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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 110A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 110A（Tc） 300W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB86363_F085
  仓库库存编号：FDB86363_F085CT-ND
  别名：FDB86363_F085CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 650V 60A 176W TO3PN
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 60A 176W Through Hole TO-3PN
  
  型号：FGA6530WDF
  仓库库存编号：FGA6530WDF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 600V 60A 176W TO-3PN
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 600V 60A 176W Through Hole TO-3PN
  
  型号：FGA3060ADF
  仓库库存编号：FGA3060ADF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 600V 60A 258W TO247
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 600V 60A 258W Through Hole TO-247
  
  型号：STGW30V60DF
  仓库库存编号：497-13765-5-ND
  别名：497-13765-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT HB 600V 30A HS TO247
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 600V 60A 260W Through Hole TO-247-3
  
  型号：STGW30H60DLFB
  仓库库存编号：497-15545-5-ND
  别名：497-15545-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 300W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB170NF04
  仓库库存编号：497-12535-1-ND
  别名：497-12535-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） D2PAK（TO-263）
  
  型号：SQM60030E_GE3
  仓库库存编号：SQM60030E_GE3CT-ND
  别名：SQM60030E_GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 650V 60A 58W TO3PF
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 60A 58W Through Hole TO-3PF-3
  
  型号：STGFW30H65FB
  仓库库存编号：497-15123-5-ND
  别名：497-15123-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 75V 120A TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 245W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP023N08B_F102
  仓库库存编号：FDP023N08B_F102-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 80A 283W Surface Mount D2PAK
  
  型号：STGB40H65FB
  仓库库存编号：497-16977-1-ND
  别名：497-16977-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-2
  详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 300W（Tc） H2Pak-2
  
  型号：STH265N6F6-2AG
  仓库库存编号：497-15471-1-ND
  别名：497-15471-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 195A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 195A（Tc） 231W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL40S212
  仓库库存编号：IRL40S212-ND
  别名：IRL40S212CT
  IRL40S212CT-ND
  SP001568454
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 300W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB80NF55-06T4
  仓库库存编号：497-6558-1-ND
  别名：497-6558-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N CH 200V 30A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 150W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB30NF20L
  仓库库存编号：497-13392-1-ND
  别名：497-13392-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF3805PBF
  仓库库存编号：IRF3805PBF-ND
  别名：SP001561690
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 310W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：HUF75645S3ST
  仓库库存编号：HUF75645S3STCT-ND
  别名：HUF75645S3STCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 55A 8-PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55A（Ta），423A（Tc） 3.3W（Ta），180W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS8050ET30
  仓库库存编号：FDMS8050ET30CT-ND
  别名：FDMS8050ET30CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 90A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 375W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SUM90142E-GE3
  仓库库存编号：SUM90142E-GE3TR-ND
  别名：SUM90142E-GE3TR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 90A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 375W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SUM90142E-GE3
  仓库库存编号：SUM90142E-GE3CT-ND
  别名：SUM90142E-GE3-ND
  SUM90142E-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 300W（Tc） H2PAK-6
  
  型号：STH265N6F6-6AG
  仓库库存编号：497-15472-1-ND
  别名：497-15472-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 90A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 3.75W（Ta），300W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SUM90N10-8M2P-E3
  仓库库存编号：SUM90N10-8M2P-E3CT-ND
  别名：SUM90N10-8M2P-E3CT
  
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  IGBT 600V 60A 260W TO247
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 600V 60A 260W Through Hole TO-247
  
  型号：STGW30V60F
  仓库库存编号：497-13960-5-ND
  别名：497-13960-5
  STGW30V60F-ND
  
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 60V 15A
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 15A 1.1W Surface Mount 12-Power3.3x5
  
  型号：FDMD8260LET60
  仓库库存编号：FDMD8260LET60CT-ND
  别名：FDMD8260LET60CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 110A TO263AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 110A（Tc） 333W（Tj） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB9403_F085
  仓库库存编号：FDB9403_F085CT-ND
  别名：FDB9403_F085CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 110A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 110A（Tc） 333W（Tj） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB9403L_F085
  仓库库存编号：FDB9403L_F085CT-ND
  别名：FDB9403L_F085CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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