产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 60A SO8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 68W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SQJ444EP-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJ444EP-T1_GE3CT-ND
别名：SQJ444EP-T1_GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 60A SO8
详细描述：表面贴装 P 沟道 60A（Tc） 68W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SQJ411EP-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJ411EP-T1_GE3CT-ND
别名：SQJ411EP-T1_GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 60A SO8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 68W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SQJA80EP-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJA80EP-T1_GE3CT-ND
别名：SQJA80EP-T1_GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 40V 15A PPAK SO-8
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 15A (Ta), 18A (Tc) 48W, 43W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual Asymmetric
型号：
SQJ940EP-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJ940EP-T1_GE3CT-ND
别名：SQJ940EP-T1_GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 18A SOT23-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 7.1W（Tc） 8-SO
型号：
SQ4080EY-T1_GE3
仓库库存编号：
SQ4080EY-T1_GE3CT-ND
别名：SQ4080EY-T1_GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 300W（Tc） D2PAK
型号：
BUK7604-40A,118
仓库库存编号：
1727-7161-1-ND
别名：1727-7161-1
568-9644-1
568-9644-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 14.8A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 14.8A（Ta），70A（Tc） 31W（Ta） TO-252
型号：
DMTH6010LK3Q-13
仓库库存编号：
DMTH6010LK3Q-13DICT-ND
别名：DMTH6010LK3Q-13DICT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET NCH 80V 10A POWERDI
详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta），72A（Tc） 2.6W（Ta）, 136W（Tc） PowerDI5060-8
型号：
DMTH8012LPSQ-13
仓库库存编号：
DMTH8012LPSQ-13DICT-ND
别名：DMTH8012LPSQ-13DICT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 14.2A 2.6W Surface Mount PowerDI5060-8
型号：
DMTH4007SPD-13
仓库库存编号：
DMTH4007SPD-13DICT-ND
别名：DMTH4007SPD-13DICT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 55V 20A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 128W（Tc） TO-252AA
型号：
HUF75329D3ST
仓库库存编号：
HUF75329D3STFSCT-ND
别名：HUF75329D3STFSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 23A WDFN8
详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Ta），107A（Tc） 3.3W（Ta）, 68W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
型号：
NTTFS5C453NLTAG
仓库库存编号：
NTTFS5C453NLTAGOSCT-ND
别名：NTTFS5C453NLTAGOSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 37A 8WDFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta） 3.2W（Ta），21W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
型号：
NVTFS5820NLTWG
仓库库存编号：
NVTFS5820NLTWGOSCT-ND
别名：NVTFS5820NLTWGOSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 40A 8WDFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta） 3.2W（Ta），21W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
型号：
NVTFS5811NLTAG
仓库库存编号：
NVTFS5811NLTAGOSCT-ND
别名：NVTFS5811NLTAGOSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET NCH 60V 90A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 2.1W（Ta），100W（Tc） TO-252-4L
型号：
DMTH6005LK3Q-13
仓库库存编号：
DMTH6005LK3Q-13DICT-ND
别名：DMTH6005LK3Q-13DICT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 28A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 28A（Tc） 70W（Tc） D-Pak
型号：
STD30NF06T4
仓库库存编号：
497-6562-1-ND
别名：497-6562-1
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH POWERDI5060-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 20.9A（Ta），100A（Tc） 2.6W（Ta），150W（Tc） PowerDI5060-8
型号：
DMTH4005SPSQ-13
仓库库存编号：
DMTH4005SPSQ-13DICT-ND
别名：DMTH4005SPSQ-13DICT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 40V 31A PWRDI5060-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 31A（Ta），100A（Tc） 3.6W（Ta）, 167W（Tc） PowerDI5060-8
型号：
DMTH4004SPSQ-13
仓库库存编号：
DMTH4004SPSQ-13DICT-ND
别名：DMTH4004SPSQ-13DICT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 6.8W（Tc）
型号：
SQ4850EY-T1_GE3
仓库库存编号：
SQ4850EY-T1_GE3CT-ND
别名：SQ4850EY-T1_GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CHA 60V 100A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 3.9W（Ta）, 180W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
DMTH6004SK3-13
仓库库存编号：
DMTH6004SK3-13DICT-ND
别名：DMTH6004SK3-13DICT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506
详细描述：表面贴装 N 沟道 31A（Ta），100A（Tc） 3.6W（Ta）, 167W（Tc） PowerDI5060-8
型号：
DMTH4004SPS-13
仓库库存编号：
DMTH4004SPS-13DICT-ND
别名：DMTH4004SPS-13DICT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 14.2A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 14.2A（Ta），59A（Tc） 3.2W（Ta）, 60W（Tc） TO-252
型号：
DMTH6009LK3Q-13
仓库库存编号：
DMTH6009LK3Q-13DICT-ND
别名：DMTH6009LK3Q-13DICT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CHA 60V 50A POWERDI
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 1.6W（Ta） PowerDI5060-8
型号：
DMNH6012SPS-13
仓库库存编号：
DMNH6012SPS-13DICT-ND
别名：DMNH6012SPS-13DICT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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Comchip Technology
RECT BRIDGE GP 1000V 4A Z4-D
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 4A Surface Mount Z4-D
型号：
Z4DGP410L-HF
仓库库存编号：
641-1504-1-ND
别名：641-1504-1
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 32A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 32A（Tc） 100W（Tc） DPAK
型号：
NTD6414ANT4G
仓库库存编号：
NTD6414ANT4GOSCT-ND
别名：NTD6414ANT4GOSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 40V POWERDI506
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 14.2A 2.6W Surface Mount PowerDI5060-8
型号：
DMTH4007SPDQ-13
仓库库存编号：
DMTH4007SPDQ-13DICT-ND
别名：DMTH4007SPDQ-13DICT
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