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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 120A（Tc） 349W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BUK952R8-60E,127
  仓库库存编号：568-9862-5-ND
  别名：568-9862-5
  934066522127
  BUK952R860E127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 100A（Tc） 234W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BUK953R2-40E,127
  仓库库存编号：568-9863-5-ND
  别名：568-9863-5
  934066421127
  BUK953R240E127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 80V 120A（Tc） 349W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BUK954R4-80E,127
  仓库库存编号：568-9865-5-ND
  别名：568-9865-5
  934066523127
  BUK954R480E127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 120A（Tc） 349W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BUK956R1-100E,127
  仓库库存编号：568-9866-5-ND
  别名：568-9866-5
  934066524127
  BUK956R1100E127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 75A（Tc） 96W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BUK958R5-40E,127
  仓库库存编号：568-9867-5-ND
  别名：568-9867-5
  934066422127
  BUK958R540E127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 54A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 54A（Tc） 96W（Tc） I2PAK
  
  型号：BUK9E15-60E,127
  仓库库存编号：568-9868-5-ND
  别名：568-9868-5
  934066659127
  BUK9E1560E127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 120A（Tc） 349W（Tc） I2PAK
  
  型号：BUK9E1R6-30E,127
  仓库库存编号：568-9869-5-ND
  别名：568-9869-5
  934066508127
  BUK9E1R630E127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 40V I2PAK
  
  型号：BUK9E1R9-40E,127
  仓库库存编号：568-9870-5-ND
  别名：568-9870-5
  934066511127
  BUK9E1R940E127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 120A（Tc） 293W（Tc） I2PAK
  
  型号：BUK9E2R3-40E,127
  仓库库存编号：568-9871-5-ND
  别名：568-9871-5
  934066413127
  BUK9E2R340E127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 120A（Tc） 349W（Tc） I2PAK
  
  型号：BUK9E2R8-60E,127
  仓库库存编号：568-9872-5-ND
  别名：568-9872-5
  934066513127
  BUK9E2R860E127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 100A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 100A（Tc） 234W（Tc） I2PAK
  
  型号：BUK9E3R2-40E,127
  仓库库存编号：568-9873-5-ND
  别名：568-9873-5
  934066414127
  BUK9E3R240E127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 120A（Tc） 293W（Tc） I2PAK
  
  型号：BUK9E3R7-60E,127
  仓库库存编号：568-9874-5-ND
  别名：568-9874-5
  934066631127
  BUK9E3R760E127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 80V 120A（Tc） 349W（Tc） I2PAK
  
  型号：BUK9E4R4-80E,127
  仓库库存编号：568-9875-5-ND
  别名：568-9875-5
  934066515127
  BUK9E4R480E127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 100A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 100A（Tc） 234W（Tc） I2PAK
  
  型号：BUK9E4R9-60E,127
  仓库库存编号：568-9876-5-ND
  别名：568-9876-5
  934066657127
  BUK9E4R960E127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 120A（Tc） 349W（Tc） I2PAK
  
  型号：BUK9E6R1-100E,127
  仓库库存编号：568-9877-5-ND
  别名：568-9877-5
  934066517127
  BUK9E6R1100E127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 75A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 75A（Tc） 96W（Tc） I2PAK
  
  型号：BUK9E8R5-40E,127
  仓库库存编号：568-9878-5-ND
  别名：568-9878-5
  934066415127
  BUK9E8R540E127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 120A（Tc） 349W（Tc） I2PAK
  
  型号：BUK9E1R8-40E,127
  仓库库存编号：BUK9E1R8-40E,127-ND
  别名：934066586127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 70.4A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 70.4A（Tc） 63.8W（Tc） TO-220F
  
  型号：PSMN4R6-100XS,127
  仓库库存编号：568-10158-5-ND
  别名：568-10158
  568-10158-5
  568-10158-ND
  934067065127
  PSMN4R6-100XS,127-ND
  PSMN4R6100XS127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 12A 77W DPAK
  详细描述：IGBT Trench 600V 12A 77W Surface Mount D-Pak
  
  型号：IRGR4045DPBF
  仓库库存编号：IRGR4045DPBF-ND
  别名：63-4004PBF
  63-4004PBF-ND
  SP001546144
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 12A 77W D2PAK
  详细描述：IGBT 600V 12A 77W Surface Mount D2PAK
  
  型号：IRGS4045DPBF
  仓库库存编号：IRGS4045DPBF-ND
  别名：SP001541730
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  IGBT 600V 48A 250W TO-247AD
  详细描述：IGBT Trench 600V 48A 250W Through Hole TO-247AD
  
  型号：IRGP4062-EPBF
  仓库库存编号：IRGP4062-EPBF-ND
  别名：IRGP4062EPBF
  SP001537974
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 100V 62A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 62A（Tc） 140W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB4510GPBF
  仓库库存编号：IRFB4510GPBF-ND
  别名：SP001572362
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 250V 9.3A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 9.3A（Tc） 100W（Tc） DPAK
  
  型号：AUIRFR4292
  仓库库存编号：AUIRFR4292-ND
  别名：SP001520304
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 59A 246W D2PAK
  详细描述：IGBT Trench 600V 59A 246W Surface Mount D2PAK
  
  型号：AUIRGS4062D1
  仓库库存编号：AUIRGS4062D1-ND
  别名：SP001511564
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 150V 13A（Tc） 3.8W（Ta），110W（Tc） D2PAK
  
  型号：AUIRF6215S
  仓库库存编号：AUIRF6215S-ND
  别名：SP001520176
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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