产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 63A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 42A(Tc) 140W(Tc) D-Pak
型号:
AUIRLR3110Z
仓库库存编号:
AUIRLR3110Z-ND
别名:SP001521338
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 42A(Tc) 140W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
AUIRLR3114Z
仓库库存编号:
AUIRLR3114Z-ND
别名:SP001517704
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 99A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 50A(Tc) 143W(Tc) D-Pak
型号:
AUIRLR3636
仓库库存编号:
AUIRLR3636-ND
别名:SP001520390
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 61A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 30A(Tc) 120W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
AUIRLR3915
仓库库存编号:
AUIRLR3915-ND
别名:SP001516276
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 343A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 195A(Tc) 375W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRLS3034
仓库库存编号:
AUIRLS3034-ND
别名:SP001521846
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7P
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 240A(Tc) 380W(Tc) D2PAK(7-Lead)
型号:
AUIRLS3034-7P
仓库库存编号:
AUIRLS3034-7P-ND
别名:AUIRLS30347P
SP001518970
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 270A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 195A(Tc) 380W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRLS3036
仓库库存编号:
AUIRLS3036-ND
别名:SP001521322
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 300A D2PAK-7P
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 240A(Tc) 380W(Tc) D2PAK(7-Lead)
型号:
AUIRLS3036-7P
仓库库存编号:
AUIRLS3036-7P-ND
别名:AUIRLS30367P
SP001520858
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 42A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 56A(Tc) 143W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
AUIRLS3114Z
仓库库存编号:
AUIRLS3114Z-ND
别名:SP001516760
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 180A(Tc) 370W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRLS4030
仓库库存编号:
AUIRLS4030-ND
别名:SP001519902
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7P
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 190A(Tc) 370W(Tc) D2PAK(7-Lead)
型号:
AUIRLS4030-7P
仓库库存编号:
AUIRLS4030-7P-ND
别名:AUIRLS40307P
SP001522310
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
详细描述:MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
型号:
AUIRLZ44ZS
仓库库存编号:
AUIRLZ44ZS-ND
别名:SP001520382
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 59A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 59A(Tc) 160W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF3710ZGPBF
仓库库存编号:
IRF3710ZGPBF-ND
别名:SP001564604
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 40V 75A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 40V 75A(Tc) 140W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF4104GPBF
仓库库存编号:
IRF4104GPBF-ND
别名:SP001571350
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 58A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 58A(Tc) 96W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK7514-60E,127
仓库库存编号:
568-9836-5-ND
别名:568-9836-5
934066468127
BUK751460E127
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 120A(Tc) 349W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK751R6-30E,127
仓库库存编号:
568-9837-5-ND
别名:568-9837-5
934066478127
BUK751R630E127
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 120A(Tc) 349W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK752R7-60E,127
仓库库存编号:
568-9840-5-ND
别名:568-9840-5
934066481127
BUK752R760E127
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 120A(Tc) 293W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK753R5-60E,127
仓库库存编号:
568-9842-5-ND
别名:568-9842-5
934066643127
BUK753R560E127
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 100A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 100A(Tc) 234W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK754R7-60E,127
仓库库存编号:
568-9844-5-ND
别名:568-9844-5
934066471127
BUK754R760E127
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 120A(Tc) 349W(Tc) I2PAK
型号:
BUK7E1R6-30E,127
仓库库存编号:
568-9848-5-ND
别名:568-9848-5
934066509127
BUK7E1R630E127
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 80V 120A(Tc) 349W(Tc) I2PAK
型号:
BUK7E4R0-80E,127
仓库库存编号:
568-9854-5-ND
别名:568-9854-5
934066516127
BUK7E4R080E127
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 54A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 54A(Tc) 96W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK9515-60E,127
仓库库存编号:
568-9858-5-ND
别名:568-9858-5
934066475127
BUK951560E127
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 120A(Tc) 349W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK951R6-30E,127
仓库库存编号:
568-9859-5-ND
别名:568-9859-5
934066519127
BUK951R630E127
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 40V 120A(Tc) 349W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK951R9-40E,127
仓库库存编号:
568-9860-5-ND
别名:568-9860-5
934066521127
BUK951R940E127
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 40V 120A(Tc) 293W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK952R3-40E,127
仓库库存编号:
568-9861-5-ND
别名:568-9861-5
934066419127
BUK952R340E127
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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