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• STMicroelectronics
  MOSFET P-CH 60V SOT-223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.6W（Tc） SOT-223
  
  型号：STN3P6F6
  仓库库存编号：497-13537-1-ND
  别名：497-13537-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Comchip Technology
  RECT BRIDGE GP 1000V 2A ABSZ4
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 2A Surface Mount ABS(Z4)
  
  型号：Z4GP210-HF
  仓库库存编号：641-1509-1-ND
  别名：641-1509-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET ARRAY 2N-CH 40V SO8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 15A (Tc) 27W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
  
  型号：SQJ946EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJ946EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJ946EP-T1_GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.5W（Ta），28W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS5C468NLT1G
  仓库库存编号：NTMFS5C468NLT1GOSCT-ND
  别名：NTMFS5C468NLT1GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Comchip Technology
  RECT BRIDGE GP 800V 2A ABSZ4
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 2A Surface Mount ABS(Z4)
  
  型号：Z4GP208L-HF
  仓库库存编号：641-1508-1-ND
  别名：641-1508-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 23A SO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Tc） 45W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJ476EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJ476EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJ476EP-T1_GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Comchip Technology
  RECT BRIDGE GP 600V 2A ABSZ4
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 2A Surface Mount ABS(Z4)
  
  型号：Z4GP206L-HF
  仓库库存编号：641-1506-1-ND
  别名：641-1506-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS 41V 60V POWERDI5060
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11.76A (Ta)，89.5A (Tc) 2.8W（Ta）, 136W（Tc） PowerDI5060-8
  
  型号：DMTH6009LPS-13
  仓库库存编号：DMTH6009LPS-13DICT-ND
  别名：DMTH6009LPS-13DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 150V 4.7A 1212-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.7A（Tc） 62.5W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SQS481ENW-T1_GE3
  仓库库存编号：SQS481ENW-T1_GE3CT-ND
  别名：SQS481ENW-T1_GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 70A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 45A（Ta），70A（Tc） 7.5W（Ta），60W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD510
  仓库库存编号：785-1481-1-ND
  别名：785-1481-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 13A SGL DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta），79A（Tc） 1.4W（Ta），52W（Tc） DPAK
  
  型号：NTD4904NT4G
  仓库库存编号：NTD4904NT4GOSCT-ND
  别名：NTD4904NT4GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 49W（Tc） TO-252AA
  
  型号：HUFA76409D3ST
  仓库库存编号：HUFA76409D3STCT-ND
  别名：HUFA76409D3STCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 25V 35A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 88W（Tc） TO-252AA
  
  型号：FDD8796
  仓库库存编号：FDD8796CT-ND
  别名：FDD8796CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 11.4A TO-220
  详细描述：通孔 P 沟道 11.4A（Tc） 53W（Tc） TO-220AB
  
  型号：FQP11P06
  仓库库存编号：FQP11P06-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 50A POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 75W（Tj） Power56
  
  型号：FDMS86380_F085
  仓库库存编号：FDMS86380_F085CT-ND
  别名：FDMS86380_F085CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 25A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Tc） 48.4W（Tj） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：FDD86381_F085
  仓库库存编号：FDD86381_F085CT-ND
  别名：FDD86381_F085CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 7.9A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.9A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS4488
  仓库库存编号：FDS4488CT-ND
  别名：FDS4488CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 50A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 75W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：FDD9410_F085
  仓库库存编号：FDD9410_F085CT-ND
  别名：FDD9410_F085CT
  
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 80V 30A SO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 48W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJA96EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJA96EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJA96EP-T1_GE3CT
  
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  MOSFET N-CH 80V 30A SO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 48W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJA86EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJA86EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJA86EP-T1_GE3CT
  
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  MOSFET N-CH 40V 60A SO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 48W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJ860EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJ860EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJ860EP-T1_GE3CT
  
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  MOSFET N-CH 60V 17.6A POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17.6A（Tc） 41.7W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS5362L_F085
  仓库库存编号：FDMS5362L_F085CT-ND
  别名：FDMS5362L_F085CT
  
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  MOSFET N-CH 100V 23A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Tc） 83W（Tc） DPAK
  
  型号：NTD6415ANLT4G
  仓库库存编号：NTD6415ANLT4GOSCT-ND
  别名：NTD6415ANLT4GOSCT
  
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  MOSFET N-CH 25V 35A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 50W（Tc） TO-252AA
  
  型号：FDD8782
  仓库库存编号：FDD8782CT-ND
  别名：FDD8782CT
  
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  MOSFET P-CH 60V 16A 1212-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 16A（Tc） 53W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SQ7415AEN-T1_GE3
  仓库库存编号：SQ7415AEN-T1_GE3TR-ND
  别名：SQ7415AEN-T1-GE3
  SQ7415AEN-T1-GE3TR
  SQ7415AEN-T1-GE3TR-ND
  SQ7415AEN-T1_GE3TR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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