以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP100N04S2L03AKSA2
  仓库库存编号：IPP100N04S2L03AKSA2-ND
  别名：SP001063638
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP100N06S205AKSA2
  仓库库存编号：IPP100N06S205AKSA2-ND
  别名：SP001067938
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP80N04S2H4AKSA2
  仓库库存编号：IPP80N04S2H4AKSA2-ND
  别名：SP001061288
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP80N06S2L06AKSA2
  仓库库存编号：IPP80N06S2L06AKSA2-ND
  别名：SP001067882
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 25A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 25A（Tc） 29W（Tc） PG-TO252-3-11
  
  型号：IPD25N06S4L30ATMA1
  仓库库存编号：IPD25N06S4L30ATMA1CT-ND
  别名：IPD25N06S4L-30CT
  IPD25N06S4L-30CT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 50A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 50A（Tc） 150W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP200N15N3GHKSA1
  仓库库存编号：IPP200N15N3GHKSA1-ND
  别名：SP000414714
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 100A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP06CN10NGXKSA1
  仓库库存编号：IPP06CN10NGXKSA1-ND
  别名：SP000680822
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 67A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 67A（Tc） 125W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP12CN10NGXKSA1
  仓库库存编号：IPP12CN10NGXKSA1-ND
  别名：SP000680866
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 27A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 27A（Tc） 58W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP35CN10NGXKSA1
  仓库库存编号：IPP35CN10NGXKSA1-ND
  别名：SP000680926
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 80A（Tc） 94W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP039N04LGHKSA1
  仓库库存编号：IPP039N04LGHKSA1-ND
  别名：SP000391494
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 80A（Tc） 94W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP034N03LGHKSA1
  仓库库存编号：IPP034N03LGHKSA1-ND
  别名：SP000237660
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  JFET N-CHAN 35A TO247-3
  详细描述：JFET N-Channel 35A 238W Through Hole PG-TO247-3
  
  型号：IJW120R070T1FKSA1
  仓库库存编号：IJW120R070T1FKSA1-ND
  别名：SP000871652
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  JFET N-CHAN 26A TO247-3
  详细描述：JFET N-Channel 26A 190W Through Hole PG-TO247-3
  
  型号：IJW120R100T1FKSA1
  仓库库存编号：IJW120R100T1FKSA1-ND
  别名：SP000871656
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 8TDSON
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 20A 50W Surface Mount PG-TDSON-8-4
  
  型号：IPG20N06S415ATMA1
  仓库库存编号：IPG20N06S415ATMA1-ND
  别名：SP000705490
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 8TDSON
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 20A 50W Surface Mount PG-TDSON-8-4
  
  型号：IPG20N06S4L14ATMA1
  仓库库存编号：IPG20N06S4L14ATMA1-ND
  别名：SP000705540
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 120A PG-TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 120A（Tc） 188W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP120N06S402AKSA2
  仓库库存编号：IPP120N06S402AKSA2-ND
  别名：SP001028774
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 120A PG-TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 120A（Tc） 167W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP120N06S403AKSA2
  仓库库存编号：IPP120N06S403AKSA2-ND
  别名：SP001028768
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 90A PG-TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 90A（Tc） 150W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP90N06S404AKSA2
  仓库库存编号：IPP90N06S404AKSA2-ND
  别名：SP001028750
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3-11
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 50A（Tc） 50W（Tc）
  
  型号：IPD50N06S4L12ATMA1
  仓库库存编号：IPD50N06S4L12ATMA1CT-ND
  别名：IPD50N06S4L12ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO262-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 160A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-7-3
  
  型号：IPB160N04S2L03ATMA2
  仓库库存编号：IPB160N04S2L03ATMA2-ND
  别名：SP001058964
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  IGBT 600V 65A 250W TO220
  详细描述：IGBT NPT 600V 65A 250W Through Hole TO-220AB
  
  型号：IRGIB4640DPBF
  仓库库存编号：IRGIB4640DPBF-ND
  别名：SP001536328
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 160A（Tc） 230W（Tc）
  
  型号：64-0055PBF
  仓库库存编号：64-0055PBF-ND
  别名：SP001553580
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CHANNEL 30V 90A TO251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 90A（Tc） 79W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPS040N03LGAKMA1
  仓库库存编号：IPS040N03LGAKMA1-ND
  别名：SP000810846
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索