产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 240A PSOF8
详细描述:表面贴装 N 沟道 240A(Tc) 357W(Tj) 8-PSOF
型号:
FDBL9403_F085
仓库库存编号:
FDBL9403_F085CT-ND
别名:FDBL9403_F085CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET NCH 135V 129A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 129A(Tc) 441W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IRF135B203
仓库库存编号:
IRF135B203-ND
别名:SP001576588
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 600V 40A 62.5W TO-3PF
详细描述:IGBT Field Stop 600V 40A 75W Through Hole TO-3PF
型号:
FGAF20N60SMD
仓库库存编号:
FGAF20N60SMD-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
IGBT 650V 40A 168W TO3P
详细描述:IGBT Trench Field Stop 650V 40A 168W Through Hole TO-3P
型号:
STGWT20H65FB
仓库库存编号:
497-15139-5-ND
别名:497-15139-5
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 80A PWRFLT5X6
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 5W(Ta),100W(Tc) PowerFlat?(5x6)
型号:
STL100N10F7
仓库库存编号:
497-13649-1-ND
别名:497-13649-1
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 79A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 79A(Tc) 310W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB2532_F085
仓库库存编号:
FDB2532_F085CT-ND
别名:FDB2532_F085CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 75V 18A POWERFLAT56
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 80W(Tc) PowerFlat?(5x6)
型号:
STL80N75F6
仓库库存编号:
497-12981-1-ND
别名:497-12981-1
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
IGBT 1250V 40A 259W TO-3P
详细描述:IGBT Trench Field Stop 1250V 40A 259W Through Hole TO-3P
型号:
STGWT20IH125DF
仓库库存编号:
497-14561-5-ND
别名:497-14561-5
STGWT20IH125DF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 600V 80A 238W TO-3PN
详细描述:IGBT Trench Field Stop 600V 80A 238W Through Hole TO-3PN
型号:
FGA4060ADF
仓库库存编号:
FGA4060ADF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 240A H-PSOF8
详细描述:表面贴装 N 沟道 240A(Tc) 300W(Tj) 8-PSOF
型号:
FDBL0120N40
仓库库存编号:
FDBL0120N40CT-ND
别名:FDBL0120N40CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 80A POWER56
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Ta),198A(Tc) 3.3W(Ta),187W(Tc) Power56
型号:
FDMS86350ET80
仓库库存编号:
FDMS86350ET80CT-ND
别名:FDMS86350ET80CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
STB150NF04
仓库库存编号:
497-8805-1-ND
别名:497-8805-1
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
STB150NF55T4
仓库库存编号:
497-7934-1-ND
别名:497-7934-1
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 650V 80A 238W TO-3PN
详细描述:IGBT Trench Field Stop 650V 80A 238W Through Hole TO-3PN
型号:
FGA6540WDF
仓库库存编号:
FGA6540WDF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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STMicroelectronics
IGBT 600V 60A 58W TO-3PF
详细描述:IGBT Trench Field Stop 600V 60A 58W Through Hole TO-3PF
型号:
STGFW30V60DF
仓库库存编号:
497-15011-5-ND
别名:497-15011-5
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 22A TO-263AB
详细描述:表面贴装 N 沟道 22A(Ta) 310W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB035AN06A0_F085
仓库库存编号:
FDB035AN06A0_F085CT-ND
别名:FDB035AN06A0_F085CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 98A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 110A(Tc) 200W(Tc) TO-247AC
型号:
AUIRFP064N
仓库库存编号:
AUIRFP064N-ND
别名:SP001520104
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 375W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP5500_F085
仓库库存编号:
FDP5500_F085-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 1250V 50A 250W TO-3PN
详细描述:IGBT Trench Field Stop 1250V 50A 250W Through Hole TO-3PN
型号:
FGA25S125P_SN00337
仓库库存编号:
FGA25S125P_SN00337-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 231W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB029N06
仓库库存编号:
FDB029N06CT-ND
别名:FDB029N06CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 240A(Tc) 330W(Tc) D2PAK(7-Lead)
型号:
AUIRF2804S-7P
仓库库存编号:
AUIRF2804S-7P-ND
别名:SP001521640
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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STMicroelectronics
IGBT 600V 80A 283W TO3P-3L
详细描述:IGBT Trench Field Stop 600V 80A 283W Through Hole TO-3P
型号:
STGWT40H60DLFB
仓库库存编号:
497-14228-5-ND
别名:497-14228-5
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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STMicroelectronics
IGBT 650V 80A 283W TO3P-3L
详细描述:IGBT Trench Field Stop 650V 80A 283W Through Hole TO-3P
型号:
STGWT40H65FB
仓库库存编号:
497-14230-5-ND
别名:497-14230-5
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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STMicroelectronics
IGBT 650V 80A 283W TO3P-3L
详细描述:IGBT Trench Field Stop 650V 80A 283W Through Hole TO-3P
型号:
STGWT40H65DFB
仓库库存编号:
497-14229-5-ND
别名:497-14229-5
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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STMicroelectronics
IGBT 600V 80A 283W TO247
详细描述:IGBT Trench Field Stop 600V 80A 283W Through Hole TO-247
型号:
STGW40V60F
仓库库存编号:
497-13834-5-ND
别名:497-13834-5
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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