以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 150V 27A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 150V 27A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
  
  型号：AUIRF6218S
  仓库库存编号：AUIRF6218S-ND
  别名：SP001516490
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  IGBT 600V 12A 77W D2PAK
  详细描述：IGBT 600V 12A 77W Surface Mount D2PAK
  
  型号：IRGS4045DTRRPBF
  仓库库存编号：IRGS4045DTRRPBFTR-ND
  别名：IRGS4045DTRRPBFTR
  SP001549710
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  IGBT 600V 12A 77W D2PAK
  详细描述：IGBT 600V 12A 77W Surface Mount D2PAK
  
  型号：IRGS4045DTRLPBF
  仓库库存编号：IRGS4045DTRLPBFTR-ND
  别名：IRGS4045DTRLPBFTR
  SP001545262
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 35A DIRECTFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 35A（Ta），184A（Tc） 3.3W（Ta），94W（Tc） DIRECTFET L6
  
  型号：IRF7738L2TRPBF
  仓库库存编号：IRF7738L2TRPBFTR-ND
  别名：IRF7738L2TRPBFTR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 31A DIRECTFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 31A（Ta），156A（Tc） 3.3W（Ta），83W（Tc） DIRECTFET L6
  
  型号：IRF7737L2TRPBF
  仓库库存编号：IRF7737L2TRPBFTR-ND
  别名：IRF7737L2TRPBFTR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 75V 56A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 56A（Tc） 140W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU3607-701PBF
  仓库库存编号：IRFU3607-701PBF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 75V 56A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 56A（Tc） 140W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU3607TRL701P
  仓库库存编号：IRFU3607TRL701PTR-ND
  别名：IRFU3607TRL701PTR
  SP001557718
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 90A（Tc） 167W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD035N06L3GATMA1
  仓库库存编号：IPD035N06L3GATMA1CT-ND
  别名：IPD035N06L3 GCT
  IPD035N06L3 GCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 90A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD053N08N3GBTMA1
  仓库库存编号：IPD053N08N3GBTMA1CT-ND
  别名：IPD053N08N3 GCT
  IPD053N08N3 GCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 35A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD25CN10NGBUMA1
  仓库库存编号：IPD25CN10NGBUMA1CT-ND
  别名：IPD25CN10N GCT
  IPD25CN10N GCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 30A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD30N06S2L-13
  仓库库存编号：IPD30N06S2L-13CT-ND
  别名：IPD30N06S2L-13CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 30A（Tc） 100W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD30N06S2L23ATMA1
  仓库库存编号：IPD30N06S2L23ATMA1CT-ND
  别名：IPD30N06S2L-23CT
  IPD30N06S2L-23CT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 7A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 7A（Tc） 40W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD07N20GBTMA1
  仓库库存编号：SPD07N20GBTMA1CT-ND
  别名：SPD07N20 GCT
  SPD07N20 GCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 49A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 49A（Tj） 55W（Tc） TO-220F
  
  型号：PSMN8R5-100XSQ
  仓库库存编号：568-10162-5-ND
  别名：568-10162-5
  934067377127
  PSMN8R5100XSQ
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 不受无铅要求限制
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  IGBT 600V 12A 77W DPAK
  详细描述：IGBT Trench 600V 12A 77W Surface Mount D-Pak
  
  型号：IRGR4045DTRRPBF
  仓库库存编号：IRGR4045DTRRPBF-ND
  别名：SP001533062
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  IGBT 600V 20A 101W D2PAK
  详细描述：IGBT Trench 600V 20A 101W Surface Mount D2PAK
  
  型号：IRGS4064DTRRPBF
  仓库库存编号：IRGS4064DTRRPBF-ND
  别名：SP001536502
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  IGBT 600V 48A 250W TO247AD
  详细描述：IGBT Trench 600V 48A 250W Through Hole TO-247AD
  
  型号：IRGP4062D-EPBF
  仓库库存编号：IRGP4062D-EPBF-ND
  别名：SP001542280
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  IGBT 600V 96A 330W TO247AD
  详细描述：IGBT Trench 600V 96A 330W Through Hole TO-247AD
  
  型号：IRGP4063D-EPBF
  仓库库存编号：IRGP4063D-EPBF-ND
  别名：SP001541796
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  IGBT 600V 74A 278W TO247AD
  详细描述：IGBT Trench 600V 74A 278W Through Hole TO-247AD
  
  型号：IRGP4078D-EPBF
  仓库库存编号：IRGP4078D-EPBF-ND
  别名：SP001534100
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  IGBT 600V 74A 278W TO247AC
  详细描述：IGBT Trench 600V 74A 278W Through Hole TO-247AC
  
  型号：IRGP4078DPBF
  仓库库存编号：IRGP4078DPBF-ND
  别名：SP001540792
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 123A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 123A（Tc） 99W（Tc） D2PAK
  
  型号：AUIRFS8403
  仓库库存编号：IRAUIRFS8403-ND
  别名：IRAUIRFS8403
  SP001518060
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 195A（Tc） 294W（Tc） D2PAK
  
  型号：AUIRFS8408
  仓库库存编号：IRAUIRFS8408-ND
  别名：IRAUIRFS8408
  SP001521164
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 240A（Tc） 294W（Tc） D2PAK
  
  型号：AUIRFS8408-7P
  仓库库存编号：IRAUIRFS8408-7P-ND
  别名：IRAUIRFS8408-7P
  SP001518804
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 195A（Tc） 375W（Tc） D2PAK
  
  型号：AUIRFS8409
  仓库库存编号：IRAUIRFS8409-ND
  别名：IRAUIRFS8409
  SP001517498
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 79W（Tc） D-Pak
  
  型号：AUIRFR8401
  仓库库存编号：IRAUIRFR8401-ND
  别名：IRAUIRFR8401
  SP001518132
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索