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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 89A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 89A（Tc） 42W（Tc） PG-TO220-FP
  
  型号：IPA028N08N3 G
  仓库库存编号：IPA028N08N3 G-ND
  别名：IPA028N08N3G
  IPA028N08N3GXKSA1
  SP000446770
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 75V 120A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 300W（Tc） I2PAK
  
  型号：STI260N6F6
  仓库库存编号：497-11329-5-ND
  别名：497-11329-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 180A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 180A（Tc） 300W（Tc） TO-220
  
  型号：STP240N10F7
  仓库库存编号：497-13588-5-ND
  别名：497-13588-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  IGBT 1.2KV 40A TO247-3
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 1200V 160A 454W Through Hole TO-247-3
  
  型号：NGTB40N120S3WG
  仓库库存编号：NGTB40N120S3WGOS-ND
  别名：NGTB40N120S3WGOS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 650V 150A 375W TO247
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 150A 375W Through Hole TO-247
  
  型号：FGH75T65SQD_F155
  仓库库存编号：FGH75T65SQD_F155-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 140A 454W TO247AC
  详细描述：IGBT Trench 600V 140A 454W Through Hole TO-247AC
  
  型号：IRGP4066PBF
  仓库库存编号：IRGP4066PBF-ND
  别名：SP001537846
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 100A 330W TO247AC
  详细描述：IGBT 600V 100A 330W Through Hole TO-247AC
  
  型号：IRGP4660DPBF
  仓库库存编号：IRGP4660DPBF-ND
  别名：SP001534070
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  TRENCH GATE IGBT TO247 PKG
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 1200V 80A 468W Through Hole TO-247-3
  
  型号：STGWA40H120DF2
  仓库库存编号：497-16005-5-ND
  别名：497-16005-5
  STGWA40H120DF2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  650V/60A IGBT FSII
  详细描述：IGBT Field Stop 650V 100A 595W Through Hole TO-247-3
  
  型号：NGTB60N65FL2WG
  仓库库存编号：NGTB60N65FL2WGOS-ND
  别名：NGTB60N65FL2WGOS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
  详细描述：IGBT NPT, Trench Field Stop 650V 160A 625W Through Hole MAX247?
  
  型号：STGYA120M65DF2
  仓库库存编号：497-16976-ND
  别名：497-16976
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Transphorm
  GAN FET 600V 9A PQFN88
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Tc） 65W（Tc） PQFN（8x8）
  
  型号：TPH3202LS
  仓库库存编号：TPH3202LS-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  TRANS SJT 1200V 160A SOT227
  详细描述：TRANS SJT 1200V 160A SOT227
  
  型号：GA100JT12-227
  仓库库存编号：1242-1317-ND
  别名：1242-1317
  GA100JT12-227-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Bourns Inc.
  DIODE BRIDGE RECTIFIER 1000V 232
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 1A Surface Mount 2320
  
  型号：CD2320-B11000
  仓库库存编号：CD2320-B11000CT-ND
  别名：CD2320-B11000CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 41W（Tc） PG-TO252-3-313
  
  型号：IPD50N04S410ATMA1
  仓库库存编号：IPD50N04S410ATMA1CT-ND
  别名：IPD50N04S410ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 50A 8TDFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 42W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：IPC50N04S55R8ATMA1
  仓库库存编号：IPC50N04S55R8ATMA1CT-ND
  别名：IPC50N04S55R8ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI506
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55A（Tc） 1.6W（Ta）, 53W（Tc） PowerDI5060-8
  
  型号：DMNH6021SPSQ-13
  仓库库存编号：DMNH6021SPSQ-13DICT-ND
  别名：DMNH6021SPSQ-13DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 75V 45A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 45A（Tc） 158W（Tc） DPAK
  
  型号：BUK7226-75A,118
  仓库库存编号：1727-7155-1-ND
  别名：1727-7155-1
  568-9638-1
  568-9638-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Skyworks Solutions Inc.
  DIODE VARACTOR
  详细描述：Varactor Single 15V Surface Mount SC-79
  
  型号：SMV2026-079LF
  仓库库存编号：863-1743-1-ND
  别名：863-1743-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Skyworks Solutions Inc.
  DIODE VARACTOR
  详细描述：Varactor Single 20V Surface Mount SC-79
  
  型号：SMV2025-079LF
  仓库库存编号：863-1741-1-ND
  别名：863-1741-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Bourns Inc.
  DIO BR VRRM 600V 2A MBLS
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 2A Surface Mount
  
  型号：CD-MBL206SL
  仓库库存编号：CD-MBL206SLCT-ND
  别名：CD-MBL206SLCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 0.15A SOT-1123
  详细描述：表面贴装 P 沟道 150mA（Ta） 125mW（Ta） SOT-1123
  
  型号：NTNUS3171PZT5G
  仓库库存编号：NTNUS3171PZT5GOSCT-ND
  别名：NTNUS3171PZT5GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3-11
  
  型号：IPD30N06S215ATMA2
  仓库库存编号：IPD30N06S215ATMA2CT-ND
  别名：IPD30N06S215ATMA2CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 55V 16A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 35W（Tc） D-Pak
  
  型号：AUIRLR024ZTRL
  仓库库存编号：AUIRLR024ZTRLCT-ND
  别名：AUIRLR024ZTRLCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Bourns Inc.
  DIO BR VRRM 1000V 2A MBLS
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 2A Surface Mount
  
  型号：CD-MBL210S
  仓库库存编号：CD-MBL210SCT-ND
  别名：CD-MBL210SCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 2.8A SC70
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.7A（Tc） 3.3W（Tc） SOT-363，SC70
  
  型号：SQ1470AEH-T1_GE3
  仓库库存编号：SQ1470AEH-T1_GE3CT-ND
  别名：SQ1470AEH-T1_GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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