产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 99W（Tc） D-Pak
型号：
AUIRFR8403
仓库库存编号：
IRAUIRFR8403-ND
别名：IRAUIRFR8403
SP001517580
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 163W（Tc） D-Pak
型号：
AUIRFR8405
仓库库存编号：
IRAUIRFR8405-ND
别名：IRAUIRFR8405
SP001519800
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 161A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 161A（Tc） 140W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR7843CTRPBF
仓库库存编号：
IRLR7843CTRPBFCT-ND
别名：IRLR7843CTRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 56A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 56A（Tc） 98W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
IRFR7446PBF
仓库库存编号：
IRFR7446PBF-ND
别名：SP001576132
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 75A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 60V 75A（Tc） 55W（Tc） TO-220F
型号：
PSMN3R9-60XSQ
仓库库存编号：
568-11430-5-ND
别名：568-11430-5
934068135127
PSMN3R9-60XSQ-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 20A 101W D2PAK
详细描述：IGBT Trench 600V 20A 101W Surface Mount D2PAK
型号：
IRGS4064DPBF
仓库库存编号：
IRGS4064DPBF-ND
别名：SP001533052
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 76A 268W TO247
详细描述：IGBT Trench 600V 76A 268W Through Hole TO-247AD
型号：
IRGP4069-EPBF
仓库库存编号：
IRGP4069-EPBF-ND
别名：SP001545038
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 108V 100A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 108V 100A（Tj） 263W（Tc） I2PAK
型号：
PSMN8R5-108ESQ
仓库库存编号：
568-11432-5-ND
别名：568-11432-5
934068134127
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 55A TO247
详细描述：IGBT Trench 1200V 55A 210W Through Hole TO-247AD
型号：
IRG7PH35U-EP
仓库库存编号：
IRG7PH35U-EP-ND
别名：SP001549426
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 108A TO247
详细描述：IGBT Trench 1200V 130A 469W Through Hole TO-247AD
型号：
IRG7PH46U-EP
仓库库存编号：
IRG7PH46U-EP-ND
别名：SP001537550
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 120A（Tc） 349W（Tc） D2PAK
型号：
BUK761R5-40EJ
仓库库存编号：
BUK761R5-40EJ-ND
别名：934067767118
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 210A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 120A（Tc） 300W（Tc） D2PAK
型号：
AUIRFS3206TRL
仓库库存编号：
AUIRFS3206TRLCT-ND
别名：AUIRFS3206TRLCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 75A（Tc） 130W（Tc） D2PAK
型号：
AUIRL3705ZSTRL
仓库库存编号：
AUIRL3705ZSTRLCT-ND
别名：AUIRL3705ZSTRLCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 1000V 55A 210W TO247AD
详细描述：IGBT Trench 1000V 55A 210W Through Hole TO-247AD
型号：
IRG7PG35U-EPBF
仓库库存编号：
IRG7PG35U-EPBF-ND
别名：SP001541474
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 1000V 55A 210W TO247AC
详细描述：IGBT Trench 1000V 55A 210W Through Hole TO-247AC
型号：
IRG7PG35UPBF
仓库库存编号：
IRG7PG35UPBF-ND
别名：SP001541454
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 140A 454W TO247AD
详细描述：IGBT 600V 140A 454W Through Hole TO-247AD
型号：
IRGP4690D-EPBF
仓库库存编号：
IRGP4690D-EPBF-ND
别名：SP001545146
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 140A 454W TO247AC
详细描述：IGBT 600V 140A 454W Through Hole TO-247AC
型号：
IRGP4690DPBF
仓库库存编号：
IRGP4690DPBF-ND
别名：SP001534080
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 60V TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 60V 51.5A（Tc） 46W（Tc） TO-220F-3
型号：
PSMN7R6-60XSQ
仓库库存编号：
568-12475-ND
别名：568-12475
934069171127
PSMN7R6-60XS,127
PSMN7R6-60XSQ-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 195A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 40V 195A（Tc） 230W（Tc） TO-262
型号：
IRFSL7437TRLPBF
仓库库存编号：
IRFSL7437TRLPBF-ND
别名：SP001567740
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE 600V 40A D2PAK
详细描述：IGBT 600V 65A 250W Surface Mount D2PAK
型号：
IRGS4640DTRLPBF
仓库库存编号：
IRGS4640DTRLPBF-ND
别名：SP001535922
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE 600V 24A D2PAK
详细描述：IGBT 600V 65A 250W Surface Mount D2PAK
型号：
IRGS4640DTRRPBF
仓库库存编号：
IRGS4640DTRRPBF-ND
别名：SP001541990
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE 600V 40A TO-220
详细描述：IGBT 600V 65A 250W Through Hole TO-220AC
型号：
IRGB4640DPBF
仓库库存编号：
IRGB4640DPBF-ND
别名：SP001548212
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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Infineon Technologies
DIODE 600V 40A D2PAK
详细描述：IGBT 600V 65A 250W Surface Mount D2PAK
型号：
IRGS4640DPBF
仓库库存编号：
IRGS4640DPBF-ND
别名：SP001540982
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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Infineon Technologies
DIODE 600V 24A COPAK-262
详细描述：IGBT 600V 65A 250W Through Hole TO-262
型号：
IRGSL4640DPBF
仓库库存编号：
IRGSL4640DPBF-ND
别名：SP001535882
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 40V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP100N04S204AKSA2
仓库库存编号：
IPP100N04S204AKSA2-ND
别名：SP001063632
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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