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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 30A SO8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30A（Tc） 68W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJ403BEEP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJ403BEEP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJ403BEEP-T1_GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 20A TO252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20A（Tc） 46W（Tc）
  
  型号：SQD19P06-60L_GE3
  仓库库存编号：SQD19P06-60L_GE3CT-ND
  别名：SQD19P06-60L_GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 15A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta），66A（Tc） 3.2W（Ta），63W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：FDD6670A
  仓库库存编号：FDD6670ACT-ND
  别名：FDD6670ACT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 8A PWRFLAT56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 75W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL30N10F7
  仓库库存编号：497-14540-1-ND
  别名：497-14540-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 80A POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 214W（Tj） Power56
  
  型号：FDMS86568_F085
  仓库库存编号：FDMS86568_F085CT-ND
  别名：FDMS86568_F085CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  N-CHANNEL 60 V, 0.0031 OHM TYP.,
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 134W（Tc） DPAK
  
  型号：STD140N6F7
  仓库库存编号：497-16937-1-ND
  别名：497-16937-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET DUAL P-CHAN 60V SO8
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 60V 4.4A (Tc) 3.3W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SQ4961EY-T1_GE3
  仓库库存编号：SQ4961EY-T1_GE3CT-ND
  别名：SQ4961EY-T1_GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 21A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.7A（Ta），21A（Tc） 95W（Tc） TO-252AA
  
  型号：FDD2582
  仓库库存编号：FDD2582CT-ND
  别名：FDD2582CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 9.5A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.5A（Ta），50A（Tc） 125W（Tc） TO-252AA
  
  型号：FDD14AN06LA0_F085
  仓库库存编号：FDD14AN06LA0_F085CT-ND
  别名：FDD14AN06LA0_F085CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Tc） 100W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD25NF10T4
  仓库库存编号：497-7962-1-ND
  别名：497-7962-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 420V 25A 125W IPAK
  详细描述：IGBT 420V 25A 125W Through Hole I-Pak
  
  型号：STGD18N40LZ-1
  仓库库存编号：497-15121-5-ND
  别名：497-15121-5
  STGD18N40LZ-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 80A 8PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 214W（Tj） Power56
  
  型号：FDMS9408_F085
  仓库库存编号：FDMS9408_F085CT-ND
  别名：FDMS9408_F085CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 16.5A POWERDI
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16.5A（Ta），88A（Tc） 3.3W（Ta） PowerDI5060-8
  
  型号：DMNH6008SPS-13
  仓库库存编号：DMNH6008SPS-13DICT-ND
  别名：DMNH6008SPS-13DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 31V 40V TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 3.9W（Ta）, 180W（Tc） TO-252
  
  型号：DMTH4004SK3-13
  仓库库存编号：DMTH4004SK3-13DICT-ND
  别名：DMTH4004SK3-13DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 80A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 214W（Tj） Power56
  
  型号：FDMS9408L_F085
  仓库库存编号：FDMS9408L_F085CT-ND
  别名：FDMS9408L_F085CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N/P-CH 30V 6A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 6A 1W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4542DY
  仓库库存编号：SI4542DYCT-ND
  别名：SI4542DYCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 20A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 110W（Tc） TO-252AA
  
  型号：HUF76629D3ST
  仓库库存编号：HUF76629D3STCT-ND
  别名：HUF76629D3STCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  T6 40V MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Ta）, 102A（Tc） 3.6W（Ta）, 68W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS5C450NT1G
  仓库库存编号：NTMFS5C450NT1GOSCT-ND
  别名：NTMFS5C450NT1GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 21A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Ta） 160W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：FDD8870_F085
  仓库库存编号：FDD8870_F085CT-ND
  别名：FDD8870_F085CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 80V 80A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 167W（Tc） DPAK
  
  型号：STD110N8F6
  仓库库存编号：497-16032-1-ND
  别名：497-16032-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 100A POWERDI506
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20.6A（Ta），100A（Tc） 3.2W（Ta）, 150W（Tc） PowerDI5060-8
  
  型号：DMTH6005LPSQ-13
  仓库库存编号：DMTH6005LPSQ-13DICT-ND
  别名：DMTH6005LPSQ-13DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 97A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 97A（Tc） 221W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF100B202
  仓库库存编号：IRF100B202-ND
  别名：SP001561488
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 100A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 227W（Tj） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：FDD86567_F085
  仓库库存编号：FDD86567_F085CT-ND
  别名：FDD86567_F085CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 100V 35A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 91W（Tc） DPAK
  
  型号：AUIRFR540Z
  仓库库存编号：AUIRFR540Z-ND
  别名：SP001521742
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 70W（Tc） D2PAK（TO-263）
  
  型号：STB80N4F6AG
  仓库库存编号：497-16506-1-ND
  别名：497-16506-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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