产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 45A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 45A(Tc) 79W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB136N08N3 G
仓库库存编号:
IPB136N08N3 GCT-ND
别名:IPB136N08N3 GCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 30A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 30A(Tc) 36W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB230N06L3GATMA1
仓库库存编号:
IPB230N06L3GATMA1CT-ND
别名:IPB230N06L3 GCT
IPB230N06L3 GCT-ND
IPB230N06L3G
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 27A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 27A(Tc) 36W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB260N06N3GATMA1
仓库库存编号:
IPB260N06N3GATMA1CT-ND
别名:IPB260N06N3 GCT
IPB260N06N3 GCT-ND
IPB260N06N3G
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 90A(Tc) 94W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD038N04NGBTMA1
仓库库存编号:
IPD038N04NGBTMA1CT-ND
别名:IPD038N04N GCT
IPD038N04N GCT-ND
IPD038N04NG
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 90A(Tc) 115W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD053N06N3GBTMA1
仓库库存编号:
IPD053N06N3GBTMA1CT-ND
别名:IPD053N06N3 GCT
IPD053N06N3 GCT-ND
IPD053N06N3G
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 70A(Tc) 100W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD068P03L3GBTMA1
仓库库存编号:
IPD068P03L3GBTMA1CT-ND
别名:IPD068P03L3 GCT
IPD068P03L3 GCT-ND
IPD068P03L3GBTMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 59A(Tc) 94W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD122N10N3GBTMA1
仓库库存编号:
IPD122N10N3GBTMA1CT-ND
别名:IPD122N10N3 GCT
IPD122N10N3 GCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 43A(Tc) 71W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD180N10N3GBTMA1
仓库库存编号:
IPD180N10N3GBTMA1CT-ND
别名:IPD180N10N3 GCT
IPD180N10N3 GCT-ND
IPD180N10N3GBTMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 28A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 28A(Tc) 36W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD250N06N3GBTMA1
仓库库存编号:
IPD250N06N3GBTMA1CT-ND
别名:IPD250N06N3 GCT
IPD250N06N3 GCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 21A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 21A(Tc) 68W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD530N15N3GBTMA1
仓库库存编号:
IPD530N15N3GBTMA1CT-ND
别名:IPD530N15N3 GCT
IPD530N15N3 GCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Tc) 60W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD30N03S2L20GBTMA1
仓库库存编号:
SPD30N03S2L20GBTMA1CT-ND
别名:SPD30N03S2L-20 GCT
SPD30N03S2L-20 GCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 50A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD50N03S207GBTMA1
仓库库存编号:
SPD50N03S207GBTMA1CT-ND
别名:SPD50N03S2-07 GCT
SPD50N03S2-07 GCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 17A(Tc) 3.8W(Ta),45W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
AUIRFZ24NSTRR
仓库库存编号:
AUIRFZ24NSTRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
详细描述:MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
型号:
AUIRLZ44ZSTRL
仓库库存编号:
AUIRLZ44ZSTRL-ND
别名:SP001520372
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 79A(Tc) 110W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRF1018ES
仓库库存编号:
AUIRF1018ES-ND
别名:SP001517308
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 202A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 75A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRF1404S
仓库库存编号:
AUIRF1404S-ND
别名:SP001522616
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 135A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 135A(Tc) 200W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRF2805S
仓库库存编号:
AUIRF2805S-ND
别名:SP001519486
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 235A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 160A(Tc) 231W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRF2903ZS
仓库库存编号:
AUIRF2903ZS-ND
别名:SP001518498
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 21A(Tc) 3.8W(Ta),94W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRF3315S
仓库库存编号:
AUIRF3315S-ND
别名:SP001520202
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 106A(Tc) 200W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRF3808S
仓库库存编号:
AUIRF3808S-ND
别名:SP001519466
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.3A 2.4W Surface Mount 8-SO
型号:
AUIRF7303Q
仓库库存编号:
AUIRF7303Q-ND
别名:SP001517242
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 17A(Tc) 45W(Tc) TO-252AA
型号:
AUIRFR024N
仓库库存编号:
AUIRFR024N-ND
别名:SP001515958
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 79A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 56A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
AUIRFR1018E
仓库库存编号:
AUIRFR1018E-ND
别名:SP001522694
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 30A(Tc) 110W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
AUIRFR2405
仓库库存编号:
AUIRFR2405-ND
别名:SP001522238
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 42A(Tc) 110W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
AUIRFR2407
仓库库存编号:
AUIRFR2407-ND
别名:SP001520320
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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