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• STMicroelectronics
  IGBT 650V 30A 260W TO3PL
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 30A 260W Through Hole TO-3P
  
  型号：STGWT30H65FB
  仓库库存编号：497-14468-5-ND
  别名：497-14468-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  650V FS GEN3 TRENCH IGBT
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 80A 268W Through Hole TO-3PN
  
  型号：FGA40S65SH
  仓库库存编号：FGA40S65SH-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 240A PSOF8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 240A（Tc） 357W（Tj） 8-PSOF
  
  型号：FDBL86563_F085
  仓库库存编号：FDBL86563_F085CT-ND
  别名：FDBL86563_F085CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 240A PSOF8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 240A（Tc） 357W（Tj） 8-PSOF
  
  型号：FDBL86363_F085
  仓库库存编号：FDBL86363_F085CT-ND
  别名：FDBL86363_F085CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  IGBT 650V 40A TO247
  详细描述：IGBT 650V 80A 300W Through Hole TO-247
  
  型号：AOK40B65H1
  仓库库存编号：785-1754-ND
  别名：785-1754
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 600V 60A 258W TO3P-3
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 600V 60A 258W Through Hole TO-3P
  
  型号：STGWT30V60DF
  仓库库存编号：497-13770-5-ND
  别名：497-13770-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 600V 80A 349W D2PAK
  详细描述：IGBT Field Stop 600V 80A 349W Surface Mount TO-263AB (D2PAK)
  
  型号：FGB40N60SM
  仓库库存编号：FGB40N60SMCT-ND
  别名：FGB40N60SMCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 300W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB80NF55L-06T4
  仓库库存编号：497-12541-1-ND
  别名：497-12541-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 90A H2PAK-2
  详细描述：表面贴装 N 沟道 110A（Tc） 250W（Tc） H2PAK
  
  型号：STH150N10F7-2
  仓库库存编号：497-14979-1-ND
  别名：497-14979-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 650V 80A 231W TO3PN
  详细描述：IGBT NPT 650V 80A 231W Through Hole TO-3PN
  
  型号：FGA40T65UQDF
  仓库库存编号：FGA40T65UQDF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 77A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 77A（Tc） 44.1W（Tc） TO-220F
  
  型号：FDPF041N06BL1
  仓库库存编号：FDPF041N06BL1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 120A TO-220
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 375W（Tc）
  
  型号：SQM120N06-3M5L_GE3
  仓库库存编号：SQM120N06-3M5L_GE3CT-ND
  别名：SQM120N06-3M5L_GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 90A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 90A（Tc） 214W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA90N08
  仓库库存编号：FQA90N08-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 15A TO-263AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Tc） 300W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB15N50
  仓库库存编号：FDB15N50CT-ND
  别名：FDB15N50CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 650V 60A 238W TO-3PN
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 60A 238W Through Hole TO-3PN
  
  型号：FGA30T65SHD
  仓库库存编号：FGA30T65SHD-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 300W（Tc） H2PAK
  
  型号：STH240N10F7-6
  仓库库存编号：497-15312-1-ND
  别名：497-15312-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 195A（Tc） 300W（Tc） D2PAK
  
  型号：AUIRF2804S
  仓库库存编号：AUIRF2804S-ND
  别名：SP001520210
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 650V 60A 300W TO3P-3
  详细描述：IGBT Field Stop 650V 60A 300W Through Hole TO-3P
  
  型号：FGA30N65SMD
  仓库库存编号：FGA30N65SMD-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 195A TO262
  详细描述：通孔 N 沟道 195A（Tc） 300W（Tc） TO-262
  
  型号：AUIRF2804L
  仓库库存编号：AUIRF2804L-ND
  别名：SP001522590
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 650V 80A 268W TO-247-3
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 80A 268W Through Hole TO-247 Long Leads
  
  型号：FGH40T65SH_F155
  仓库库存编号：FGH40T65SH_F155-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 135V 160A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 160A（Tc） 500W（Tc） D2PAK-7
  
  型号：IRF135SA204
  仓库库存编号：IRF135SA204CT-ND
  别名：IRF135SA204CT
  
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 32A（Ta），245A（Tc） 3.3W（Ta），187W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS86550ET60
  仓库库存编号：FDMS86550ET60CT-ND
  别名：FDMS86550ET60CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 1250V 40A 259W TO-247
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 1250V 40A 259W Through Hole TO-247
  
  型号：STGW20IH125DF
  仓库库存编号：497-14559-5-ND
  别名：497-14559-5
  STGW20IH125DF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 250W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP015N04NGXKSA1
  仓库库存编号：IPP015N04NGXKSA1-ND
  别名：IPP015N04N G
  IPP015N04N G-ND
  IPP015N04NG
  SP000680760
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 300W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB200NF03T4
  仓库库存编号：497-6548-1-ND
  别名：497-6548-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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