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• ON Semiconductor
  T6 40V MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 53A（Ta），378A（Tc） 3.9W（Ta），200W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS5C404NT1G
  仓库库存编号：NTMFS5C404NT1GOSCT-ND
  别名：NTMFS5C404NT1GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 49A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 49A（Ta），352A（Tc） 3.9W（Ta），200W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS5C404NLWFT1G
  仓库库存编号：NVMFS5C404NLWFT1GOSCT-ND
  别名：NVMFS5C404NLWFT1GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 160A（Tc） 283W（Tc） D2PAK（TO-263）
  
  型号：FDB016N04AL7
  仓库库存编号：FDB016N04AL7CT-ND
  别名：FDB016N04AL7CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 110A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 110A（Tc） 333W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB86360_F085
  仓库库存编号：FDB86360_F085CT-ND
  别名：FDB86360_F085CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 1250V 60A 375W TO-247
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 1250V 60A 375W Through Hole TO-247
  
  型号：STGW28IH125DF
  仓库库存编号：497-14560-5-ND
  别名：497-14560-5
  STGW28IH125DF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP028N08N3GXKSA1
  仓库库存编号：IPP028N08N3GXKSA1-ND
  别名：IPP028N08N3 G
  IPP028N08N3 G-ND
  IPP028N08N3G
  SP000680766
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 100V 90A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 90A（Tc） 13.6W（Ta），375W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SUM90P10-19L-E3
  仓库库存编号：SUM90P10-19L-E3CT-ND
  别名：SUM90P10-19L-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 210A POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 210A（Tc） 3.5W（Ta）, 300W（Tc） 8-PSOF
  
  型号：FDBL0240N100
  仓库库存编号：FDBL0240N100CT-ND
  别名：FDBL0240N100CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET NCH 40V 523A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 523A（Tc） 375W（Tc） D2PAK（7-Lead）
  
  型号：AUIRFSA8409-7P
  仓库库存编号：AUIRFSA8409-7P-ND
  别名：SP001520354
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-2
  详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 315W（Tc） H2Pak-2
  
  型号：STH275N8F7-2AG
  仓库库存编号：497-15473-1-ND
  别名：497-15473-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  AUTOMOTIVE 650V FS GEN3
  详细描述：IGBT NPT 650V 80A 267W Through Hole TO-247
  
  型号：FGH40T65SPD_F085
  仓库库存编号：FGH40T65SPD_F085-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 75V 19A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Ta） 310W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB045AN08A0_F085
  仓库库存编号：FDB045AN08A0_F085CT-ND
  别名：FDB045AN08A0_F085CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 600V 80A 283W TO3P-3
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 600V 80A 283W Through Hole TO-3P
  
  型号：STGWT40V60DF
  仓库库存编号：497-13771-5-ND
  别名：497-13771-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 300W（Tc） H2PAK-6
  
  型号：STH260N6F6-6
  仓库库存编号：497-15144-1-ND
  别名：497-15144-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 250W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP030N10N5AKSA1
  仓库库存编号：IPP030N10N5AKSA1-ND
  别名：SP001227032
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 80V 110A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 110A（Tc） 13.6W（Ta），375W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SUM110P08-11L-E3
  仓库库存编号：SUM110P08-11L-E3CT-ND
  别名：SUM110P08-11L-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  IGBT 650V 100A TO-3PN
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 100A 268W Through Hole TO-3PN
  
  型号：FGA5065ADF
  仓库库存编号：FGA5065ADF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 315W（Tc） H2PAK-6
  
  型号：STH275N8F7-6AG
  仓库库存编号：497-15474-1-ND
  别名：497-15474-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 300W（Tc） H2PAK
  
  型号：STH400N4F6-6
  仓库库存编号：497-14537-1-ND
  别名：497-14537-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 120A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 395W（Tc） TO-220AB
  
  型号：FDP025N06
  仓库库存编号：FDP025N06-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET NCH 40V 240A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 240A（Tc） 375W（Tc） D2PAK（7-Lead）
  
  型号：AUIRLS8409-7P
  仓库库存编号：AUIRLS8409-7P-ND
  别名：SP001521838
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET P-CH 40V 110A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 110A（Tc） 15W（Ta），375W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SUM110P04-05-E3
  仓库库存编号：SUM110P04-05-E3CT-ND
  别名：SUM110P04-05-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  IGBT 600V 80A 62.5W TO-3PF
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 600V 80A 62.5W Through Hole TO-3PF
  
  型号：STGFW40V60F
  仓库库存编号：497-15007-5-ND
  别名：497-15007-5
  
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 310W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：HUFA75645S3S
  仓库库存编号：HUFA75645S3SCT-ND
  别名：HUFA75645S3SCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 600V 80A 62.5W TO-3PF
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 600V 80A 62.5W TO-3PF-3
  
  型号：STGFW40V60DF
  仓库库存编号：497-15124-5-ND
  别名：497-15124-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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