFP4127PBF
  仓库库存编号：IRFP4127PBF-ND
  别名：SP001566148
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 140A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 140A（Tc） 375W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA140N10
  仓库库存编号：FQA140N10-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索