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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 110A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 110A（Tc） 3.75W（Ta），272W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SUM110P06-08L-E3
  仓库库存编号：SUM110P06-08L-E3CT-ND
  别名：SUM110P06-08L-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP80NF55L-06
  仓库库存编号：497-5898-5-ND
  别名：497-5898-5
  STP80NF55L-06-ND
  STP80NF55L06
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 75A TO220AB
  详细描述：通孔 P 沟道 75A（Tc） 3.75W（Ta），187W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SUP75P03-07-E3
  仓库库存编号：SUP75P03-07-E3-ND
  别名：SUP75P0307E3
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta），80A（Tc） 310W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB035AN06A0
  仓库库存编号：FDB035AN06A0CT-ND
  别名：FDB035AN06A0CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 395W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB024N06
  仓库库存编号：FDB024N06CT-ND
  别名：FDB024N06CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 40V 110A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 110A（Tc） 3.75W（Ta），375W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SUM110P04-04L-E3
  仓库库存编号：SUM110P04-04L-E3CT-ND
  别名：SUM110P04-04L-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 338W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PSMN1R1-30PL,127
  仓库库存编号：1727-5291-ND
  别名：1727-5291
  568-6719
  568-6719-5
  568-6719-5-ND
  568-6719-ND
  934065166127
  PSMN1R130PL127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 30A TO-220F
  详细描述：通孔 P 沟道 30A（Tc） 62W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF47P06
  仓库库存编号：FQPF47P06FS-ND
  别名：FQPF47P06-ND
  FQPF47P06FS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 315W（Tc） H2PAK
  
  型号：STH315N10F7-6
  仓库库存编号：497-14719-1-ND
  别名：497-14719-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET P-CH 55V 80A TO-220
  详细描述：通孔 P 沟道 80A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP80PF55
  仓库库存编号：497-2729-5-ND
  别名：497-2729-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 333W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB035N10A
  仓库库存编号：FDB035N10ACT-ND
  别名：FDB035N10ACT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB031N08
  仓库库存编号：FDB031N08CT-ND
  别名：FDB031N08CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 110A（Tc） 3.75W（Ta），375W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SUM110N06-3M9H-E3
  仓库库存编号：SUM110N06-3M9H-E3CT-ND
  别名：SUM110N06-3M9H-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 40V 120A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 310W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP200NF04
  仓库库存编号：497-3524-5-ND
  别名：497-3524-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 24V 280A POWERSO-10
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200A（Tc） 300W（Tc） 10-PowerSO
  
  型号：STV300NH02L
  仓库库存编号：497-7614-1-ND
  别名：497-7614-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 150V 152A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 11.5A（Ta），152A（Tc） 2.1W（Ta），375W（Tc） TO-220
  
  型号：AOT2500L
  仓库库存编号：785-1650-5-ND
  别名：785-1650-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 100V 200A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200A（Ta） 375W（Tc） DDPAK/TO-263-3
  
  型号：CSD19536KTTT
  仓库库存编号：296-41136-1-ND
  别名：296-41136-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 100V TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 150A（Ta） 375W（Tc） TO-220-3
  
  型号：CSD19536KCS
  仓库库存编号：296-37289-5-ND
  别名：296-37289-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V TO-247-3
  详细描述：通孔 N 沟道 158A（Tc） 429W（Tc） TO-247
  
  型号：FDH055N15A
  仓库库存编号：FDH055N15A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 200V 26A TO-263
  详细描述：表面贴装 P 沟道 26A（Tc） 300W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA26P20P
  仓库库存编号：IXTA26P20P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 200V 26A TO-220
  详细描述：通孔 P 沟道 26A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP26P20P
  仓库库存编号：IXTP26P20P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 180A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 180A（Tc） 315W（Tc） TO-220
  
  型号：STP315N10F7
  仓库库存编号：497-14717-5-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 200A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 200A（Tc） 550W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH200N10T
  仓库库存编号：IXTH200N10T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• M/A-Com Technology Solutions
  DIODE PIN CERAMIC SI
  详细描述：RF Diode PIN - Single 100V 5W
  
  型号：MA4P4301F-1091T
  仓库库存编号：1465-1229-1-ND
  别名：1465-1229-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 650V 160A 625W TO247AD
  详细描述：IGBT PT 650V 160A 625W Through Hole TO-247 (IXXH)
  
  型号：IXXH80N65B4H1
  仓库库存编号：IXXH80N65B4H1-ND
  别名：629411
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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